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si detectorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 si検出器
「si detector」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
The new 300 kV analytical electron microscope is fitted with an EDS system having an ultra-thin window Si (Li) detector.発音を聞く 例文帳に追加
その新型300kV分析電子顕微鏡は、ウルトラスィン・ウインドウ半導体(リチウム)検出器を有するEDS装置を備え付けている。 - 科学技術論文動詞集
A signal reader 11 obtains a standard image signal SS from a solid detector 20 recording standard image information SI.例文帳に追加
信号読取部11が基準画像情報SIを記録した固体検出器20から基準画像信号SSを取得する。 - 特許庁
A Si (Li) energy-dispersive X-ray detector is coupled to a charge-sensitive preamplifier with an optical feedback circuit.発音を聞く 例文帳に追加
シリコン(リチウム)エネルギー分散X線検出器は、光フィードバック回路をもつ電荷に敏感な前段増幅器に連結される(つながれる)。 - 科学技術論文動詞集
The resistance force is determined by a control device 100 based on a current value SI from a current detector 30 and/or a current value MI from a current detector 46.例文帳に追加
この抵抗力Paは、制御装置100において、電流検出器30からの電流値S_I および/または電流検出器46からの電流値M_I に基づいて求められる。 - 特許庁
Control signals (MUP, MUN, GUN, GUP) correcting the objective control volume for each phase are supplied, based on the state of each phase detected by the detector (Si).例文帳に追加
検出装置(Si)によって検出された各相の状態に基づいて、相ごとに制御対象量を補正する制御信号(MUP,MUN,GUN,GUP)が供給される。 - 特許庁
A power Si which is being inputted to an amplifier 101 at present is calculated from a detected voltage and a gain control voltage value from a detector 103, and a reference value is changed corresponding to the size of the input power Si to be calculated.例文帳に追加
検波器103からの検波電圧と利得制御電圧値とにより、現在増幅器101に入力されている電力Siを算出し、算出した入力電力Siの大きさに応じて基準値を変更する。 - 特許庁
The identification and quantification of the α-rays emission nuclides uses a method which determines the stopping power of the sample with respect to α-rays and determines from an α-ray spectrum measured by a Si-semiconductor detector.例文帳に追加
α線放射核種の同定と定量は、試料のα線に対する阻止能を求め、Si半導体検出器により測定したα線スペクトルから求める手法を用いる。 - 特許庁
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「si detector」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
That is, the frame length detector segments data of a detection object, calculates coefficients {ai} in the AR model and thereafter calculates a summed average AVsi (=si/N) (steps S2 to S5).例文帳に追加
すなわち、フレーム長検出器は、検出対象のデータを切り出して、ARモデルにおける係数{ai}を計算した後、加算平均AVsi(=si/N)を算出する(ステップS2〜S5)。 - 特許庁
A cross talk correction section 41 calculates a projection data difference ratio Rij between projection data Si of a first detecting element 23i and projection data Sj of a second detection element 23j of a detector array 23.例文帳に追加
検出器アレイ23の第1検出素子23iによる投影データSiと第2検出素子23jによる投影データSjとにおいて相違する投影データ相違率Rijをクロストーク補正部41が算出する。 - 特許庁
An Si membrane, having a fine aperture 11, is provided on a reticle stage 9, a current density of the beam which passes through the aperture 11 is measured by a current detector 19 provided on a wafer stage, by scanning the illumination beam on the fine aperture 11.例文帳に追加
レチクルステージ上9に微小開口11を有するSiメンブレン10を設置し、微小開口11上で照明ビームを走査して開口11を通過したビームの電流密度をウエハステージ上に設置した電流検出器19で計測する。 - 特許庁
The determining unit 34 determines the properness of marker arrangement and outputs the determining result by determining whether or not the photographing positions of the marker M1 to M4 in all of the beam source positions Si are positioned in the detecting range A0 of the detector 14.例文帳に追加
判定部34はすべての線源位置SiにおけるマーカM1〜M4の投影位置が、検出器14の検出範囲A0内に位置するか否かを判定することにより、マーカ配置の適否を判定して判定結果を出力する。 - 特許庁
An interference detector 7 detects interference light of reflected light from the surface of a single crystal Si film grown on a substrate 20 and reflected light from a reference lens 73 with a Michelson interferometer by using a laser beam of wavelength λ.例文帳に追加
干渉検出装置7は、波長λのレーザ光を用いて、基板20上に成長された単結晶Si膜の表面から反射光と、リファレンスレンズ73からの反射光との干渉光をマイケルソン干渉計によって検出する。 - 特許庁
Each pixel (pixel sizes: a 2.2 μm square) in the solid-state imaging element 100 has a light-transmitting film 1 having a first refractive-index distribution, the light-transmitting film 2 having a second refractive-index distribution, a photo-detector 3, wiring 4, a wavelength selective filter 5, and an Si board 6.例文帳に追加
固体撮像素子100における各画素(画素サイズ□2.2μm)は、第1の屈折率分布を有する光透過膜1、第2の屈折率分布を有する光透過膜2、受光素子3、配線4、波長選択フィルタ5およびSi基板6を備える。 - 特許庁
The multiple phase voltage converter (2) comprises a plurality of phases (P1 to P3) capable of independently changing objective control volume (IL), a detector (Si) detecting the state of each phase, and a control unit (200) supplying a control signal to specify the objective control volume relative to each phase.例文帳に追加
電圧を変換する多相コンバータ(2)であって、独立して制御対象量(IL)を変更可能な複数の相(P1〜P3)と、各相の状態を検出する検出装置(Si)と、各相に対する制御対象量を規定する制御信号を供給する制御部(200)と、を備える。 - 特許庁
A pixel structure for a flat panel detector is constructed in which the diode silicon and the FET silicon are simultaneously etched to form isolated structures (array photodiodes, I/O elements, and so on) in which the edges or perimeters of the diode silicon structures are self-aligned to the underlying FET Si structures.例文帳に追加
フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びFETシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造(アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等)を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のFETSi構造に自動整列される。 - 特許庁
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