「ボディコン」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ボディコンタクト領域中のド—パンとソース領域中およびドレイン領域の異なった不純物とを通じて、ボディトリガバイアスがＴＦＴ本体に提供される。例文帳に追加

A body trigger bias is provided to the TFT body through a dopant in the body contact region and a different impurity in the source region and the drain region. - 特許庁

ボディコンタクト領域１２を、ｐ^+形ウェル領域５が平面形状においてｎ^++形ドレイン領域４側へ凸となる形で湾曲した部分にのみ選択的に形成してある。例文帳に追加

A body contact region 12 is formed selectively at such a part as the p+-type well region 5 projects, in plan view, to the n++-type drain region 4. - 特許庁

高速な書込み動作および消去動作を比較的低電圧で行うことができ、かつボディコンタクトなしで書き換えを行うことができて回路面積を小さくすることができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device can execute high-speed writing operation and erasing operation at a relatively low voltage, execute rewriting without using a body contact, and reduce a circuit area. - 特許庁

ＳＯＩ−ＤＴＭＯＳＦＥＴにおいて、シリコン層内にゲート−ボディコンタクト領域を形成することに伴うエリアペナルティの発生を回避あるいは抑制し得る半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device which can prevent or suppress generation of an area penalty due to formation of a gate body contact region inside a silicon layer in an SOI-DTMOSFET. - 特許庁

電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS. - 特許庁

ソース電極１２は、ｐ^+型ボディコンタクト領域６およびｎ^+型ソース領域７の上に、層間絶縁膜１１によってゲート電極１０と離れて設けられている。例文帳に追加

A source electrode 12 is arranged on the p^+-type body contact region 6 and the n^+-type source region 7 separatedly from the gate electrode 10 by an interlayer insulation film 11. - 特許庁

そして、トレンチ５は、平面視において、列方向Ｙに整列するボディコンタクト領域９がなす列に対して、列方向と直交する行方向Ｘにおける両側に設けられている。例文帳に追加

The trenches 5 are provided on both sides of the row direction X which intersects the column direction Y, i.e. the arranging direction, of the body contact regions 9 perpendicularly in the plan view. - 特許庁

エピタキシャル層３の表層部には、互いに隣り合うトレンチ６間において、Ｎ^+型のソース領域９、およびソース領域９の中央部を層厚方向に貫通するボディコンタクト領域１０が形成されている。例文帳に追加

At the surface layer part of the epitaxial layer 3, an N^+ type source region 9 and a body contact region 10 which penetrates the center part of the N^+ type source region 9 along the layer thickness are formed between mutually adjacent trenches 6. - 特許庁

また、短辺方向から見て、ボディコンタクト領域２４の形状はＬ字状であり、延出部２４ｂはボディ領域２２の延出部２２ｂの直下域に進入している。例文帳に追加

Also, in the view from the short side direction, the shape of the body contact region 24 is an L shape, and an extension part 24b advances to the region right below the extension part 22b of the body region 22. - 特許庁

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。例文帳に追加

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor. - 特許庁

ボディコンタクトを設けることにより、ゲートの下のボディ領域から蓄積されたチャージを迅速に除去することができ、安定で効率的なＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴを実現することができる。例文帳に追加

Charges stored from a body region under a gate can be removed rapidly by shaping the body contact, and a stable efficient SOI MOSFET can be realized. - 特許庁

ＳＴＩ領域５に囲まれた領域６乃至８には、夫々ＮＭＯＳトランジスタ９、ボディコンタクト１０及びＮＭＯＳトランジスタ１１を形成する。例文帳に追加

In regions 6-8 surrounded by the STI region 5, an NMOS transistor 9, a body contact 10 and an NMOS transistor 11 are respectively formed. - 特許庁

ＳＯＩ活性領域は部分分離領域下の半導体領域を通して、外部のボディコンタクトと電気的に接続され、フローティングボディ効果を除去できる。例文帳に追加

The SOI active region is electrically connected to the external body contact through a semiconductor region under the partially isolated region and is capable of eliminating the floating body effects. - 特許庁

チャネル領域内に高濃度ボディ領域３９を形成し、この高濃度ボディ領域上に、層間絶縁膜３３及びゲート電極部２９を貫通するボディコンタクト４１を形成する。例文帳に追加

A high-concentration body area 39 is formed in a channel area, and a body contact 41 passing through an inter-layer insulating film 33 and a gate electrode portion 29 is formed on the high-concentration body area. - 特許庁

このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。例文帳に追加

This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a. - 特許庁

ボディコンタクトを備えていないＳＯＩデバイスのボディ—ソース間若しくはボディ—ドレイン間の容量を正確に求める方法およびこれを実現するための評価用ＴＥＧを提供する。例文帳に追加

To provide a method for precisely acquiring a body-source or body-drain capacitance of an SOI device which does not have a body contact and to provide evaluation TEG for realizing the method. - 特許庁

ＳＯＩ層３におけるコンタクト６１との接続部分（即ち、素子分離絶縁膜４１の下）に、不純物濃度の高いＰ^+領域を形成せずに、ＳＯＩ層３とボディコンタクト６１とをショットキー接合させる。例文帳に追加

This method forms a Schottky junction between an SOI layer 3 and a body contact 61 in a joint area (namely, below an element separation insulating film 41) for a contact 61 in the SOI layer 3 without forming a P^+ area with a high impurity concentration. - 特許庁

各トレンチ５は、列方向Ｙに延び、隣り合うトレンチ５間およびボディコンタクト領域９との間にそれぞれ一定間隔Ｄが生じるように、複数の弧状部１１を連結した蛇行状をなしている。例文帳に追加

Each trench 5 extends in the column direction Y and a plurality of arcuate parts 11 are connected to meander such that a fixed clearance D is provided between adjoining trenches 5 and between the trench 5 and the body contact region 9. - 特許庁

ボディコンタクトを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート容量を低減し、トランジスタの速度性能劣化を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a body contact and in which gate capacity is reduced, and the deterioration of the speed performance of a transistor can be suppressed, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

セルシュリンクによるソース領域とコンタクトプラグとの接触面積の縮小を防止するとともに、ソース領域およびボディコンタクト領域に対するコンタクトプラグのバッティングコンタクトを確実に達成する。例文帳に追加

To prevent the contact area between a source region and a contact plug from being reduced by cell shrink, and to reliably achieve the batting contact of the contact plug to the source region and a body contact region. - 特許庁

半導体装置１００のＰ^+ ボディコンタクト領域１２は，Ｎ^+ ソース領域１１とＮ^- ドリフト領域１４との間に位置し，チャネルの幅方向に一定間隔で配置される。例文帳に追加

A p^+ body contact area 12 of the semiconductor device 100 is located between an n^+ source area 11 and an n^- drift area 14, and is arranged at a constant spacing in the widthwise direction of channel. - 特許庁

ウェル形ボディコンタクトをもつSOI素子にLIC(Local Interconnect)の適用時に惹起されるLICとウェルとの間の短絡誘発を防止できるSOI素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an SOI element capable of preventing a short circuit between an LIC (Local Interconnect) and a well to be brought about at the time of applying to an LIC to the SOI element having a well type body contact, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。例文帳に追加

Thus it is possible to reduce a substrate-floating effect even if the gate electrode is microstructured, because the body-contact region is provided to draw excess carriers generated in the channel region through the body-contact region. - 特許庁

ボディ領域４０は、前記の断面視した状態で、少なくともソース領域２０とボディコンタクト領域３０が配置されている範囲における半導体基板２の浅層に形成されている。例文帳に追加

As viewed in the cross-section, a body region 40 is formed in a shallow layer of the semiconductor substrate 2 within a range where at least the source region 20 and the body contact region 30 are arranged. - 特許庁

ボディ拡散層４のうちの少なくともボディコンタクト層１２の下方の所定の部分の不純物濃度を、第２導電型に維持しながらボディ拡散層４の他の部分よりも低くする工程（ｆ）を更に備える。例文帳に追加

The manufacturing method further includes a step (f) of making the body diffusion layer 4 lower in impurity density at least at a predetermined portion below the body contact layer 12 than at any other portion while maintaining the second conductivity type. - 特許庁

つまり，Ｐ^- ボディ領域１３には，チャネルの幅方向に，チャネルが形成される領域（チャネル領域）と，Ｐ^+ ボディコンタクト領域１２とが交互に配置される。例文帳に追加

Namely, an area (channel area) where a channel is formed and the p^+ body contact area 12 are alternately arranged in the widthwise direction of channel in a p^- body area 13. - 特許庁

閾値電圧の制御をある回路ブロック毎に行うためにトランジスタ毎にボディコンタクトを設けなければならずレイアウト面積の拡大につながる。例文帳に追加

To solve a problem such that a layout area is increased since a body contact needs to be provided for each transistor to control a threshold voltage for each circuit block. - 特許庁

そして、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０の形成後、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１を積層する。例文帳に追加

Then, a body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed, and an interlayer dielectric 11 is stacked on the epitaxial layer 3. - 特許庁

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果及び短チャネル効果を抑制する。例文帳に追加

To suppress the parasite bipolar effect and short channel effect in a transistor that uses a semiconductor substrate having an SOI substrate, an SOS substrate, and other insulating layer without increasing the area of an element region by the use of a body contact. - 特許庁

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side. - 特許庁

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ゲートと電気的に絶縁されたボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果を抑制する。例文帳に追加

To inhibit a parasitic bipolar effect without increasing an area of an element region by using a body contact electrically insulated from a gate, in a transistor which uses an SOI substrate, an SOS substrate, or a semiconductor substrate having other insulating layer. - 特許庁

ボディコンタクトダイオード領域１３におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離がＭＯＳＦＥＴ領域１４におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離よりも短く設定してある。例文帳に追加

The drift distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the body contact diode region 13 is set shorter than the distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the MOSFET region 14. - 特許庁

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。例文帳に追加

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode. - 特許庁

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。例文帳に追加

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it. - 特許庁

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10. - 特許庁

チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第1ゲート−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域の併設部分−第２ゲート−ソース・ドレイン領域からなるトランジスタの構成を提供する。例文帳に追加

There is provided a constitution of the transistor consisting of: a drain region and source regions, and a first gate and a body contact region; and a part where first conductivity type second regions are provided side by side, that are a second gate, and source regions and a drain region. - 特許庁

保冷用トラック１のボディ（コンテナ）３を、金属製の外壁部（ハウジング）３１と、この外壁部３１の内面全体に設けられた断熱材３２と、この断熱材３２の内面全体にわたって設けられた内張材３３とから構成する。例文帳に追加

A body 3 (container) of a cold insulating truck 1 comprises a metallic outer wall 31 (housing), a heat insulating material 32 mounted on the whole inner surface of the outer wall 31 and the inner lining 33 mounted on the whole inner surface of the heat insulating material 32. - 特許庁

高濃度領域３４は、ボディコンタクト領域３６と共にキャリアの移動を容易に行なわせてボディ領域３２内に生じる抵抗分布を緩和し、素子に形成される寄生ＮＰＮトランジスタの作動を抑制すると共に高破壊耐量を確保する。例文帳に追加

The high concentration region 34 easily moves carriers together with a body contact region 36 to mitigate a resistance distribution generated in the body region 32, an operation of a parasitic NPN transistor formed in an element is restricted, and also a high breakdown strength is ensured. - 特許庁

パワーＭＯＳ１００は、半導体基板２内に、ｎ型のソース領域１４と、ｐ型のボディ領域８と、ｐ型のボディコンタクト領域１０と、ｎ型のドリフト領域６と、ｎ型のドレイン領域４を備えており、縦型の低耐圧用デバイスである。例文帳に追加

This power MOS 100 is a vertical device for low breakdown voltage use, and is provided with an n-type source region 14, a p-type body region 8, a p-type body contact region 10, an n-type drift region 6 and an n-type drain region 4 inside a semiconductor substrate 2. - 特許庁

保冷用トラック１のボディ（コンテナ）３を、金属製の外壁部（ハウジング）３１と、この外壁部３１の内面全体に設けられた断熱材３２と、この断熱材３２の内面全体にわたって設けられた内張材３３とから構成する。例文帳に追加

A body (a container) 3 of a refrigerating truck 1 in a transportation container is constituted by a metallic outer wall (housing) 31; a thermal insulation material 32 arranged at an entire inner surface of the outer wall 31; and an inner layered material 33 arranged over an entire inner surface of the thermal insulation material 32. - 特許庁

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。例文帳に追加

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14. - 特許庁

ヘテロ構造によるバンド不連続による不具合を解消することができ、多数キャリアをボディコンタクト電極に速やかに逃がすことができ、基板浮遊効果を抑制しボディ電位の制御性を改善した素子動作の安定した半導体装置を実現する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device capable of ensuring stable element operation which can eliminate a failure by the non-continuation of a band based on a hetero structure, can quickly escape a majority carrier to a body contact electrode, and can improve the controllability of body potential by the suppression of a substrate floating effect. - 特許庁

素子分離絶縁膜４に取り囲まれた半導体層３領域には、ｐ型のチャネル領域６と、チャネル領域６に接続されたｐ型のボディ引き出し領域７と、ボディ引き出し領域７に接続されたｐ型の高濃度ボディコンタクト領域８とが形成されている。例文帳に追加

A p channel region 6, a p body lead electrode 7 connected to the channel region 6, and a p high-concentration body contact region 8 connected to the body lead region 7 are made in the region of a semiconductor layer 3 surrounded by an element isolating insulating film 4. - 特許庁

ソース領域側にゲート部分を突出させずに、ソース領域とボディコンタクト領域とを配線を用いずに接続できるゲート形状を有するトランジスタを含む半導体装置及び半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device containing a transistor having a gate form that can connect source and body-contacting regions to each other without using any wiring nor projecting its gate portion to the source region side, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device. - 特許庁

送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。例文帳に追加

The transmission side series switch is connected between the transmission port and the common port, the transmission side shunt switch is connected between the transmission port and a ground, the reception side series switch is connected between the reception port and the common port, and each switch is a body contact type FET. - 特許庁