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poly- siliconとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ポリシリコーン; ポリシリコン

発音記号・読み方
/ˌpɑliˈsɪlɪˌkɑn(米国英語), ˌpɑ:li:ˈsɪlɪˌkɑ:n(英国英語)/

JST科学技術用語日英対訳辞書での「poly- silicon」の意味

polysilicon

ポリシリコーン; ポリシリコン

「poly- silicon」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 169



例文

CASTING APPARATUS, METHOD FOR CASTING POLY-CRYSTAL SILICON INGOT USING THE SAME, AND POLY-CRYSTAL SILICON INGOT, POLY-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加

鋳造装置、これを用いた多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 - 特許庁

LASER THIN FILM POLY-SILICON ANNEALING OPTICAL SYSTEM例文帳に追加

レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 - 特許庁

The poly-last structure has a channel silicon precursor.例文帳に追加

ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。 - 特許庁

VOLTAGE LEVEL SHIFTER AND POLY-SILICON DISPLAY例文帳に追加

電圧レベルシフタおよびポリシリコンディスプレイ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POLY SILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

The polishing agent for polishing the silicon oxide film on the poly-silicon contains abrasive grains, poly-silicon polishing retarder and water.例文帳に追加

ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。 - 特許庁

例文

A poly-silicon film 4 is formed on the entire face of a surface region of a silicon semiconductor substrate 1, and this poly-silicon film 4 is patterned so that a line width of a poly-silicon film 4' in a field oxide film 2 is made larger than a line width of the poly-silicon film 4 in an element forming region.例文帳に追加

シリコン半導体基板1の表面領域の全面にポリシリコン膜4を形成し、このポリシリコン膜4をパターニングして、フィールド酸化膜2におけるポリシリコン膜4'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜4の線幅よりも大きくなるようにする。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「poly- silicon」の意味

poly-silicon


Weblio専門用語対訳辞書での「poly- silicon」の意味

Poly Silicon

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

Weblio英和対訳辞書での「poly- silicon」の意味

polysilicon

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

Wiktionary英語版での「poly- silicon」の意味

polysilicon

「poly- silicon」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 169



例文

In addition, a second poly-silicon layer 8 is used as an upper layer electrode 10.例文帳に追加

また、上層電極10として第2のポリシリコン層8を用いている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF POLY-CRYSTAL SILICON LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多結晶シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFT例文帳に追加

低温ポリシリコンTFTのための多層高品質ゲート誘電体 - 特許庁

This TFT is utilized for a LCD of the TFT made of poly-silicon.例文帳に追加

本発明は、ポリシリコンのTFTのLCDに利用されるものである。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LOW TEMPERATURE POLY SILICON TFT GATE OXIDE FILM例文帳に追加

低温ポリシリコンTFTゲート酸化膜の形成方法 - 特許庁

To form a poly-silicon film which has very high quality and contains less impurities.例文帳に追加

極めて高品質で不純物の少ないpoly−si膜を形成する。 - 特許庁

A stacked poly silicon film 7 is formed by continually depositing a first poly silicon film 7a having no impurity and a second poly silicon film 7b for determining a resistance value through one manufacturing process without exposing the films 7a and 7b to the atmosphere.例文帳に追加

不純物を含有しない第1のポリシリコン膜7aと、抵抗値を決定するための第2のポリシリコン膜7bを大気への曝露なく1回の製造工程により連続して堆積させて積層ポリシリコン膜7を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a polishing agent for a silicon oxide capable of polishing a silicon oxide film on a poly-silicon film at high speed and suppressing polish proceeds of the poly-silicon film when the poly-silicon film is exposed, in the method for manufacturing a semiconductor device, and the polishing method using the polishing agent.例文帳に追加

半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

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