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single in-line memoryとは 意味・読み方・使い方
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「single in-line memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
The writing of a single-line memory 105 is stopped in the similar period and a line delay output of an output signal of the memory 103 is obtained.例文帳に追加
同様の周期で1ラインメモリ105の書き込みを停止させ、メモリ13の出力信号のライン遅延出力を得る。 - 特許庁
The IC driver has a main read line MR which is shared by plural memory cells M11-Mn1 arranged along the line direction and transmits a display data read from a single memory cell sequentially selected in the line direction.例文帳に追加
列方向に沿って配列された複数のメモリセルM11〜Mn1に共用され、列方向で順次選択される一つのメモリセルから読み出された表示データが伝送されるメイン読み出し線MRを有する。 - 特許庁
Since a single wiring is required per a single memory cell row, an SRAM of T-type bit line structure is easily configured using the landscape-type memory cell MC, resulting in a smaller layout area and faster operation speed.例文帳に追加
1メモリセル行当り1本の配線を設ければよいので、横長型メモリセルMCを用いてT型ビット線構造のSRAMを容易に構成でき、レイアウト面積の縮小化と動作速度の高速化を図ることができる。 - 特許庁
In one of the preferred implementations, it further contains a processor (P), which requests a single line in the line group and, in case the line does not exist in the cache memory and more than two lines in the line group are not possessed, copies the lines of more than two into the cache memory.例文帳に追加
好ましい態様によれば、プロセッサ(P)をさらに含み、プロセッサがライン・グループ内の単一のラインを要求し、そのラインがキャッシュ・メモリ内に存在せず、そのライン・グループ内の2つ以上のラインが所有されていない場合に、その2つ以上のラインをキャッシュ・メモリにコピーする。 - 特許庁
To originate a call to a single telephone number in the memory of telephone directory of a portable terminal through a general telephone line.例文帳に追加
携帯端末の電話帳メモリ内のいずれか1件の相手先電話番号に対して、一般加入電話回線を介して電話発信を行う。 - 特許庁
To enable correction using an error correction circuit, by making prevention of only single memory cell information being in error, without making a plurality of memory cell information an error simultaneously, when one word line is defective, in a ferroelectric memory device form which data of a plurality of memory cells are outputted in parallel.例文帳に追加
複数のメモリセルのデータが並列出力される強誘電体メモリ装置において、1本のワード線が故障した場合に、複数のメモリセル情報が同時に誤りになることはなく、単一のメモリセル情報のみが誤りとなり、誤り訂正回路による訂正を可能にする。 - 特許庁
First and second memory cells 1 and 2, which are arranged adjacent to each other in the direction of a paired bit line interconnection layer 15, have an asymmetrical layout in the same direction, and form a single memory cell group.例文帳に追加
ビット線対配線層15に沿う方向に隣接して配置される第1,第2のメモリセル1,2がその方向に非対称のレイアウトを有しており、この第1,第2のメモリセル1,2で一つのメモリセル群を形成する。 - 特許庁
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「single in-line memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
Thereby, only single memory cell information result will result in error, without making a plurality of memory cell information an error simultaneously, even if one word line is defective, and correction can be made using the error correction circuit 10.例文帳に追加
これにより、1本のワード線が故障しても複数のメモリセル情報が同時に誤りになることはなく、単一のメモリセル情報のみの誤りとなり、誤り訂正回路10により訂正が可能となる。 - 特許庁
A line for transmitting a driver transistor source voltage can be individually disposed for each column and even in a single port memory cell structure, the driver transistor source voltage can be regulated for the unit of a memory cell column.例文帳に追加
各列ごとに、ドライバトランジスタソース電圧を伝達する線を個々に配設することができ、シングルポートメモリセル構造においても、メモリセル列単位でドライバトランジスタソース電圧の調整を行なうことができる。 - 特許庁
A volume rendering arithmetic part 38 performs ray casting processing to the echo data for a single transparent line stored in a line memory part 26.例文帳に追加
ボリュームレンダリング演算部38は、ラインメモリ部26に格納された透視線1本分のエコーデータに対し、レイキャスティング処理を行う。 - 特許庁
To output alternately a non-inverted image signal and an inverted image signal in the time base direction on each scanning line by a single memory relative to an input image signal.例文帳に追加
入力映像信号に対して、走査線毎に時間軸方向に非反転した映像信号と反転した映像信号を交互に出力することを目的とする。 - 特許庁
In the read operation of this block, a word line multiple/single selecting driver 9 multiply select the word lines and selects a plurality of memory cells.例文帳に追加
このブロックの読み出し動作時は、ワード線多重・単一選択ドライバ9が、該当ワード線を多重選択して複数のメモリセルを選択する。 - 特許庁
A memory cell 1 is a nonvolatile memory cell having a single-layer polysilicon structure, and is provided with a selection transistor T1 connected to a word line SWL, a cell transistor T2 connected to the selection transistor T1 in series, and a capacitor C1 connected to a gate of the cell transistor T2.例文帳に追加
メモリセル1は、単層ポリシリコン構造を有する不揮発性のメモリセルであり、ワード線SWLに接続された選択トランジスタT1と、該選択トランジスタT1に直列に接続されたセルトランジスタT2と、該セルトランジスタT2のゲートに接続されたキャパシタC1とを備える。 - 特許庁
In a semiconductor memory, there are provided: a voltage control circuit for supplying low voltage or high voltage to a word line selected for write or read; and an input/output control circuit for performing a single time data write or read to a plurality of memory cells corresponding to a selected word line.例文帳に追加
半導体記憶装置において、データ書込または読出に選択された選択ワード線に対して、低電圧または高電圧を供給する電圧制御回路を設け、選択ワード線に対応する複数のメモリセルを対象として、1回のデータの書込または読出を実行する入出力制御回路をさらに設ける。 - 特許庁
In this memory mapping method, by which an address is accessed by using two memories as if the access is carried out by a single memory, an address value is changed by reversing a part of bits of the address for one memory, data within different areas such as a block access 1 and a line access 2 can be designated to the same address.例文帳に追加
メモリを2つ用いて1つのメモリに対するようにアドレスにアクセスしてメモリを使用するメモリマッピング方法において、片方のメモリにはアドレスの一部のビットを反転させることによりアドレス値を変化させて、ブロックアクセス1又はラインアクセス2のように同一アドレスに対して異なる範囲のデータを指定可能とする。 - 特許庁
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