zinc dopingとは 意味・読み方・使い方

To provide a technology for stably dispersing particles obtained by coating or doping the surface of titanium dioxide or zinc oxide with a silicic anhydride, alumina, iron oxide or zirconia, in an emulsified system.例文帳に追加

無水珪酸、アルミナ、酸化鉄或いはジルコニアなどで二酸化チタンや酸化亜鉛の表面を被覆したり、ドープしたりした粉体を、乳化系に安定に分散せしめる技術を提供する。 - 特許庁

The alkaline electrolytic solution is constituted, by doping aluminum into zinc oxide in a range 0.5 wt% or more and less than 1 wt%, and by containing the zinc oxide doped with the aluminum, in a range 2 wt% or higher and 4 wt% or lower, together with hydroxide of alkaline metal.例文帳に追加

酸化亜鉛にアルミニウムを０．５質量％以上１質量％未満の範囲でドープさせ、そのアルミニウムをドープさせた酸化亜鉛を２質量％以上４質量％以下の範囲でアルカリ金属の水酸化物とともに含有させることによって、アルカリ電解液を構成する。 - 特許庁

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based semiconductor capable of preventing unintended incorporation of impurities, and sufficiently doping p-type impurities even at high temperature; and a method and device for manufacturing the same.例文帳に追加

意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

Making the bismuth and indium present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part can be attained by doping a bismuth compound and an indium compound to an electrolyte.例文帳に追加

上記のようにビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させることは、電解液にビスマス化合物およびインジウム化合物を添加することによって達成できる。 - 特許庁

A substrate with a transparent electrode includes 0.5-10.0 wt.% of either niobium oxide (II), niobium oxide (IV), or niobium oxide (V) as a conductive doping agent in a transparent conductive oxide which includes zinc oxide as a principal component.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物中に導電性ドーピング剤として酸化ニオブ（ＩＩ）、酸化ニオブ（ＩＶ）、酸化ニオブ（Ｖ）のいずれかを０．５〜１０．０ｗｔ％含有する。 - 特許庁

In addition, electron mobility is controlled by adjusting the partial pressure of oxygen on the basis of the pre-grasped relationship between the electron mobility of the zinc oxide film in the predetermined doping quantity of dopant and the partial pressure of oxygen in the film deposition chamber.例文帳に追加

また、予め把握した、ドーパントの所定のドーピング量における酸化亜鉛膜の電子移動度と成膜室の酸素分圧の関係に基づいて、酸素分圧を調整して電子移動度を制御する。 - 特許庁

By doping zinc, variations in the electro-mechanical coupling coefficient (k) and the mechanical quality coefficient Qm due to the support mechanism of the piezoelectric vibrator are reduced, the size is reduced, and mass productivity of the piezoelectric vibrator and the piezoelectric gyro can be improved.例文帳に追加

亜鉛を添加することで、圧電振動子の支持機構による、電気機械結合係数ｋ及び機械的品質係数Ｑｍの変化が減少し、圧電振動子及び圧電振動ジャイロの小型化や量産性の向上が可能となる。 - 特許庁