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Weblio専門用語対訳辞書での「相成長変化」の英訳

相成長変化

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「相成長変化」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 43



例文

選択的に成長された変化層を備える変化メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH SELECTIVELY GROWN PHASE CHANGE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

厚さ方向に不純物濃度が連続的に変化した薄膜や、不純物濃度が大きく変化した薄膜を容易に気成長させることができる気成長装置および薄膜の気成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method, for thin films such that a thin film continuously varying in impurity concentration along the thickness and a thin film greatly varying in impurity concentration along the thickness are easily formed by vapor phase growth. - 特許庁

光学監視により成長薄膜スタックの反射係数の時間的位変化を抽出する。例文帳に追加

A temporal phase change of a reflection coefficient of a growth thin-film stack is extracted through optical monitoring. - 特許庁

データ生成部105は、ライン上のドットの成長方向を示し、成長方向が所定のライン数ごとに変化するパターンを示す位データを生成する。例文帳に追加

A phase data generating section 105 generates phase data representing a pattern which indicates a growing direction of a dot on the line and in which the growing direction changes for every predetermined number of lines. - 特許庁

したがって、変化素子5の温度が下降する途中で最適な結晶成長温度範囲Tmを通るので、変化素子5を結晶状態にすることができる。例文帳に追加

Consequently, the temperature of the phase-change element 5 passes through the optimal crystal growth temperature range Tm in process of lowering, so that the phase-change element 5 can be changed into the crystal state. - 特許庁

変化素子の最適な結晶成長温度範囲にばらつきがある場合でも、セット動作時に変化素子を結晶状態にすることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein a phase-change element can be changed into a crystal state in set operation even when the optimal crystal growth temperature range of the phase-change element varies. - 特許庁

例文

成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気成長装置及び気成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase epitaxial growth device and a vapor phase epitaxial growth method capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate, when the flow rate of a raw material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth. - 特許庁

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「相成長変化」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 43



例文

成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気成長装置及び気成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase epitaxial growth device having a straightening plate capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate with high reproducibility even when the flow rate of a material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth, and to provide a vapor phase epitaxial growth method. - 特許庁

そして、中温菌によるスライムが成長する前に、ドレンパン21を含むドレン経路の温度を第1温度に変化させることにより、中温菌によるスライムが成長しない段階で、低温菌に菌変化させる。例文帳に追加

By changing the temperature of the drain passage including the drain pan 21 to the first temperature before the slime by the medium-temperature is grown, the bacterium phase is changed to that of the low-temperature bacteria at a stage without growing the slime by the medium-temperature bacteria. - 特許庁

成長率の同時低下は、世界経済が連動していることを、一方の新興国の対的に高い成長率は、世界経済が、先進国のみが主導する成長から、新興国も含めた多極的な成長へと変化しつつあることを示唆している。例文帳に追加

The concurrent decline in growth rates suggests co movement between countries in the world, and the relatively high growth rates of emerging countries suggest transition of the world economy from economic growth driven exclusively by developed countries to multi polar economic growth driven by countries includes emerging countries. - 経済産業省

本発明によるプログラミング方法および書込みドライバ回路は、変化物質の結晶化動作時に変化物質が核形成段階を経て結晶成長段階を経るようにすることによって結晶化動作の速度を向上させる。例文帳に追加

The programming method and the writing driver circuit increases the speed of a crystalizing growth of the phase shift material by passing the nucleus formation stage and the crystalizing growth stage at the crystalizing operation. - 特許庁

経時変化に伴う劣化が少ない膜を気化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming device that forms a film having less deterioration associated with aging at a high speed by vapor phase growth, and to provide a film forming method. - 特許庁

原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気成長させることにより、複数層を積層させる。例文帳に追加

The plurality of layers are laminated by performing vapor phase growth while varying at least one of the kind, ratio, and flow rate of a material gas constituting a source gas. - 特許庁

流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase growth device forming a high-quality laminate structure with a plurality of types of thin films laminated therein by accurately controlling temporal change of a flow rate. - 特許庁

例文

これに伴い、レーザー溶接部と貴金属チップ又は電極母材との境界付近における熱膨張率の変化対的に小さくなり、クラックの発生・成長を抑制できる。例文帳に追加

Accordingly, a change in coefficient of thermal expansion becomes relatively small near a boundary between the laser weld part and a precious metal chip or an electrode parent material, and therefore the occurrence and growth of cracks can be suppressed. - 特許庁

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「相成長変化」の英訳に関連した単語・英語表現

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