superlattice buffer layerとは 意味・読み方・使い方

An AlN/GaN superlattice buffer layer 2, an undoped GaN layer 3 and an undoped InGaN layer 4 are grown in the order of the layer 2, the layer 3 and the layer 4 on a sapphire substrate 1 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により、サファイア基板１上にＡｌＮ／ＧａＮ超格子バッファ層２、アンドープＧａＮ層３およびアンドープＩｎＧａＮ層４を順に成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element, in which a superlattice strain buffer layer using an AlGaN layer having a low Al content or a GaN layer is formed with good flatness and a nitride semiconductor layer having good flatness and crystallinity is formed on the superlattice strain buffer layer.例文帳に追加

Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To achieve a spin polarized electron generating element having high spin polarization degree and external quantum efficiency while providing flexibility in selecting materials of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer.例文帳に追加

基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

A low resistance GaAs substrate is used and a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer 22 is inserted between a device layer 23 constituting the main of a semiconductor device and the low resistance substrate 21.例文帳に追加

基板として低抵抗ＧａＡｓ基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層２３と低抵抗基板２１との間にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子バッファ層２２を介在させる。 - 特許庁

The membrane gas sensor 1 is constituted so as to prevent the occurrence of the microcracks by interposing an intermediate buffer layer 16 functioning in the same way as a strain superlattice between the electric insulating layer 14 and the sensing layer 15b and absorbing the stress change of the electric insulating layer 14 and the sensing layer 15b caused by a thermal shock by the intermediate buffer layer 16.例文帳に追加

電気絶縁層１４と感知層１５ｂとの間に歪超格子と同様に機能する中間バッファ層１６を設け、この中間バッファ層１６により熱衝撃に起因する電気絶縁層１４とガス感知層１５ｂとの応力変化を吸収し、その結果マイクロクラックの発生を抑止するような薄膜ガスセンサ１とした。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁

On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にｃ−ＢＰ単結晶層２ａとＳｉ単結晶層２ｂとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をｃ−ＢＰ単結晶層とした超格子構造のバッファ層２を介在してｃ−ＩｎＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁