wet etching systemとは 意味・読み方・使い方

To provide a wet etching processing method characterized by the effective processing of any impurities generated by the etching reaction, and an etching system implementing such a method.例文帳に追加

エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること - 特許庁

The wet etching system includes: an exposure means for exposing a copper-containing material having a surface on which a pattern of a positive type photosensitive resist has been formed, to light; and a wet etching means for wet-etching the copper-containing material exposed to light by the exposure means.例文帳に追加

本発明は、ポジ型感光性レジストのパターンが表面に形成された銅含有材料を露光する露光手段と、前記露光手段により露光された銅含有材料をウエットエッチングするウエットエッチング手段とを有することを特徴とするウエットエッチングシステムである。 - 特許庁

The composition for wet etching is called as the PAA system etching liquid hereafter and used for manufacturing an electrode for a CMOS, an MBCFET, and a capacitor.例文帳に追加

ウェットエッチングの組成物は、以後に、ＰＡＡ系のエッチング液と称し、ＣＭＯＳ ＭＢＣＦＥＴ及びキャパシタの電極を製造するのに使われる。 - 特許庁

To provide a high frequency resonator using the crystal substrate of an Euler angle to which a chemical wet etching system is applicable.例文帳に追加

化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。 - 特許庁

To provide an etching treating method by which operability by the safe and secure performance of the regeneration of a cleaned member attached with a deposited film by wet etching treatment can be improved, and further, the maintenability of an etching treating system can remarkably be improved and to provide the system.例文帳に追加

ウエットエッチング処理による堆積膜が付着した洗浄部材の再生を、安全で確実に行うことによる作業性の向上と共に、エッチング処理装置のメンテナンス性を飛躍的に向上させることが可能なエッチング処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The wet etching system comprises a nitrohydrofluoric solution supply 6 ejecting nitrohydrofluoric solution for etching a polysilicon film formed on a substrate, and an NO_2 gas supply 7 for mixing the nitrohydrofluoric solution with NO_2 gas.例文帳に追加

基板上に形成されたポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液を吐出するフッ硝酸溶液供給部６と、フッ硝酸溶液にＮＯ_2ガスを混合するＮＯ_2ガス供給部７とを備える。 - 特許庁

Consequently, the etching amount of the surface of the etching stopper layer exposed in the upper part of a gate groove can be suppressed by reducing impurities such as hydrogen, chlorine, etc., contained in the silicon nitride film, and suppressing the wet etching rate of an HF system to the ≤1/4 of a thermally oxidized film.例文帳に追加

これによって、シリコン窒化膜中の水素・塩素などの不純物を低減し、ＨＦ系のウェットエッチレートを熱酸化膜の１／４以下に抑えることにより、ゲート溝上部に露出したエッチングストッパー膜表面のエッチング量を抑えることができる。 - 特許庁

A wet etching system for selectively forming a pattern on the substrate having the region covered with SAM and controlling an etching profile, includes (a) a fluid etching solution, and (b) additives having higher affinity for the region covered with the SAM than for the other region.例文帳に追加

ＳＡＭで覆われた領域を有する基板を選択的にパターン形成し、エッチング・プロファイルを制御する湿式エッチング・システムは、ａ）液状エッチング溶液と、ｂ）ＳＡＭで覆われた領域に対して他の領域よりも高い親和性を有する添加剤とを含む。 - 特許庁