threshold voltage dependencyとは 意味・読み方・使い方

To reduce input voltage dependency and/or output voltage dependency at an output limiting point that is a threshold of output current to a load in a switching power supply circuit.例文帳に追加

スイッチング電源回路の負荷への出力電流の閾値である出力制限点の入力電圧依存性及び／又は出力電圧依存性を軽減する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition having a quick response speed at room temperature and at a low temperature by improving temperature dependency of steepness γ and threshold voltage without increasing threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧の上昇なしに急峻性γ及び閾値電圧の温度依存性を改善し、室温と低温における応答速度の速い液晶組成物を提供する。 - 特許庁

To reduce dependency of threshold voltage of a memory cell of an AG_AND type flash memory for a place in an array.例文帳に追加

ＡＧ＿ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルのしきい値電圧のアレイ内場所に対する依存性を低減する。 - 特許庁

The two switching transistors T2, T4 are driven before a video signal Vsig is sampled in a pixel capacitor C1 to detect the threshold voltage of the drive transistor T5 and write the threshold voltage in the pixel capacitor C1, so that the dependency of an output current on the threshold voltage is corrected.例文帳に追加

二つのスイッチングトランジスタＴ２，Ｔ４は、映像信号Ｖｓｉｇが画素容量Ｃ１にサンプリングされる前に動作し、ドライブトランジスタＴ５の閾電圧を検出して画素容量Ｃ１に書き込み、以って出力電流の閾電圧に対する依存性を補正する。 - 特許庁

To make the timing rationalizable independently of the dependency on power source, temperature, and the threshold voltage-dependency of a transis tor.例文帳に追加

電源、温度依存や、トランジスタのしきい値電圧依存に関係なくタイミングを適正化できる半導体記憶装置及びその内部回路を活性化する信号のタイミング発生方法を提供する。 - 特許庁

Since a fact that the doping dependency of the work function is small is shown for the first time, the dispersion of threshold voltage in each transistor is rare.例文帳に追加

仕事関数のドーピング量依存性が小さいことが始めて示され、それ故にトランジスタ毎の閾値電圧のバラツキが殆どない。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition or the like meeting a plurality of such properties as high upper limit temperature, low lower limit temperature, low viscosity, proper optical anisotropy, low threshold voltage, sharp voltage-transmittance curve, temperature dependency of low threshold voltage and frequency dependency of low dielectric constant anisotropy.例文帳に追加

高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧、急峻な電圧−透過率曲線、しきい値電圧の小さな温度依存性、誘電率異方性の小さな周波数依存性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物などである。 - 特許庁

In the source/drain profile extracting step 150, in addition, a source/drain profile is extracted from the substrate bias voltage Vsub dependency of the gate length Lg characteristic of the threshold voltage Vth.例文帳に追加

また，ソース／ドレインプロファイル抽出段階１５０では，スレッショルド電圧Ｖｔｈのゲート長Ｌｇ特性の基板バイアス電圧Ｖｓｕｂ依存性からソース／ドレインプロファイルが抽出される。 - 特許庁