silicon centerとは 意味・読み方・使い方

The center part 33 of the discodal body 32 is constituted of white cement containing 50% of silicon carbide.例文帳に追加

なお、盤状体３２の中央部３３は炭化珪素５０％を含む白セメントで構成されている。 - 特許庁

(1) If there are two introduction ports disposed adjacent to the silicon core bars, an angle formed by each center of these two introduction ports and the center of the silicon core bar is 135 degrees or more.例文帳に追加

（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。 - 特許庁

The exit end 106 is disposed in a region including an optical intersection where the center line of the silicon thin line core 103 and the center line of the silicon thin line core 104 intersect.例文帳に追加

出射端部１０６は、シリコン細線コア１０３の中心線とシリコン細線コア１０４の中心線とが交差する光交差部を含む領域に配置されている。 - 特許庁

When there are 2 introducing ports arranged adjacent to the silicon core rod, each center of the 2 introducing ports and the center of the silicon core rod form an angle of ≥135°... (1).例文帳に追加

（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。 - 特許庁

The silicon germanium layer 12 connects the silicon substrate 11 to the silicon layer 13 only in a center portion of a word line WL direction, thereby forming a narrow portion 12a in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層１２は、シリコン基板１１とシリコン層１３とを、ワード線ＷＬ方向の中央部でのみ接続し、半導体基板１０の中で狭隘部１２ａを形成している。 - 特許庁

The device is provided with a first silicon substrate chip 20 having a concave part 21 at the center, a second silicon substrate chip 30 having an opening at the center and bonded on the first silicon substrate chip 20, and an iron ball 60 contained in the concave part 21.例文帳に追加

中央に凹部２１を有する第１のシリコン基板チップ２０と、中央に開口部３１を有しており、第１のシリコン基板チップ２０上に接着してある第２のシリコン基板チップ３０と、凹部２１に収まっている鉄製のボール６０とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing step of the sensor chip 3; a silicon oxide film 32 having resistivity to an etchant is formed on the front surface of a silicon substrate 31, and many apertures 17 for exposing the silicon substrate 31 is formed within a ring domain between the circumferential edge and the center area of the silicon oxide film 32.例文帳に追加

センサチップ３の製造工程では、シリコン基板３１の表面に、エッチング液に対する耐性を有するシリコン酸化膜３２が形成されて、そのシリコン酸化膜３２の周縁部と中央部との間の環状領域に、シリコン基板３１を露出させる多数の開口１７が形成される。 - 特許庁

In this infrared detection element 1 equipped with a plurality of silicon diodes 3 connected in series, respective silicon diodes 3 are arranged so that the total sum of each distance between the center of one silicon diode 3 and each center of all the other silicon diodes 3 becomes equal to the total sum of each distance between all the other silicon diodes, to thereby equalize each influence of heat received by each silicon diode 3 from the other silicon diodes 3.例文帳に追加

複数の直列接続されたシリコンダイオード３を備えた赤外線検出素子１において、一のシリコンダイオード３におけるその中心と他のすべてのシリコンダイオード３の中心との距離の総和と他のすべてのシリコンダイオードにおける前記距離の総和が等しくなるようにそれぞれのシリコンダイオード３を配置し、それぞれのシリコンダイオード３が他のシリコンダイオード３から受ける熱の影響を均一になるようにした。 - 特許庁