「ボディコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

改良されたＳＯＩボディコンタクト構造を有するトランジスタ例文帳に追加

TRANSISTOR HAVING IMPROVED SOI BODY CONTACT STRUCTURE - 特許庁

ＤＭＯＳトランジスタにおけるボディコンタクトを確実にとれるようにする。例文帳に追加

To surely take a body contact in a DMOS transistor. - 特許庁

ボディコンタクト及びゲート電極間は、電気的に絶縁されている。例文帳に追加

The body contact and gate electrode are electrically insulated each other. - 特許庁

ソース用コンタクトホール内及びその周辺部であるソースセルの内部には基板電位をとるためのボディコンタクト領域が設けられずにソースセルの外部においてボディコンタクト領域１４が設けられ、ボディコンタクト領域１４から、ソース電極とは別の電極１５が延設されている。例文帳に追加

In neither the contact hole for a source nor a source cell at its peripheral part, a body contact region to be at the substrate potential is provided, a body contact region 14 is provided outside the source cell, and another electrode 15 is extended from the source electrode. - 特許庁

シリコン基板１４の上面内には、ボディコンタクト領域９が選択的に形成されている。例文帳に追加

Body contact regions 9 are selectively formed in the upper face of the silicon substrate 14. - 特許庁

“ＢＣ”型ボディコンタクトＳＯＩトランジスタ、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a 'BC' type body contact SOI transistor and its manufacture. - 特許庁

トレンチゲート４０を有する横型半導体装置１０は、第１ボディコンタクト領域２１とソース領域２３と第２ボディコンタクト領域２４とドレイン領域２６を備えている。例文帳に追加

The horizontal semiconductor device 10 having a trench gate 40 includes: a first body contact region 21; a source region 23; a second body contact region 24; and a drain region 26. - 特許庁

第１ボディコンタクト領域２１、ソース領域２３、第２ボディコンタクト領域２４、及びドレイン領域２６は、半導体層２０の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。例文帳に追加

The first body contact region 21, the source region 23, the second body contact region 24, and the drain region 26 are arranged in this order along one direction of a surface layer part of a semiconductor layer 20. - 特許庁

ボディコンタクトを有するＳＯＩデバイスにおいて、ボディコンタクトとボディ領域との間に所望の抵抗値を持たせると共に、当該抵抗値のばらつきを抑制する。例文帳に追加

To provide a method for giving a desirable resistance value between a body contact and a body area in an SOI device with the body contact and suppressing resistance value variation. - 特許庁

ボディコンタクト領域とウェル領域とを接続する通路部５ｅ，５ｂにボディコンタクト領域とは逆導電型の不純物が導入されるのを回避することにより、ボディ電位が確実に固定される。例文帳に追加

The body potential is fixed surely, by avoiding the introduction of the impurities of the reverse conductivity to the body contact region into the passage parts 5e and 5b connecting the body contact region with a well region. - 特許庁

また、ボディコンタクト６１の表面にはバリアメタル６１ａが形成されており、ボディコンタクト６１とＳＯＩ層３との間に、バリアメタル６１ａとＳＯＩ層３とが反応したシリサイド７０が形成される。例文帳に追加

In addition, a barrier metal 61a is formed in the surface of the body contact 61, and a silicide 70 is formed between the body contact 61 and SOI layer 3 as the result of reaction of the barrier metal 61a and SOI layer 3. - 特許庁

凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。例文帳に追加

Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20. - 特許庁

Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４が、チャネル形成領域１２内においてチャネル形成領域１２の延設方向に断続的に延設され、ソース電極についてのＮ^＋ソース領域１３との接続を、Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４の延設方向における隣り合うＰ^＋ボディコンタクト領域１４間において行っている。例文帳に追加

P^+ body contact regions 14 are intermittently formed in an extending direction of the channel formation region 12 within the channel formation region 12, and a connection with the n^+-source region 13 for a source electrode is performed between adjacent p^+ body contact regions 14 in an extending direction of the p^+ body contact regions 14. - 特許庁

ソース領域２３とドレイン領域２６は、第２ボディコンタクト領域２４よりも深い位置にまで形成されている。例文帳に追加

The source region 23 and the drain region 26 are formed to positions deeper than the second body contact area 24. - 特許庁

ＳＯＩ半導体構造上のゲート導体１０をセグメントに区切り、ゲート導体セグメントの下にボディコンタクトを形成する。例文帳に追加

A gate conductor on SOI semiconductor structure is partitioned into segments, and the body contact is formed under the gate conductor segment. - 特許庁

さらに、このフローティング半導体領域４０がボディコンタクト領域３４に接して形成されているのが好ましい。例文帳に追加

Moreover, this floating semiconductor region 40 is preferably formed in contact with a body contact region 34. - 特許庁

ゲート導体下にボディコンタクト（基体接点）を有するＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）構造基板を形成する。例文帳に追加

To form an SOI(silicon-on-insulator) structure substrate, having a body contact (a base-body contact) under a gate conductor. - 特許庁

ボディコンタクト領域２１とボディ領域とは、部分トレンチ分離絶縁膜８下のＳＯＩ層（ウエル領域）を介して電気的に繋がる。例文帳に追加

The body contact region 21 and the body region are electrically connected via an SOI layer (well region) below the partial trench separation insulating film 8. - 特許庁

よって、ボディコンタクト領域２１ａ、２１ｂの面積を大きくすることができ、ラッチアップを防止することができる。例文帳に追加

As a result, the area of body contact regions 21a, 21b can be made large, and consequently the latch-up can be prevented. - 特許庁

さらに、ダイオードと抵抗の接続点と、ボディコンタクト領域６とを接続することによって、より高いＥＳＤ耐性を得ることができる。例文帳に追加

Further, connecting the connection point of the diode and the resistor to a body contact region 6 can provide a further high ESD resistance property. - 特許庁

このボディコンタクトは、壁面被覆膜３７を介してゲート電極２７と接続されていると同時に、高濃度ボディ領域と接続されている。例文帳に追加

The body contact is contacted with a gate electrode 27 through a wall covering film 37 and is contacted with the high-concentration body area too. - 特許庁

これにより、別途の設計変更無しに一般的な半導体素子などのようなボディコンタクトの形成が可能になる。例文帳に追加

Thus, a body contact such as a general semiconductor device can be formed without a separate design change. - 特許庁

半導体装置１０は、ドレイン領域３２と、ボディ領域３８と、ボディコンタクト領域３７と、ソース領域３６を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 is equipped with a drain region 32, a body region 38, a body contact region 37, and a source region 36. - 特許庁

ＴＦＴ内にゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域とを区別するボディコンタクト領域ができる。例文帳に追加

A body contact region is formed for separating, a gate electrode, a source region and a drain region in the TFT. - 特許庁

より大きな最大許容電圧を少ない面積で実現する為に、ボディコンタクト領域をソース領域で挟んだ構成とする。例文帳に追加

A body contact region is sandwiched between source regions in order to achieve a larger maximum allowable voltage with small area. - 特許庁

これにより、ボディコンタクト領域２４は本体部２２ａに接触し、ゲート絶縁膜１４の中央部分１４ｃから離隔している。例文帳に追加

Thus, the body contact region 24 is in contact with the body part 22a, and is isolated from the center part 14c of a gate insulating film 14. - 特許庁

ボディ電圧の変動をふらつかせず、より一定に保つことができるボディコンタクト領域付き部分空乏型SOI-MOSFETの設計方法を提供する。例文帳に追加

To provide the design method of a partially depleted type SOI- MOSFET with a body contact area capable of keeping a body voltage more fixedly without fluctuations. - 特許庁

ｐ型ベース層５の表面層には、ｐ^+型ボディコンタクト領域６とｎ^+型ソース領域７が互いに離れて設けられている。例文帳に追加

A p^+-type body contact region 6 and an n^+-type source region 7 are formed separately on a surface layer of the p-type base layer 5. - 特許庁

ボディコンタクト領域９とチャネル形成領域４ｐとは、ＰＴＩ３１によって互いに分離されている。例文帳に追加

The body contact regions 9 and channel forming region 4p are mutually separated by PTI 31. - 特許庁

ボディコンタクト構造を採らなくても、パスゲートリークの発生を防止できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing the generation of a path gate leak even if a body contact structure is not employed, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

また、ソース領域８を厚さ方向に貫通して、Ｐ型のボディコンタクト領域９が形成されている。例文帳に追加

A P type body contact region 9 is formed to penetrate the source region 8 in the thickness direction. - 特許庁

第２種類の部分領域６４は、第２ボディ領域３５と、第２ボディコンタクト領域３４と、第２種類側蓄積領域５４を有している。例文帳に追加

The second kind partial region 64 has a second body region 35, a second body contact region 34, and a second kind side accumulating region 54. - 特許庁

ソース領域１５の一部をボディコンタクト領域１４に突出させたソース変形領域１５ａを設ける。例文帳に追加

Source deformed regions 15a formed by protruding a source region 15 partially toward a body contact region 14 are provided. - 特許庁

大きな最大許容電圧を少ない面積で実現する為に、ボディコンタクト領域１３０をソース領域で挟んだ構成とする。例文帳に追加

A body contact region 130 is sandwiched by source regions for realizing maximum allowance voltage with a small area. - 特許庁

第１種類の部分領域６２は、第１ボディ領域３２と、エミッタ領域３６と、第１ボディコンタクト領域３８を有している。例文帳に追加

The first kind partial region 62 has a first body region 32, an emitter region 36, and a first body contact region 38. - 特許庁

部分分離領域の外部近傍で、しかもゲート電極の延長上に位置する領域にボディコンタクト領域１５５ａを設ける。例文帳に追加

A body contact region 155a is provided in a region, located near the outside of the partial isolation region and on the extension line of the gate electrode. - 特許庁

また、表面がコンタクトトレンチ１１の底面１３の一部を提供するようにボディコンタクト領域１０を形成する。例文帳に追加

Further, a body contact region 10 is formed such that the surface provides a portion of a bottom surface 13 of the contact trench 11. - 特許庁

これにより、ボディコンタクト領域９とチャネル形成領域４ｐとは、チャネルストッパ層３０を介して互いに電気的に接続されている。例文帳に追加

Thus, the body contact region 9 and the channel forming region 4p are connected electrically mutually via the channel stopper layer 30. - 特許庁

ボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧をＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さく設定してある。例文帳に追加

Breakdown strength of the body contact diode region 13 is set lower than that of the MOSFET region 14. - 特許庁

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３と、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４とを有する。例文帳に追加

A body contact diode region 13 constituting a diode structure where the body contact region 12 and the n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, and an MOSFET region 14 where MOSFET structure is formed are also provided. - 特許庁

Ｌ型ゲート２５の第２部分２４Ｂ２を挟んで第１部分２４Ｂ１２とは反対側のフィールド領域２０Ｂにボディコンタクト領域３０が設けられ、ソース領域２８Ａとボディコンタクト領域３０との表面に低抵抗層２９が形成されている。例文帳に追加

The body-contacting region 30 is provided in the field region 20B on the side of the second portion 24B2 of the L-shaped gate 25 opposite to the first portion 24B12, and a low-resistance layer 29 is formed on the surfaces of the source region 28A and body-contacting region 30. - 特許庁

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧を、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さくしてある。例文帳に追加

The break down voltage of a body contact diode region 13, in which a body contact region 12 and n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, is smaller than that of a MOSFET region 14 forming a MOSFET structure. - 特許庁

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。例文帳に追加

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9. - 特許庁

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。例文帳に追加

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches. - 特許庁

そして、エッチングにより、ゲート電極８およびボディコンタクト領域１０それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール１３およびソースコンタクトホール１５を同時に形成する。例文帳に追加

A gate contact hole 13 and a source contact hole 15 used to contact with the gate electrode 8 and the body contact region 10 are simultaneously formed by etching, respectively. - 特許庁