「"くどうのうりょく"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

駆動能力に優れたＰＭＯＳトランジスタを実現する。例文帳に追加

To provide a PMOS transistor having superior driving capability. - 特許庁

負荷駆動能力可変型増幅回路例文帳に追加

LOAD DRIVE CAPABILITY VARIABLE VERSION AMPLIFIER CIRCUIT - 特許庁

パワートランジスタの電流駆動能力を高める。例文帳に追加

To enhance a current-driving efficiency of a power transistor. - 特許庁

駆動能力調節回路及びデータ出力回路例文帳に追加

CIRCUIT FOR ADJUSTING DRIVING CAPABILITY AND CIRCUIT FOR DATA OUTPUT - 特許庁

駆動能力を向上させた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device improved in drive capability. - 特許庁

ＰＭＯＳ１３の駆動能力はＰＭＯＳ１１の駆動能力よりも大きく、ＮＭＯＳ１４の駆動能力はＮＭＯＳ１２の駆動能力より大きい。例文帳に追加

The drive capability of the PMOS 13 is higher than the drive capability of the PMOS 11, and the drive capability of the NMOS 14 is higher than the drive capability of the NMOS 12. - 特許庁

ＤＡＣ２５から出力される階調電圧を増幅する出力アンプ２６の駆動能力を駆動能力設定回路２７において設定する。例文帳に追加

Driving capability of an output amplifier 26 which amplifies a gradation voltage output from a DAC 25 is set by a driving capability setting circuit 27. - 特許庁

駆動能力制御回路５０は、電圧モニタ回路７０から出力される信号に応じて、出力バッファ６０の駆動能力を制御する。例文帳に追加

The driving capability control circuit 50 controls the driving capability of the output buffer 60 according to a signal to be outputted from the voltage monitor circuit 70. - 特許庁

駆動能力に関する複数の設定の中から所望の駆動能力を選択可能な半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device can select desired drive capability from a plurality of settings related to the drive capability. - 特許庁

駆動用トランジスタＴｒ２の電流駆動能力をスイッチング用トランジスタＴｒ１の電流駆動能力よりも低くする。例文帳に追加

The current driving capability of the driving transistor Tr2 is made lower than that of the switching transistor Tr1. - 特許庁

出力回路の初段に設けられた増幅器の駆動能力に影響されることなく駆動能力、周波数特性の向上を図る。例文帳に追加

To achieve improvement in drive capability and frequency characteristics without being affected by the drive capability of an amplifier provided in a first stage of an output circuit. - 特許庁

ホストに従ってデータ駆動能力を調節することができるメモリカード及びメモリカードのデータ駆動能力調節方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory card and a method of adjusting data driving ability of the memory card which can adjust data driving ability according to a host. - 特許庁

バッファ１０では、前段のインバータ１１の電流駆動能力が、後段のインバータ１２の電流駆動能力よりも大きく設定される。例文帳に追加

In the buffer 10, current driving capability of the invertor 11 in a pre-stage is set to be larger than that of the inverter 12 in a post-stage. - 特許庁

駆動能力の切換え可能な回路に対する駆動能力の毎回リセットによる不都合を抑制する。例文帳に追加

To suppress inconvenience by an every-time reset of driving ability to a circuit allowing a changeover of the driving ability. - 特許庁

製造段階で出力回路の電流駆動能力を試験し、出力回路を最適な電流駆動能力に設定する。例文帳に追加

To conduct the test of the current driving capability of an output circuit in a manufacture stage and to set the output circuit to optimum current driving capability. - 特許庁

第１及び第３のスイッチ回路の電流駆動能力は異なり、第２及び第４のスイッチ回路の電流駆動能力は異なる。例文帳に追加

The current driving capacity of the first and third switch circuits is different, and the current driving capacity of the second and fourth switch circuits is different. - 特許庁

第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。例文帳に追加

The pre-buffer PBF is set to have a lower drive capacity in the first mode than that in the second mode. - 特許庁

トレンチを有する半導体装置の駆動能力を向上させる。例文帳に追加

To improve the driving capability of a semiconductor device with a trench. - 特許庁

データ入出力回路３は、データ出力の駆動能力を抑制する。例文帳に追加

The data input/output circuit 3 controls driving capability of data output. - 特許庁

トレンチ構造を利用した横型高駆動能力半導体装置例文帳に追加

LATERAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH DRIVING CAPACITY USING TRENCH STRUCTURE - 特許庁

半導体装置及び半導体装置の駆動能力制御方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE AND DRIVE CAPABILITY CONTROL METHOD THEREOF - 特許庁

その結果、半導体装置の駆動能力の向上が図れる。例文帳に追加

Thereby, the driving capability of the semiconductor device can be improved. - 特許庁

半導体装置の駆動能力の向上を図ることを課題の一とする。例文帳に追加

To improve the driving capability of a semiconductor device. - 特許庁

このため、半導体装置のオン抵抗が低下し、駆動能力が高まる。例文帳に追加

For this reason, an on resistance of the semiconductor device is lowered and the drive capability is enhanced. - 特許庁

このため、半導体装置１のオン抵抗が低下し、駆動能力が高まる。例文帳に追加

Consequently, a semiconductor device 1 decreases ON resistance to have enhanced driving capability. - 特許庁

回路規模の小さなドライバ回路で駆動能力の調整を可能とする。例文帳に追加

To provide a driver circuit with a small circuit scale capable of adjusting the drive capability. - 特許庁

このため、半導体装置のオン抵抗が低下し、駆動能力が高まる。例文帳に追加

Thereby, on-resistance of the semiconductor device is reduced, and drive capability thereof is improved. - 特許庁

Ｐチャネル電界効果トランジスタＰ１の駆動能力は、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ２の駆動能力より大きく、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ１の駆動能力はＰチャネル電界効果トランジスタＰ２の駆動能力より大きく設定される。例文帳に追加

The drive capability of the P-channel field effect transistor P1 is set higher than the drive capability of the N-channel field effect transistor N2, and the drive capability of the N-channel field effect transistor N1 is set higher than the drive capability of the P-channel field effect transistor P2. - 特許庁

低消費電力で、駆動能力が高い駆動回路等を提供する。例文帳に追加

To provide a driving circuit and the like which are low in power consumption and has a high driving capability. - 特許庁

Ｐチャネル型ＤＭＯＳトランジスタの駆動能力を向上させる。例文帳に追加

To improve the drive power of a P-channel DMOS transistor. - 特許庁

出力バッファの駆動能力を正確且つ容易に調整すること例文帳に追加

To accurately and easily adjust the driving capability of an output buffer. - 特許庁

ドライバ１１は、比較器ＣＯＭＰ１の出力の駆動能力を高める。例文帳に追加

A driver 11 raises the driving capacity of the output of the comparator COMP1. - 特許庁

この結果、半導体装置のオン抵抗が低下し、駆動能力が高まる。例文帳に追加

Consequently, ON resistance of the semiconductor device decreases to improve the driving capability. - 特許庁

駆動能力の増大を必要とせずに画素の駆動期間を短縮する。例文帳に追加

To shorten a driving period of a pixel without requiring enhancement of a driving capability. - 特許庁

メモリ部の駆動能力に起因して発生する点欠陥を低減する。例文帳に追加

To reduce point defects caused by the driving capacity of a memory part. - 特許庁

領域１駆動能力レジスタ１０３および領域２駆動能力レジスタ１０５は、それぞれ領域１および領域２に対応したアクセスが発生したときの出力バッファの駆動能力を設定する。例文帳に追加

A register 103 for driving the functions of the region 1 and a register 105 for driving function of the region 2 set driving functions of output buffers, when the accesses corresponding to the region 1, 2 respectively occur. - 特許庁

駆動回路の駆動能力が１Ａであり、負荷に必要な駆動能力が１Ａより大きく２Ａ以下である場合、２つの駆動回路Ｄ１およびＤ２に同時に接続することで必要な駆動能力を得る。例文帳に追加

When the driving capacity of the driving circuit is 1A and a driving capacity necessary for the load is larger than 1A and smaller than 2A, the necessary driving capacity is obtained by simultaneously connecting the load to the two driving circuits D1, D2. - 特許庁

上側アームの各トランジスタＴ１，Ｔ２の駆動能力を１とすると、トランジスタＴ３Ａ，Ｔ４Ａの駆動能力は１／３とし、トランジスタＴ３Ｂ，Ｔ４Ｂの駆動能力は２／３とする。例文帳に追加

Letting the driving capability of the individual transistors T1 and T2 of the upper arm be 1, the driving capability of the transistors T3A and T4A is set to 1/3, and that of the transistors T3B and T4B is set to 2/3. - 特許庁

本発明の発振回路１２は、発振インバータ１３の駆動能力を大小切替可能に構成し、発振開始時には発振インバータ１３の駆動能力を大きくしておき、発振安定時には発振インバータ１３の駆動能力を小さくするように切り替える構成とした。例文帳に追加

This oscillation circuit 12 is constituted so that it can switch the drive capacity of an oscillation inverter 13 into large one or small one, thus the drive capacity of the oscillation inverter 13 is set large at start of oscillation, and at stability of oscillation, the drive capacity of the oscillation inverter 13 is switched to be small. - 特許庁

第１クロック出力回路は、第１昇圧電圧が目標電圧より低いときに第１駆動能力で各第１クロックを出力し、第１昇圧電圧が目標電圧より高いときに第１駆動能力より弱い第２駆動能力で各第１クロックを出力する。例文帳に追加

Each of the first clock output circuits outputs each of the first clocks at a first driving ability, when the first boosting voltage is lower than a target voltage, and at a second driving ability lower than the first driving ability, when the first boosting voltage is higher than the target voltage. - 特許庁

制御回路３ａは、データ信号Ａと、駆動能力制御信号Ｂ１，Ｂ２と、駆動能力選択信号ＤＳとに応じて、駆動能力が異なるプルアップ側のトランジスタとプルダウン側のトランジスタとを相補的にオンさせる信号を生成する第１制御回路４０を備える。例文帳に追加

A control circuit 3a includes a first control circuit 40 which generates a signal for complementarily turning on the transistors on the pull-up side and the transistors on the pull-down side with the different driving capabilities according to a data signal A, driving capability control signals B1, B2 and a driving capability selection signal DS. - 特許庁

半導体装置は、入力される制御信号に応じて半導体装置の駆動能力を調整する駆動能力調整部と、半導体装置の検査によって得られた、駆動能力の実測値の設計値に対する誤差を示す誤差情報を記憶する記憶部と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a drive capability adjustment part for adjusting the drive capability of the semiconductor device according to an inputted control signal, and a storage for storing error information for indicating an error in the measured value of the drive capability obtained by the inspection of the semiconductor device to a design value. - 特許庁

プログラム回路は、第１電流駆動能力を有し、第１プログラム動作を行う第１プログラム回路と、第１電流駆動能力より大きな第２電流駆動能力を有し、第１プログラム動作の後に第２プログラム動作を行う第２プログラム回路と、を備える。例文帳に追加

A program circuit includes a first program circuit having first current drive capacity and conducting a first program operation, and a second program circuit having second current drive capacity larger than the first current drive capacity and conducting a second program operation after the first program operation. - 特許庁

駆動回路２ａは、駆動能力が同一のトランジスタＴＰ１，ＴＮ１を含む第１駆動部Ｅ１と、駆動能力が同一のトランジスタＴＰ２，ＴＮ２を含む第２駆動部Ｅ２と、駆動能力が同一のトランジスタＴＰ３，ＴＮ３を含む第３駆動部Ｅ３を備える。例文帳に追加

A driving circuit 2a includes: a first drive unit E1 including transistors TP1, TN1 with the same driving capability; a second drive unit E2 including transistors TP2, TN2 with the same driving capability; and a third drive unit E3 including transistors TP3, TN3 with the same driving capability. - 特許庁

ホリゾンタル型バイポーラトランジスタの電流駆動能力に加え、バーチカル型バイポーラトランジスタの電流駆動能力も加わるため、半導体基板の薄膜化の要求下にあっても高い電流駆動能力を有することができる。例文帳に追加

Since the current drive capability of the vertical type bipolar transistor is added as well in addition to the current drive capability of the horizontal type bipolar transistor, high current drive capability is provided even under the demand of thinning a semiconductor substrate. - 特許庁