「single layer resist」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereafter, the metal burr is prevented from remaining at the upper end of the single layer metal film or the multilayer metal film by selectively removing the single layer metal film or the multilayer metal film by ion milling while taking the resist film as a mask.例文帳に追加

この後に、前記レジスト膜をマスクとしたイオンミリングで単層金属膜あるいは多層金属膜を選択除去することにより、金属バリが単層金属膜あるいは多層金属膜上端に残存しないようにした。 - 特許庁

In the circuit board on which a single layer metal film or a multilayer metal film is formed, a resist film pattern is formed on the board using a photoengraving, and then a recess is formed at the lower part of a resist film end by wet-etching the single layer metal film or the multilayer metal film taking the resist film as a mask.例文帳に追加

基板上に単層金属膜あるいは多層金属膜が形成されている基板において、基板上にレジスト膜のパターンを写真製版技術を用いて形成した後に、前記レジスト膜をマスクとして単層金属膜あるいは多層金属膜のウエットエッチングによりレジスト膜端の下部に窪みを形成する。 - 特許庁

The barrier property of the resist underlayer film is evaluated using results obtained by determining: an amount of a sublimate generated when baking the first resist underlayer single layer in a prescribed condition; an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer single layer by baking of a prescribed condition; and an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer on the first resist underlayer by baking in a prescribed condition.例文帳に追加

そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 - 特許庁

A resist film 12 is formed on the surface of the SiC layer formed by depositing an epitaxial layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 1 comprising a single crystal SiC, and then irradiated with an ultraviolet ray from the rear surface of the substrate, to thereby expose the resist film 12 on the surface.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。 - 特許庁

The protrusion 5 is a single resin layer formed by using a negative resist containing an alkali soluble resin, a photopolymerization initiator and a photo-polymerizable monomer as main components.例文帳に追加

突起５がアルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤、光重合性モノマーを主成分とするネガ型レジストを用いて形成された単一樹脂層であること。 - 特許庁

To suppress the generation of resist residue in the overlapping part of patterns and establish stable electric characteristic when forming a single wiring layer by conducting lithography and etching twice or more.例文帳に追加

２回以上のリソグラフィとエッチングを行って単一の配線層を形成する際に、パターンの重複部におけるレジスト残渣の発生を抑制し、安定した電気的特性を得る。 - 特許庁

A surface oxide film 14 is formed on the surface of the body 12 of the substrate, composed of single-crystal silicon, and a resist layer 16 is formed on the surface of the oxide film 14 in a prescribed pattern.例文帳に追加

先ずシリコン単結晶からなる基板本体１２の表面に表面酸化膜１４を形成し、表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic component, capable of suppressing a manufacturing cost by making use of a lift-off release device capable of forming a film pattern having a high aspect ratio using a resist pattern of a single layer in a lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法における単層でのレジストパターンを用いて、高アスペクト比の膜パターンが形成可能なリフトオフ用剥離装置により、製造コストを抑えた電子部品を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

The resist and the single-crystal semiconductor layer can also be grounded together with the foundation semiconductor layer through a grounding terminal by fixing the SOI substrate under the state on a sample table having the grounding terminal on a surface by using an electrostatic attraction method.例文帳に追加

この状態のＳＯＩ基板を、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定することで、接地端子を介して下地半導体層とともにレジストおよび単結晶半導体層も接地することが可能となる。 - 特許庁

The single-layer on-chip package board includes: an insulator 10 having a window formed therein; wirings 24, wire bonding pads 26 and solder ball pads 22 embedded in one surface of the insulator; and a solder resist layer 30 provided one surface of the insulator so as to cover the wirings and to open at least parts of the wire bonding pads and solder ball pads.例文帳に追加

単層ボードオンチップパッケージ基板は、ウインドウが形成された絶縁体１０と、絶縁体の一面に埋め込まれた配線２４、ワイヤーボンディングパッド２６、及びハンダボールパッド２２と、配線を覆い、ワイヤーボンディングパッド及びハンダボールパッドの少なくとも一部が開放されるように、絶縁体の一面に設けられたソルダーレジスト層３０と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A single-layer on-chip package board comprises: an insulator having a window formed therein; wirings, wire bonding pads and solder ball pads embedded in one surface of the insulator; and a solder resist layer provided in one surface of the insulator so as to cover the wirings and to open at least parts of the wire bonding pads and the solder ball pads.例文帳に追加

本発明に係る単層ボードオンチップパッケージ基板は、ウインドウが形成された絶縁体と、絶縁体の一面に埋め込まれた配線、ワイヤーボンディングパッド、及びハンダボールパッドと、配線を覆い、ワイヤーボンディングパッド及びハンダボールパッドの少なくとも一部が開放されるように、絶縁体の一面に設けられたソルダーレジスト層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor apparatus 28 for each unit lead frame to a lead frame material 10 in which a plurality of unit lead frames are arranged in multiple lines or a single line, after the lead frame material 10 is half-etched from a front surface side using a first plating layer 17 as a resist film, plating burr is removed by at least two or more means.例文帳に追加

複数の単位リードフレームが多列又は単列に配置されたリードフレーム材１０に、単位リードフレーム毎に半導体装置２８を製造する方法であって、リードフレーム材１０を表面側から第１のめっき層１７をレジスト膜としてハーフエッチングした後、少なくとも２以上の手段でめっきバリ除去を行う。 - 特許庁

The electrode for measuring organism impedance comprises a base sheet of non-conductive substance, a pair of electrode elements formed from a conductive material on the surface of the sheet at a constant spacing, electrode terminals formed in a single piece with the pair of electrode elements, a corrosion-resistant and conductive resist layer installed at least on the electrode terminals, and a conductive adhesive gel layer installed on the pair of electrode elements.例文帳に追加

非導電性の基材シートと、この基材シートの表面に導電性物質を用いて一定間隔で形成された一対の電極素子部と、この一対の電極素子部と一体に形成された電極端子部と、少なくとも電極端子部に設けられた難腐食性で導電性のレジスト層と、前記一対の電極素子部上に設けた導電性粘着ゲル層とからなることを特徴とする生体インピーダンス測定用電極により上記課題を解決する。 - 特許庁