planar silicon deviceとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a planar optical circuit type optical element by which a silicon core is formed by using an inexpensive exposure device and the need to form an over cladding after the the formation of silicon core is eliminated.例文帳に追加

安価な露光装置を用いてシリコンコアを形成し、シリコンコアの形成後にオーバークラッドを形成することを不要にする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON INGOT, METHOD OF PRODUCING CRYSTAL CHIPS, METHOD OF MANUFACTURING PLANAR BODY, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL OR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

シリコンインゴットの製造方法、結晶屑の生成方法、板状体の製造方法、太陽電池または半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

A semiconductor device, nMOS SGT220, is constituted from a first n^+ type silicon layer 113, a first gate electrode 236 containing metal, and a second n^+ type silicon layer 157, which are collaterally arranged on a first columnar silicon layer 232 vertically arranged on a first planar silicon layer 234.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ｎＭＯＳ ＳＧＴ２２０であり、第１の平面状シリコン層上２３４に垂直に配置された第１の柱状シリコン層２３２表面に並んで配置された、第１のｎ^＋型シリコン層１１３と、金属を含む第１のゲート電極２３６と、第２のｎ^＋型シリコン層１５７とから構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing a bidirectional photo thyristor having a semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film as a high voltage withstanding passivation film of a planar type light receiving device comprises a step of measuring the refractive index of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, and a step of estimating the oxygen concentration of the semiinsulating oxygen-doped polycrystalline silicon film, based on the measured refractive index.例文帳に追加

本発明の製造方法は、プレーナ型受光素子の高耐圧用パシベーション膜として半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜を有する双方向フォトサイリスタの製造方法であって、半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の屈折率を測定する工程と、測定した屈折率に基き半絶縁性酸素ドープ多結晶シリコン膜の酸素濃度を推定する工程とを備える。 - 特許庁

By providing a gate electrode 50, the segmented (unit type) field effect device can combine a FinFET type device, or a fully depleted silicon-on-insulator FET type device, and a fully depleted planar device.例文帳に追加

ゲート電極５０を設けることによりこのセグメント型（ユニット型）電界効果デバイスは、ＦｉｎＦＥＴ型デバイス、すなわち完全空乏シリコン・オン・インシュレータＦＥＴ型デバイスと完全空乏の平面型デバイスとを組み合わせることができる。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 31 having a planar active region 201 and an active region consisting of a prominent active region 202B on the planar active region 201, a gate insulating film 39 formed on the active region, and a gate 400 located on the gate insulating film 39 and including a gate wiring films 40, 41 covering the prominent active region 202B.例文帳に追加

プレーナ活性領域２０１及びプレーナ活性領域２０１上のプロミネンス活性領域２０２Ｂで構成された活性領域を有するシリコン基板３１、活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３９と、ゲート絶縁膜３９上に位置し、プロミネンス活性領域２０２Ｂを覆うゲート配線膜４０、４１を含むゲート４００を備えている。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of keeping constant the temperature of a focus ring during processing, stabilizing the temperature of the outer peripheral part of a planar sample, thereby uniformizing etching characteristics within a plane of the planar sample and preventing the deposition of deposit on the focus ring by adjusting the temperature of the focus ring provided so as to surround the planar sample of a silicon wafer or the like.例文帳に追加

シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。 - 特許庁