to p-sideとは 意味・読み方・使い方

A P side IGBT 2a is bonded to the surface of the P side collector electrode board 4.例文帳に追加

Ｐ側ＩＧＢＴ２ａがＰ側コレクタ電極板４の表面にダイボンディングされている。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

Direct data transfer from the G-side to the P-side becomes possible by replacing it to direct data acquisition from the P-side to the G-side.例文帳に追加

Ｇ側からＰ側への直接データ転送は、Ｐ側からＧ側への直接データ取得に置き換えることで可能とする。 - 特許庁

An outer ring 3a is formed so as to have a large thickness and the pitch circle diameter D_p of balls 6 are shifted to the inside diameter side of the ball bearing.例文帳に追加

外輪３ａを厚肉にして、各玉６のピッチ円直径Ｄ_P を内径側にずらせる。 - 特許庁

According to an embodiment, the semiconductor light emitting device has the semiconductor layer, a p-side electrode and an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact part, an n-side contact part, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, a p-side metal pillar, and an n-side metal pillar.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極及びｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト部と、ｎ側コンタクト部と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーとを備えている。 - 特許庁

A side face Pc of a substrate P has a vertical region 61 substantially vertical to a front face Pa of the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐの側面Ｐｃは、基板Ｐの表面Ｐａとほぼ垂直な垂直領域６１を有する。 - 特許庁

The page 'P-X' having changed to the reverse side is rewritten with a page 'P+X'.例文帳に追加

一方、裏側に移動した「Ｐ−Ｘ」ページは、「Ｐ＋Ｘ」ページに書き替えられる。 - 特許庁

The relief pressure of the relief valve 7 is changed corresponding to the flow rate on the side of the priority circuit C_P.例文帳に追加

リリーフ弁７のリリーフ圧は、優先回路Ｃ_P側の流量に応じて変更する。 - 特許庁