two-dimensional quantumとは 意味・読み方・使い方

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

The two-dimensional structure of the light-emitting part is formed by dispersing quantum dots over thermoplastic resin 13, coating the resin on the substrate 12, and thermally transferring the pattern of a mold 20.例文帳に追加

発光部の２次元構造は、熱可塑性樹脂１３に量子ドットを分散させ、基板１２上に塗布し、モールド２０のパターンを熱転写することにより形成する。 - 特許庁

An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加

２次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を１０ｎ秒以上保持し、単一光子の吸収に対して１００万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4.例文帳に追加

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

Inverse regular polygonal cone-type dots 3 formed of semiconductors with lower energy that a carrier senses than the semiconductors constituting a channel layer 1 or V-groove-like quantum thin wires are installed within the range of a distance where the carrier can thermally move from a two-dimensional carrier gas layer 4 at an operation temperature.例文帳に追加

動作温度において二次元キャリアガス層４からキャリアが熱的に移動可能な距離の範囲内にチャネル層１を構成する半導体よりもキャリアの感じるエネルギーの低い半導体からなる逆正多角錐型ドット３或いはＶ溝状量子細線を設ける。 - 特許庁