sublimation growth methodとは 意味・読み方・使い方

To provide an apparatus and a method for producing silicon carbide single crystals, where sublimed raw materials for sublimation can be more effectively utilized for growth of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

昇華した昇華用原料をより効率的に炭化珪素単結晶の成長に用いることができる炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To readily enlarge the diameter of a growing single crystal by suppressing the obstruction of the growth by a polycrystal when growing the single crystal of silicon carbide or the like by a sublimation recrystallization method.例文帳に追加

昇華再結晶法により炭化珪素等の単結晶を成長させるにあたり、多結晶による成長阻害を抑制して、簡便に、成長する単結晶の口径拡大を図る。 - 特許庁

In the method of growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, the temperature of a crucible for growth is lowered to suppress the temporary temperature elevation in the crucible during pressure reduction when the atmosphere pressure is dropped after the temperature for the growth of the crystal is attained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる方法において、雰囲気圧力を結晶成長温度到達後に低下させる際に、成長用坩堝温度を降下させ、減圧時の一時的な坩堝内温度上昇を抑制する。 - 特許庁

When a bulk crystal is grown on a seed crystal 3 in a single crystal growth apparatus by a sublimation method, an impurity is added to the bulk crystal by introducing it in the form of a gas.例文帳に追加

単結晶成長装置にて種結晶３上にバルク結晶を昇華法により成長させ、作製する場合、不純物をガス化した形で導入し、バルク結晶に不純物を添加する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing SiC capable of accurate temperature measurement for long hours, by suppressing deposition of a material sublimed into a hole for measuring the temperature, in crystal growth of SiC by a sublimation method.例文帳に追加

昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。 - 特許庁

In a method comprising arranging a raw material polycrystal 2 in a growth chamber 1 and growing the group II-VI compound semiconductor crystal on a seed crystal 4 by a sublimation method or a halogen chemical transport method, the temperature at the seed crystal 4 side is kept at a higher temperature than that at the grown crystal 3 side in a cooling process after growth of the crystal.例文帳に追加

成長室１中に原料多結晶２を配置し、昇華法またはハロゲン化学輸送法で種結晶４上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させる方法において、結晶成長後の冷却過程において、種結晶４側の温度を、成長結晶３側の温度より高温に保持する。 - 特許庁

The adamantane pressed granule obtained by a roller press method or a pounding slug method has a median pore radius by volume of 3,000 Å or less and a particle size of 2 to 40 mm and can control growth of crystals formed by sublimation.例文帳に追加

ローラー圧縮法，スラッグ打錠法によって得られたアダマンタン圧縮造粒は，容積基準メジアン細孔半径が３０００Å以下であり、粒径が２〜４０mmのものが得られ，昇華物結晶の成長を抑えることができる等の特性を有する。 - 特許庁

The method of manufacture includes: (a) selecting a plane inclined by 10 to 80 degrees to a C plane as a surface 1a of a hexagonal single crystal substrate which is a seed crystal 1; and (b) growing an AlN single crystal 2 as a growth plane 2a on the surface 1a by a sublimation method.例文帳に追加

種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。 - 特許庁