resistive phaseとは 意味・読み方・使い方

The multi-phase load drive device 1 includes: a first resistive element 15; a second resistive element 16; and an inverter 1 which converts an input DC voltage into an AC voltage through the first resistive element 15 on a high-potential side and through the second resistive element 16 on a low-potential side and supplies the converted voltage to a motor M1.例文帳に追加

モータ駆動装置１は、第１の抵抗体１５と、第２の抵抗体１６と、高電位側で第１の抵抗体１５を介し、低電位側で第２の抵抗体１６を介して入力された直流電圧を交流電圧に変換してモータＭ１に供給するインバータ１を備えている。 - 特許庁

To increase density of a resistive memory composed of a phase transition material by reducing physical size while storing a multi-value of ternary or more.例文帳に追加

物理的寸法を微細化するとともに、３値以上の多値を記憶できるようにすることによって、相変化材料からなる抵抗メモリを高密度化する。 - 特許庁

To provide a method for preventing that a data retention time of configuration data stored in a phase transition resistive memory is shortened by high temperature in the rear process.例文帳に追加

相変化抵抗メモリに記憶されるコンフィギュレーションデータのデータ保持時間が、後工程における高温により短縮するのを防ぐための方法を提供する。 - 特許庁

The variable resistive device utilizes phase change for resistance change and has the phase change film containing at least In and Sb, and In atoms are ≥10 atm% and ≤40 atm%.例文帳に追加

抵抗変化に相変化を利用するデバイスであって、少なくともＩｎとＳｂを含む相変化膜を有し、Ｉｎ原子が１０ａｔｍ％以上４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする可変抵抗素子。 - 特許庁

To prevent a pole due to a parasitic capacitance from being caused in a transfer function of a feedback circuit having a feedback resistive element and a feedback phase compensation capacitive element.例文帳に追加

帰還抵抗素子および帰還位相補償容量素子を有する帰還回路の伝達関数に寄生容量に起因する極が発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a variable resistive device and a nonvolatile memory device having a phase change film of low power consumption which is capable of high-speed resistance change and is excellent in the preservation stability of an amorphous phase, and a semiconductor memory utilizing them.例文帳に追加

低消費電力で、高速抵抗変化が可能であり、かつアモルファス相の保存安定性が良好である相変化膜を有する可変抵抗素子および不揮発性メモリ素子およびこれらを利用した半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

A resistive element R of a phase change memory has a laminated structure comprising a lower electrode 121, a piezoelectric material layer 122, a barrier layer 123, a memory layer 124, and upper electrode 125.例文帳に追加

相変化メモリの抵抗素子Ｒは、下部電極１２１、圧電材料層１２２、バリア層１２３、記憶層１２４および上部電極１２５の積層構造で構成されている。 - 特許庁

The optical deflecting element has a pair of transparent substrates 2 and 3, a spacer 4, transparent resistive element layers 5 and 5', heat radiation layers 6 and 6', alignment films 7 and 7', a liquid crystal layer 8 which can form a chiral smectic C phase, and liner electrodes 9, 9', and 10 which are electrically connected to the transparent resistive element layers 5 and 5'.例文帳に追加

光偏向素子は、一対の透明な基板２、３と、スペーサー４と、透明抵抗体層５、５’と、放熱層６、６’と、配向膜７、７’と、キラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層８と、透明抵抗体層５、５’に電気的に接続されたライン状の電極９、９’及び１０、１０’を有している。 - 特許庁