single layer resistとは 意味・読み方・使い方

The barrier property of the resist underlayer film is evaluated using results obtained by determining: an amount of a sublimate generated when baking the first resist underlayer single layer in a prescribed condition; an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer single layer by baking of a prescribed condition; and an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer on the first resist underlayer by baking in a prescribed condition.例文帳に追加

そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 - 特許庁

A resist film 12 is formed on the surface of the SiC layer formed by depositing an epitaxial layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 1 comprising a single crystal SiC, and then irradiated with an ultraviolet ray from the rear surface of the substrate, to thereby expose the resist film 12 on the surface.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。 - 特許庁

The protrusion 5 is a single resin layer formed by using a negative resist containing an alkali soluble resin, a photopolymerization initiator and a photo-polymerizable monomer as main components.例文帳に追加

突起５がアルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤、光重合性モノマーを主成分とするネガ型レジストを用いて形成された単一樹脂層であること。 - 特許庁

To suppress the generation of resist residue in the overlapping part of patterns and establish stable electric characteristic when forming a single wiring layer by conducting lithography and etching twice or more.例文帳に追加

２回以上のリソグラフィとエッチングを行って単一の配線層を形成する際に、パターンの重複部におけるレジスト残渣の発生を抑制し、安定した電気的特性を得る。 - 特許庁

A surface oxide film 14 is formed on the surface of the body 12 of the substrate, composed of single-crystal silicon, and a resist layer 16 is formed on the surface of the oxide film 14 in a prescribed pattern.例文帳に追加

先ずシリコン単結晶からなる基板本体１２の表面に表面酸化膜１４を形成し、表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic component, capable of suppressing a manufacturing cost by making use of a lift-off release device capable of forming a film pattern having a high aspect ratio using a resist pattern of a single layer in a lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法における単層でのレジストパターンを用いて、高アスペクト比の膜パターンが形成可能なリフトオフ用剥離装置により、製造コストを抑えた電子部品を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

The resist and the single-crystal semiconductor layer can also be grounded together with the foundation semiconductor layer through a grounding terminal by fixing the SOI substrate under the state on a sample table having the grounding terminal on a surface by using an electrostatic attraction method.例文帳に追加

この状態のＳＯＩ基板を、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定することで、接地端子を介して下地半導体層とともにレジストおよび単結晶半導体層も接地することが可能となる。 - 特許庁