s lvとは 意味・読み方・使い方

When the difference value D(n) between the current sensor output value S(n) and the reference value B(n) gets smaller than a threshold value T, the concentration signal LV is switched from the high level to its low level.例文帳に追加

そして、現在のセンサ出力値Ｓ（ｎ）と基準値Ｂ（ｎ）との差分値Ｄ（ｎ）がしきい値Ｔよりも小さくなったとき、濃度信号ＬＶはハイレベルからローレベルに切り換えられる。 - 特許庁

This gas sensor 10 is equipped with a G element 1 capable of detecting gas, and control parts 4, 5 for inputting an output signal S(n) outputted from the G element 1, determining gas detection based on the output signal S(n), and issuing a control signal LV.例文帳に追加

ガスを検知可能なＧ素子１と、Ｇ素子１から出力される出力信号Ｓ（ｎ）が入力され、出力信号Ｓ（ｎ）に基づいてガス検知を判断し、制御信号ＬＶを発する制御部４、５とを備えたガスセンサ１０である。 - 特許庁

When drive pulses are outputted ten times from a pulse generation circuit PG maintaining amplitude level Lv set in the first memory LS1 inside a level selection circuit LS, and then drive pulses under the same amplitude level Lv is inputted to the control circuit in this electromagnetic drive circuit PI1 the drive pulse is outputted to a drive circuit S just once per three times.例文帳に追加

レベル選択回路ＬＳ内の第１記憶部ＬＳ１に設定されている振幅レベルＬｖが変わらないままパルス発生回路ＰＧから駆動パルスが１０回出力されると、制御回路ＰＩ１はそれ以降同じ振幅レベルＬｖの状態下で駆動パルスが入力してきたとき、その駆動パルスを３回に１回だけ駆動回路Ｓに出力する。 - 特許庁

In the shaft type waste melting furnace, the inside diameter of the furnace around a blast tuyere for blowing air or oxygen-enriched air to burn a coke bed formed in the furnace bottom is set so that superficial velocity (LV) of the air is 0.4-0.6 Nm/s.例文帳に追加

シャフト型廃棄物溶融炉において、炉底部に形成されるコークスベッドを燃焼させる空気又は酸素富化した空気を吹き込む送風羽口周りの炉内径を、前記空気の空塔速度（ＬＶ）が０．４Ｎｍ／ｓ〜０．６Ｎｍ／ｓとなるように設定する。 - 特許庁

The ends of the winding start of lead wires Lu, Lv, and Lw of each phase of U, V, and W are held in a first holding frame 1 provided in the specified position of an insulating frame P mounted beforehand on a stator core S, and in its condition, the lead wires of each phase are wound on corresponding inner teeth T1-T3.例文帳に追加

Ｕ、Ｖ、Ｗの各相の導線Ｌｕ、Ｌｖ、Ｌｗの巻き始め端部を、ステータコアＳに予め装着してある絶縁枠Ｐの所定位置に設けた第１の保持枠１１に保持させ、その状態で各相の導線を対応する内歯Ｔ１〜Ｔ３に巻線する。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the liquid crystal panel constituted by charging a liquid crystal layer 17 between a couple of substrates S each having an alignment film 15 formed on a surface, and the alignment film 15 is formed by an oblique vapor-depositing method of supplying vapor molecules at a vapor-deposition angle θ1 of 45 to 60° to a normal Lv of one main surface of a substrate S.例文帳に追加

本発明は、表面に配向膜１５が形成された一対の基板Ｓ間に液晶層１７を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の蒸着角度θ１から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜１５を形成することを特徴とする液晶パネルの製造方法および液晶パネルである。 - 特許庁