schottky barrier diodesとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device, in which four Schottky barrier diodes are combined in a bridge on a silicon substrate, with low voltage and small power consumption at a low cost, while the voltage rise in forward direction of the Schottky barrier diodes is small in the voltage-current characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に４つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧−電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, a diode bridge circuit having Schottky barrier diodes and a peripheral circuit having MOS transistors are formed on an identical silicon substrate, and a Schottky barrier as an constituent element of the Schottky barrier diode is made of a silicide layer.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードで構成されるダイオードブリッジ回路と、ＭＯＳ型トランジスタで構成される周辺回路とが、同一のシリコン基板上に形成され、ショットキーバリアダイオードの構成要素であるショットキーバリアがシリサイド層からなることを特徴とする半導体集積回路装置により上記課題を解決する。 - 特許庁

To reduce device scale further compared with conventional devices in a semiconductor device which is equipped with MOS transistors and Schottky barrier diodes on a semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上にＭＯＳトランジスタとショットキーバリアダイオードを備えてなる半導体装置であって、その装置規模を従来のものと比較して更に縮小させる。 - 特許庁

Clamp circuits 2A, 2B which are to be provided in a self- oscillating resonance type converter are formed of Schottky barrier diodes DSBD1, DSBD2 and resistors RD1, RD2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤSBD1，ＤSBD2と抵抗ＲD1，ＲD2とによって、自励式の共振形コンバータに備えられるべきクランプ回路２Ａ，２Ｂを形成する。 - 特許庁

This alternator for vehicle comprises a rotor 2, which includes a permanent magnet, a stator 3 including an armature coil 31 and a rectifier 4 in which Schottky barrier diodes 44 to 46 are connected in series with MOSFETs 47 to 49.例文帳に追加

車両用交流発電機は、永久磁石を有する回転子２と、電機子巻線３１を有する固定子３と、ショットキーバリアダイオード４４〜４６がＭＯＳＦＥＴ４７〜４９に直列接続された整流器４とを備えている。 - 特許庁

Since the temperature coefficient of the V_F characteristic of SiC becomes positive, even when the current concentration to either one of the Schottky barrier diodes 11a-11d is generated, such a change as current balancing occurs by virtue of this V_F characteristic.例文帳に追加

ＳｉＣのＶ_Ｆ特性は、温度に対して正となるので、ショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄのいずれかに電流が集中した場合でも、このＶ_Ｆ特性から電流が均衡するような変化が生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enables carrier injection characteristics to be improved as compared with conventional semiconductor devices, such as Schottky barrier diodes and PiN diodes, and consequently, enables improvement in tradeoff between forward voltage drop (Vf) and reverse recovery charge (Qrr).例文帳に追加

従来のショットキーバリアダイオードやＰｉＮダイオード等の半導体装置と比べてキャリア注入特性を改善することができ、その結果、順方向電圧降下（Ｖｆ）と逆回復電荷（Ｑｒｒ）との間のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The latch-up of a parasitic thyristor generated, when forming circuit elements on a semiconductor substrate having a formed IGBT Z1, is prevented by a latch-up preventing circuit, using Schottky barrier diodes formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴ・Ｚ１が形成されている半導体基板上に回路素子を形成する際に発生する寄生サイリスタのラッチアップを、半導体基板上に形成されたショットキーバリアダイオードを用いたラッチアップ防止回路により防止するようにしている。 - 特許庁