valence levelとは 意味・読み方・使い方

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed.例文帳に追加

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。 - 特許庁

The second dielectric film 22a is composed of a dielectric material (aluminum oxide, for example), having energy difference from the conduction band or from the valence band of the charge capture level of bulk thereof being greater than the relevant energy difference of silicon nitride.例文帳に追加

第２の誘電体膜２２ａは、そのバルクの電荷捕獲準位の、伝導帯もしくは価電子帯からのエネルギー差が、窒化珪素の当該エネルギー差より大きい誘電体材料（たとえば、酸化アルミニウム）からなる。 - 特許庁

The level of capture center is revealed by measuring the peak of intensity and wavelength of emitting light, because if ion beam 21 is irradiated on sample 15, the light of wavelength accoding to the difference of energy level of valence band and capture center is emitted, when holes excited by ion irradiation move to the capture center.例文帳に追加

試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 - 特許庁

The energy difference between the first quantum level of the positive holes in the InGaAs well layer 32 and the top of the valence band in the InGaAsP barrier layer 33 is about 107 meV, and the energy difference between the first quantum level of the electron in the InGaAs well layer 32 and the bottom of the conduction band of the InGaAlAs barrier layer 33 is about 186 meV.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ井戸層における正孔の第１量子準位とＩｎＧａＡｓＰ障壁層における価電子帯のトップとのエネルギー差は，約１０７ｍｅＶとされ，ＩｎＧａＡｓ井戸層における電子の第１量子準位とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層における伝導帯のボトムとのエネルギー差は，約１８６ｍｅＶとされる。 - 特許庁

The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer.例文帳に追加

このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。 - 特許庁

The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions, so as to have an electronic state where an occupied level exists in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in a valence band.例文帳に追加

被覆膜２０及びホール注入層４は所定の成膜条件で成膜した膜厚２ｎｍ以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12.例文帳に追加

６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２は、その結晶構造（六方晶系と立方晶系）の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜１２より基板１１が高く、価電子帯も薄膜１２より基板１１が高い。 - 特許庁

The second collector layer 103 has an energy level of a conduction band edge lower than that of the base layer 104 and higher than that of the first collector layer 102, and has an energy level of a valence band edge lower than that of the base layer 104, while contacting the first collector layer 102 and the base layer 104.例文帳に追加

第２コレクタ層１０３は、第１コレクタ層１０２およびベース層１０４に接した状態で、ベース層１０４の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、第１コレクタ層１０２の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０４の価電子帯端のエネルギー準位よりも低い価電子帯端のエネルギー準位を有したものとなっている。 - 特許庁