quantum conditionとは 意味・読み方・使い方

If current applied to the quantum dot laser device is greater than an oscillation initiation current condition, lasers having different wavelengths can be simultaneously obtained in each quantum dot active region, and this allows the application of a multiwavelength dot laser device to be achieved.例文帳に追加

量子ドットレーザ素子に印加される電流が発振開始電流条件よりも大きい場合、異なる波長を有するレーザが各量子ドット活性領域で同時に得られ、それにより、多波長量子ドットレーザ素子の適用が達成される。 - 特許庁

To raise the signal to noise ratio of an optical detector even under the condition of a very high dark current to the photocurrent caused at a high quantum dot element temperature, etc. when using a quantum dot structure e.g. for absorbing IR rays.例文帳に追加

光検知器に関し、例えば赤外線吸収に量子ドット構造を用いた場合、量子ドット素子温度が高い場合などに起こる暗電流が光電流に対して非常に大きい条件下に於いても、信号雑音比を高くすることできるようにする。 - 特許庁

To easily eliminate an influence of polarization condition without performing complicated polarization control in a quantum key delivery system using a photon detector dependent on polarization.例文帳に追加

偏波依存性のある光子検出器を用いる量子鍵配送システムにおいて、複雑な偏波制御をすることなく、簡便に偏波状態の影響を除けるようにすること。 - 特許庁

In the quantum entangled photon pair generating method, a semiconductor substance such as CuCl is irradiated with two parent photons (angular frequency ω_i) and an exciton molecule in a condition of an angular momentum of 0 is generated by two-photon resonant excitation.例文帳に追加

本発明の量子もつれ光子対の生成方法は、ＣｕＣｌ等の半導体物質に２個の親光子（角振動数ω_ｉ）を照射して、二光子共鳴励起によって角運動量が０の状態の励起子分子を生成する。 - 特許庁

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn.例文帳に追加

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element in which a diffusion condition of impurities for forming a window structure becoming a light irradiation part for an active layer (quantum well layer) can be easily controlled.例文帳に追加

活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁