ボディコンの英語

ボディコンタクト及びゲート電極間は、電気的に絶縁されている。例文帳に追加

The body contact and gate electrode are electrically insulated each other. - 特許庁

ソース用コンタクトホール内及びその周辺部であるソースセルの内部には基板電位をとるためのボディコンタクト領域が設けられずにソースセルの外部においてボディコンタクト領域１４が設けられ、ボディコンタクト領域１４から、ソース電極とは別の電極１５が延設されている。例文帳に追加

In neither the contact hole for a source nor a source cell at its peripheral part, a body contact region to be at the substrate potential is provided, a body contact region 14 is provided outside the source cell, and another electrode 15 is extended from the source electrode. - 特許庁

シリコン基板１４の上面内には、ボディコンタクト領域９が選択的に形成されている。例文帳に追加

Body contact regions 9 are selectively formed in the upper face of the silicon substrate 14. - 特許庁

“ＢＣ”型ボディコンタクトＳＯＩトランジスタ、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a 'BC' type body contact SOI transistor and its manufacture. - 特許庁

トレンチゲート４０を有する横型半導体装置１０は、第１ボディコンタクト領域２１とソース領域２３と第２ボディコンタクト領域２４とドレイン領域２６を備えている。例文帳に追加

The horizontal semiconductor device 10 having a trench gate 40 includes: a first body contact region 21; a source region 23; a second body contact region 24; and a drain region 26. - 特許庁

第１ボディコンタクト領域２１、ソース領域２３、第２ボディコンタクト領域２４、及びドレイン領域２６は、半導体層２０の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。例文帳に追加

The first body contact region 21, the source region 23, the second body contact region 24, and the drain region 26 are arranged in this order along one direction of a surface layer part of a semiconductor layer 20. - 特許庁

ボディコンタクトを有するＳＯＩデバイスにおいて、ボディコンタクトとボディ領域との間に所望の抵抗値を持たせると共に、当該抵抗値のばらつきを抑制する。例文帳に追加

To provide a method for giving a desirable resistance value between a body contact and a body area in an SOI device with the body contact and suppressing resistance value variation. - 特許庁

ボディコンタクト領域とウェル領域とを接続する通路部５ｅ，５ｂにボディコンタクト領域とは逆導電型の不純物が導入されるのを回避することにより、ボディ電位が確実に固定される。例文帳に追加

The body potential is fixed surely, by avoiding the introduction of the impurities of the reverse conductivity to the body contact region into the passage parts 5e and 5b connecting the body contact region with a well region. - 特許庁