single-step formとは 意味・読み方・使い方

The method for producing the single crystal substrate, which has the composite step-terrace structure comprising a first flat terrace, a first downward step, a second flat terrace and a second upward step having the height lower than that of the first downward step, comprises a step to etch an original single crystal substrate to form the composite step-terrace structure in a self-organizing manner.例文帳に追加

本発明は、平坦な第１のテラスと、下り方向の第１の段差と、平坦な第２のテラスと、前記第１の段差よりも高さの小さい上り方向の第２の段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法であって、単結晶基板に対してエッチングを行なうことで自己組織的に複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁

A step in which an ink containing conductive particulates is coated on a transparent base material to form a treatment membrane containing conductive particulates, and a step in which a microwave of a single mode is irradiated on the treatment membrane to form the transparent conductive membrane on the base material are equipped.例文帳に追加

透明な基材上に、導電性微粒子を含有するインクを塗布し、導電性微粒子を含む被処理膜を形成するステップ、及び被処理膜に単一モードのマイクロ波を照射し、基材上に透明導電膜を形成するステップを備える。 - 特許庁

The method includes: a step S2 of depositing a perovskite-type oxide precursor at least a part of which is in an amorphous state on a seed single crystal substrate to form a complex of the seed single crystal and the precursor; and a step S3 of heat-treating the complex to induce solid epitaxy in the precursor to obtain an oxide single crystal.例文帳に追加

種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。 - 特許庁

The method for forming an acoustic laminated body (370) for an ultrasonic probe (106) includes a step of partially dicing the single-crystal piezoelectric material so as to form a single crystal piece (240) partially separated by a plurality of cut grooves (242).例文帳に追加

超音波探触子（１０６）用の音響積層体（３７０）を形成するための方法が、単結晶圧電材料を、複数の切り溝（２４２）によって一部分離された単結晶片（２４０）を形成するように一部ダイシングするステップを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for producing microspheres with which desired sustained release feature is easily obtained by producing a mixed pharmaceutical form of microspheres having various compositions by a continuous single-step process.例文帳に追加

連続単一工程によって様々な組成の徐放性マイクロスフェアの混合剤型を製造して所望の放出様相を容易に得ることが可能なマイクロスフェアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal polyester fiber having further excellent processability in a high-order processing step with little defects and fibrils without fusion among single yarns even when solid-phase polymerization is performed in a package form.例文帳に追加

パッケージ形状で固相重合を行っても単糸間融着がなく、更に高次加工工程での加工性に優れる、欠陥およびフィブリルの少ない液晶ポリエステル繊維を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for treating the surface of a metal, which can form a film that can impart superior corrosion resistance to a metal material, particularly a metal structural body having a complicated shape, in a single immersion step.例文帳に追加

金属材料、特に形状が複雑な金属構成体に対し、単一浸漬工程にて優れた耐食性を付与し得る皮膜を形成せしめることが可能な金属表面処理組成物の提供。 - 特許庁