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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > to p-sideの意味・解説 > to p-sideに関連した英語例文

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to p-sideの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2262



例文

A p-side electrode is electrically connected to the p-type contact layer 14.例文帳に追加

p型コンタクト層14にはp側電極が電気的に接続される。 - 特許庁

The p-side electrode 15 is connected to the p-type surface 20ap.例文帳に追加

p側電極15は、p型表面20apに接続されている。 - 特許庁

An p-side electrode 22 is connected to the p-type doping region 20.例文帳に追加

p型ドーピング領域20にp側電極22が接続されている。 - 特許庁

The page 'P' having moved to the reverse side is rewritten with a page 'P+2X'.例文帳に追加

一方、裏側に移動した「P」ページは「P+2X」ページに書き替えられる。 - 特許庁

例文

The sheets P is pushed to a shift tray 102 side loading the sheet P discharged from the image forming apparatus from an upper side by the rotation of the rollers.例文帳に追加

このローラの回転により、画像形成装置から排紙された用紙Pを積載するシフトトレイ102側に用紙Pを上から押さえ付ける。 - 特許庁


例文

The p-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the p-side electrode via the p-side contact.例文帳に追加

p側配線層は、絶縁膜上に設けられ、p側コンタクト部を介してp側電極と接続されている。 - 特許庁

The p-side wiring layer is prepared in the insulating film, and connected to the p-side electrode through the p-side contact part.例文帳に追加

p側配線層は、絶縁膜内に設けられ、p側コンタクト部を介してp側電極と接続されている。 - 特許庁

A P side IGBT 2a is bonded to the surface of the P side collector electrode board 4.例文帳に追加

P側IGBT2aがP側コレクタ電極板4の表面にダイボンディングされている。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

p型半導体層11の発光層12と反対側の面にp側電極15を形成する。 - 特許庁

例文

Direct data transfer from the G-side to the P-side becomes possible by replacing it to direct data acquisition from the P-side to the G-side.例文帳に追加

G側からP側への直接データ転送は、P側からG側への直接データ取得に置き換えることで可能とする。 - 特許庁

例文

An outer ring 3a is formed so as to have a large thickness and the pitch circle diameter D_p of balls 6 are shifted to the inside diameter side of the ball bearing.例文帳に追加

外輪3aを厚肉にして、各玉6のピッチ円直径D_P を内径側にずらせる。 - 特許庁

According to an embodiment, the semiconductor light emitting device has the semiconductor layer, a p-side electrode and an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact part, an n-side contact part, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, a p-side metal pillar, and an n-side metal pillar.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、p側電極及びn側電極と、絶縁膜と、p側コンタクト部と、n側コンタクト部と、p側配線層と、n側配線層と、p側金属ピラーと、n側金属ピラーとを備えている。 - 特許庁

A side face Pc of a substrate P has a vertical region 61 substantially vertical to a front face Pa of the substrate P.例文帳に追加

基板Pの側面Pcは、基板Pの表面Paとほぼ垂直な垂直領域61を有する。 - 特許庁

The page 'P-X' having changed to the reverse side is rewritten with a page 'P+X'.例文帳に追加

一方、裏側に移動した「P−X」ページは、「P+X」ページに書き替えられる。 - 特許庁

The relief pressure of the relief valve 7 is changed corresponding to the flow rate on the side of the priority circuit C_P.例文帳に追加

リリーフ弁7のリリーフ圧は、優先回路C_P側の流量に応じて変更する。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting device comprises a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact, an n-side contact, a p-side wiring layer, and an n-side wiring layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、p側電極と、n側電極と、絶縁膜と、p側コンタクト部と、n側コンタクト部と、p側配線層と、n側配線層とを備えている。 - 特許庁

Consequently, when the friction piece 70 is separated from the paper P, it does not kick out the paper P to the downstream side, and damage such as wrinkles is not given to the paper P.例文帳に追加

このため、摩擦片70が、用紙Pと離れるときに、用紙Pを下流側へけり出すことがなく、用紙Pへシワ等のダメージを与えない。 - 特許庁

The high resistance layer contacts the p-type semiconductor layer and covers the p-side electrode on the first main surface, includes a portion overlapping with the n-side electrode outside the p-side electrode in a planar view, and is formed of metal having a higher contact resistance to the p-type semiconductor layer than to the p-side electrode.例文帳に追加

高抵抗層は、第1主面上でp型半導体層に接しp側電極を覆い、平面視においてp側電極の外側でn側電極と重なる部分を有し、p型半導体層との接触抵抗がp側電極よりも高く金属である。 - 特許庁

Herein, a step 1a is provided at a position of contacting the side face of the recording paper P on the opposite side to the side face of the recording paper P abutting on the reference plate 2.例文帳に追加

また、基準板2と当接する記録紙Pの側面とは逆側の記録紙Pの側面に接する位置に設けられる段差1aを備える。 - 特許庁

When the stringing part PS is cut, the cut part PI on the side of the paste P remains on the paste P to be absorbed by the paste P.例文帳に追加

糸引き部PSが切れると、ペーストP側のその切れた部分PIはペーストP上に残り、ペーストPに吸収されていく。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

p側電極は、p型半導体層の発光層とは反対側の第1主面でp型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

A storage space part S for storing the paper P temporarily is provided on the downstream side of a light exposure engine 7 for scanning and exposing the paper P to light on the paper P.例文帳に追加

ペーパーP上に走査露光する露光エンジン7の下流側に、それを一時的に収容(貯留)する収容空間部Sを設ける。 - 特許庁

The electron ray deflector generates first electron rays 21L-2, second electron rays 27 and third electron rays 28 which enter a container P permeably from a side part of the container P and have three different directions each other to the container P.例文帳に追加

電子線24を生成する電子線生成器9と、電子線24を磁気的に偏向する電子線偏向器とから構成されている。 - 特許庁

The conveying device conveys the recording medium P to a recoding means provided to the recording apparatus as a first face of the recording medium P is at the obverse side, and thereafter the recording medium P conveys again to a recoding means as a second face of the recording medium P is at the obverse side.例文帳に追加

記録媒体Pの第一面を表にして記録装置が備える記録手段に記録媒体Pを搬送した後、記録媒体Pの第二面を表にして記録手段に再度搬送する搬送装置である。 - 特許庁

The mass ratio (P)/(P+V) is distributed from a base material film 11 side to a thermal adhesion layer 15 surface side to decrease within a range of P/(P+V)=90-50 mass %.例文帳に追加

質量割合(P)/(P+V)は基材フィルム11側から熱接着層15表面側へ向かって、P/(P+V)=90〜50質量%の範囲内で減少するように傾斜して分布する。 - 特許庁

A pump shaft P5 of the pump P is inclined so as to locate a suction side of the pump P downward from a discharge side to incorporate it into the gate 10.例文帳に追加

ポンプPの吸込側が吐出側よりも下方に位置するようにポンプPのポンプ軸P5を傾斜させてゲート10に組み込む。 - 特許庁

The p-side mirrors of the surface emitting laser employs a first p-side electrode 7A formed of a metal material where holes 10 having a diameter equal to oscillation wavelength or less are periodically provided, and a second p-side electrode 7B around the side directions of the first p-side electrode 7A.例文帳に追加

本発明では、面発光型レーザのp側のミラーとして、発振波長以下の径の孔10が周期的に設けられた金属からなる第1のp側電極7Aと、第1のp側電極7Aの側方を囲む第2のp側電極7Bとを用いる。 - 特許庁

A set P of candidate side-information vectors is also inputted to the encoder.例文帳に追加

また、候補副情報ベクトルの組Pがエンコーダに入力される。 - 特許庁

A p-side electrode 33 is connected to this region of the left end part.例文帳に追加

この左端部の領域にはp側電極33が接続されている。 - 特許庁

A punch 302 punches the paper P pressed to this tray part 304 side.例文帳に追加

ポンチ302は、このトレイ部304側に押圧された用紙Pを穿孔する。 - 特許庁

A cross section of the plasma generating region P is a square of a side 2 to 5 mm.例文帳に追加

プラズマ化領域Pの断面は一辺2〜5mmの正方形とした。 - 特許庁

There is provided a p side electrode 115 conducting to the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層113と導通するp側電極115を設ける。 - 特許庁

The width of a welding layer 22 corresponding to a p-side electrode 61 is made narrower than the width of the p-side electrode 61.例文帳に追加

p側電極61に対応する溶着層22の幅は、p側電極61の幅よりも狭くなっている。 - 特許庁

A reverse bias voltage is applied to the light modulation region 2 by a voltage source 12 through the p-side electrode 8 and the n-side common electrode 7.例文帳に追加

光変調領域2にはp側電極8とn側共通電極とを介して電圧源12によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

The second conductive region 22a is formed along a p-side electrode 34 of another solar cell 10 and is electrically connected to the p-side electrode 34.例文帳に追加

第2導電領域22aは、他の太陽電池10が有するp側電極34に沿って形成され、p側電極34に電気的に接続される。 - 特許庁

The current non-injection area 53 is formed by providing notches 31A and 24A to the p-side electrode 31 and a p-side contact layer 24.例文帳に追加

この電流非注入領域53は、p側電極31およびp側コンタクト層24に切欠部31A,24Aを設けたものである。 - 特許庁

Grinding processing is applied to the polishing surface P side of the foaming sheet 2, and the particulates 4 are formed with an opening hole 5 by opening a hole on the polishing surface P side.例文帳に追加

発泡シート2の研磨面P側に研削処理が施され、微粒子4は研磨面P側で開孔し開孔5が形成されている。 - 特許庁

A press roller 52 for pressing the paper P to the belt 54 is arranged on the rear side of the paper P, i.e., the other side of the carrying path 50a.例文帳に追加

用紙Pの裏面側、すなわち搬送路の他側には、用紙Pを定着ベルト54に押し付けるための加圧ローラ52が設けられている。 - 特許庁

On the upper side of an upstream portion of the uppermost layer of the paper P, a forward feed roller 30 is provided for feeding the paper P to the downstream side.例文帳に追加

用紙Pの最上層の上流部上方には、用紙Pを下流側へと送り出す前送りローラ30が備えられる。 - 特許庁

A range of the swing of the swing shaft (6) does not exceed the outside from the side end of the lower traveling body (2) in the opposite side to the eccentric direction of the swing center (P).例文帳に追加

スイングシャフト(6)の旋回範囲が、旋回中心(P)の偏心方向と反対側の下部走行体(2)の側端部よりも外側に越えない。 - 特許庁

Then a drop removing roller 86 touches the emulsion face side of the sheet P in order to remove drops depositing on the emulsion face side of the sheet P.例文帳に追加

次いで、シートPの乳剤面に付着した液滴を除去するため液滴除去ローラ86がシートPの乳剤面に接触する。 - 特許庁

When pressure in the pressure chamber P escapes onto the primary side and the pressure in the pressure chamber P is reduced, the main valve 14 rises due to the pressure on the primary side.例文帳に追加

圧力室P内の圧が二次側へ逃げ圧力室Pの圧力が小さくなると、一次側圧力により主弁14が上昇する。 - 特許庁

A principal surface of the active layer 6 is substantially perpendicular to a (0001) plane of the p-side semiconductor layer, a current path portion in the p-side semiconductor layer extends along a crystal orientation substantially parallel to the (0001) plane of the p-side semiconductor layer.例文帳に追加

活性層6の主面は、p側半導体層の(0001)面と略垂直であり、p側半導体層における電流通路部は、p側半導体層の(0001)面と略平行な結晶方位に延びる。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第2の保護素子は、nウエルと、nウエル内に設けられたp^+ 拡散領域32とから構成されたpnダイオードであって、nウエルとp型基板との間のpn接合間リーク電流を介して正の電荷をp側基板に逃がす。 - 特許庁

Projectors P 1 to P 3 are arranged on both sides and the lower side of a dome 4 and the control of the projectors P 1 to P 3 and the screens S 1 to S 9 is performed according to the prescribed sequences by a personal computer 3.例文帳に追加

ドーム4の両側および下側にはプロジェクタP1〜P3が配置され、これらプロジェクタP1〜P3およびスクリーンS1〜S9の制御は、パーソナルコンピュータ3により所定のシーケンスに従って行われる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor laser device is equipped with a p-side electrode 10 which is formed in such a way that the electrode 10 contacts to an exposed upper surface of a ridge, and a p-side pad electrode 11 with a large thickness of about 3 μm which is formed on the p-side electrode 10.例文帳に追加

リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたp側電極10と、そのp側電極10上に形成された約3μmの大きな厚みを有するp側パッド電極11とを備える。 - 特許庁

In forming the image on backing paper, that is, paper P having an image already formed on one side (back side) thereof, a back-side toner image Tb to be formed on the back side of the paper P and a front-side toner image Ts to be formed on the front side of the paper P are successively formed on an intermediate transfer belt 20.例文帳に追加

例えば用紙Pの一方の面(裏面)に既に画像が形成されている裏紙に対して画像形成を行う場合、この用紙Pの裏面に形成する裏面トナー像Tbおよび表面に形成する表面トナー像Tsを中間転写ベルト20上に順次形成する。 - 特許庁

Thereafter, the recording material P is carried to a rear-side paper stocker and is accumulated as the rear-side paper.例文帳に追加

その後、裏紙ストッカに記録材Pを搬送して、裏紙として蓄積する。 - 特許庁

A female side housing 20 is fitted to a male side housing 10 mounted on an inside panel P.例文帳に追加

内面パネルPに取り付けられる雄側ハウジング10に対して雌側ハウジング20を組付ける。 - 特許庁

例文

For the cell 3, an aperture diameter on the holding face P side is formed to be smaller than an aperture diameter on the back face S side.例文帳に追加

セル3は、保持面P側の孔径が裏面S側の孔径より小さく形成されている。 - 特許庁

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