resist technologyとは 意味・読み方・使い方

To materialize an environmental symbiotic technology which forms a liquid film on a resist, thereby dissolving and removing the resist by utilizing an active oxygen produced in the liquid film, and gets out of a resources and energy fairly consuming technology, namely does not depend on high energy or a chemical solvent in removing the resist.例文帳に追加

レジストに液膜を形成し、液膜内で発生する活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現する。 - 特許庁

To provide the technology of highly accurately adjusting a resist by forming satisfactory resist pattern images even when starting a color mode after a monochrome mode.例文帳に追加

単色モード実行後カラーモードを開始する際においても良好なレジストパターン像の形成を可能とし、レジスト調整を高精度に行うことを可能とする技術を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a resist layer is formed on the upper gap layer and the resist layer is removed to the position where a predetermined throat height is obtained from an end face which becomes a face opposed to a medium by a photolithographic technology.例文帳に追加

続いて、上部ギャップ層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術により媒体対向面となる端面から所定のスロートハイトが得られる位置までレジスト層を除去する。 - 特許庁

To provide a technology for uniformly depositing particles in an opening of a resist by using an electrophoretic technique.例文帳に追加

電気泳動を利用した粒子の堆積方法において、レジストの開口部に均一に粒子を堆積させる技術を提案する - 特許庁

A double treatment technology to manufacture a device that includes the execution of a first patterning step for forming an opening in a resist layer, then the opening is filled before a first resist layer is exfoliated and is replaced with a second resist layer used for a second exposure is disclosed.例文帳に追加

レジスト層に開口を形成する第一パターニングステップを実行することを含み、第一レジスト層が剥離され、第二露光に使用される第二レジスト層で置換される前に、開口が充填される、デバイス製造の二重処理技術が開示される。 - 特許庁

To provide a technology to remove a resist film formed on the surface of a substrate reliably without causing any damage on the substrate having a mask of resist film formed on the surface, where the thickness of the resist film in the peripheral part is thicker than that in the central region.例文帳に追加

その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。 - 特許庁

To achieve a technology capable of controlling a focus amount or a dose amount for exposure by using a resist pattern of a real element instead of a dedicated mark.例文帳に追加

専用マークではなく、実素子のレジストパターンを用いて露光の際のフォーカス量或いはドーズ量を管理できる技術の実現。 - 特許庁

To provide a fabrication technology of semiconductor device in which removing characteristics can be enhanced for a variety of kinds of resist film.例文帳に追加

多種多様な種類のレジスト膜に対して、除去特性の向上を図ることができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁