拡張欠陥の英語

［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。例文帳に追加

The threading dislocation 3 having a dislocation line in the [0001] c-axis direction is vertical to the direction of the dislocation line of the basal plane dislocation, so that the threading dislocation 3 can not be an extension dislocation in C-plane, and stacking dislocation is not generated. - 特許庁

この方法を利用して、液晶パネルで表示する画素の第1グレードのグレースケールを拡張することができ、従来技術で使用するフレームレート制御方法による表示不良の欠陥を克服した。例文帳に追加

By making use of this method, the first grade gray scale of the pixel which is displayed in the liquid crystal panel can be expanded and the display defects by the frame rate control method used in the conventional technology has been eliminated. - 特許庁

このようして製造された化合物半導体にあっては、結晶に圧縮歪みを与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張歪を緩和することができるので、格子欠陥の少ない結晶性に優れた良好な化合物半導体となる。例文帳に追加

In the compound semiconductor manufactured like this, a compressive strain is imposed on a crystal and an expansive strain, in the crystal, caused from a void of nitrogen can be relaxed, therefore, the manufactured compound semiconductor is a proper compound semiconductor superior in a crystallinity of less lattice defect. - 特許庁

拡張または割り当てられるスペア領域内にあるブロックの欠陥状態情報を管理することで、以後ドライブシステムの不要な動作をなくして、ドライブシステムの向上を図り得る情報記録媒体、記録／再生装置、及び記録／再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide an information recording medium, a recording/reproducing apparatus, and a recording/reproducing method which realize elimination of unnecessary operations of a drive system thereafter to realize improvement in the drive system by controlling defect status information of blocks within an enlarged or allocated spare area. - 特許庁

このような化合物半導体により形成される結晶に圧縮歪みを与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張歪を緩和することができるので、格子欠陥の少ない結晶性に優れた良好なＮ型化合物半導体が得られる。例文帳に追加

By applying compressive strain to the crystal of such a compound semiconductor, an expansion strain in the crystal caused by nitrogen holes can be reduced, thus obtaining a good N type compound semiconductor which has fewer lattice defects and a superior crystallinity. - 特許庁

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。例文帳に追加

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device. - 特許庁

本発明は、何等かの原因によりマイコンのセレクトポートのピンが基板から外れる等して重大な欠陥が生じた場合であっても、各仕様の内の最多の拡張機能が付加された拡張仕様に切換え設定するようにして、各仕様で制御する電子機器を確実に動作させることができるマイコンの仕向設定方法およびマイコンの仕向設定システムを提供するものである。例文帳に追加

To provide a method and system for setting the destination of a microcomputer by which electronic equipment to be controlled by various specification is surely operated by switching and setting extended specifications added with the most extended functions among the various specifications even when any significant defect is generated since the pin of the select port of the microcomputer comes off a substrate due to any factor. - 特許庁

画素キャパシタの充電時間を制御することにより画素階調の拡張を実現し、表示可能な色の数量を大幅に増加するとともに、人の目の残留と視覚惰性の特性を利用する時に視覚で格子状の縞を形成する可能性のある欠陥を克服することを目的とする。例文帳に追加

To realize the expansion of a pixel gradation by controlling the charging time of a pixel capacitor, to massively increase the quantity of colors which can be displayed and to eliminate defects which can form lattice like stripe pattern in a vision when making use of human eye residual and vision inertia property. - 特許庁