quantum confinementとは 意味・読み方・使い方

To provide the manufacturing method of a quantum wire, which enhances the flatness of the surface of a silicon film subsequent to the formation of the quantum wire and can form the quantum wire having a complete electron confinement region with good controllability, and a semiconductor element having the quantum wire.例文帳に追加

量子細線の形成後のシリコン表面の平坦性がよく、完全な電子の閉じ込め領域を有する量子細線を制御性よく形成できる量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加

少なくとも２つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

The material with large interaction between light and electron has strong triggering power of an exciter while the quantum confinement effect bearing quantum dot is posed to generate a strong light emission.例文帳に追加

光と電子の大きな相互作用を持つ物質は励起子の起動子強度が大きく、さらに量子ドットを担持させた量子閉じ込め効果とあいまって、強い発光が生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser.例文帳に追加

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the width of wavelength is adjusted, by adjusting the composition of materials of the bottom and barrier layers of the different multiple quantum wells or the width of the quantum well or the length of the photo-isolation confinement structures.例文帳に追加

また、該異なる多重量子井戸の底面とバリア層の材料の組成、もしくは量子井戸の幅、もしくは光分離閉じ込め構造の長さを調整して波長の長さを調整する。 - 特許庁

In various illustrative embodiments, an undoped spacer layer is provided between a single quantum well aluminium nitride gallium active region and a carrier confinement layer.例文帳に追加

様々な例示的実施形態で、単一量子井戸窒化アルミニウムガリウム活性領域とキャリア閉込め層との間に、アンドープスペーサ層を設ける。 - 特許庁