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「si are」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1374



例文

These elements are B, Si and C.例文帳に追加

これらの元素はB、Si、Cである。 - 特許庁

To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加

Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁

The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁

The carbon nanomaterial and Si are compatible, and Si and Mg are compatible, and further, Mg and Al are compatible.例文帳に追加

カーボンナノ材料とSiは相性がよく、SiとMgとは相性がよい。 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Si基板1の上に、Si酸化膜2及びSi窒化膜3を順次形成する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

例文

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

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「si are」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1374



例文

Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加

次いで、Si窒化膜3及びSi酸化膜2をエッチングする。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

Si wafers 2 are carried in a reaction furnace 14 while the wafers 2 are loaded in a wafer boat 3.例文帳に追加

Siウェハ2をウェハボート3に搭載した状態で反応炉14に搬送する。 - 特許庁

This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加

この負極材料は、Si相とSiC相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiC相と接している。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp^+ 型Si層3、p型Si層4およびn^+ 型Si層5を形成する。 - 特許庁

To provide a hot rolled steel sheet in which workability is secured, and further, insular scale flaws are suppressed, regarding a high Si steel sheet added with Si so as to improve its workability and satisfying (5xP+Al)/Si≤0.728, and to provide its production method.例文帳に追加

加工性を改善すべくSiを添加した、(5xP+Al)/Si≦0.728 を満足する高Si鋼板について、加工性を確保するとともに島状スケール疵を抑制した熱延鋼板とをその製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively Si-CH_2-CH_2-Si bond and Si-CH_2-Si bond are formed in the insulating film by irradiation with the UV rays.例文帳に追加

あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にSi−CH_2−CH_2−Si結合およびSi−CH_2−Si結合を形成させる。 - 特許庁

例文

Then, a laser beam is irradiated, the amorphous Si thin film are changed into polycrystalline Si thin films.例文帳に追加

次にレーザービームを照射し、非晶質Siを多結晶Si薄膜にする。 - 特許庁

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