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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "内抵抗"に関連した英語例文

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"内抵抗"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 21



例文

ガラス溶融炉内抵抗測定器例文帳に追加

RESISTANCE MEASURING INSTRUMENT IN GLASS MELTING FURNACE - 特許庁

内抵抗体を備えた陰極線管において、高圧品質の優れた陰極線管を得る。例文帳に追加

To obtain a cathode-ray tube with an inner tube resistor excellent in a high-voltage quality. - 特許庁

シールドカップ12のパネル側端又はその近傍にて、管内抵抗体17とシールドカップ12とが溶接箇所19で接続される。例文帳に追加

The resistor 17 and the shield cup 12 are connected at a welding point 19 at a panel side end of the shield cup 12 or in the vicinity thereof. - 特許庁

シールドカップ12のパネルとは反対側端に凹部を設け、凹部に管内抵抗体17の一端を挿入する。例文帳に追加

A concave portion is disposed at a side end opposed to a panel of a shield cup 12 and one end of a inner tube resistor 17 is inserted into the concave portion. - 特許庁

例文

環境変動可逆性、ロット内抵抗ばらつきの制御に優れた導電性部材及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive member which is excellent in reversibility of environmental variation and control of inter-lot resistance variation and to provide its manufacturing method. - 特許庁


例文

内抵抗が均一なFZ法(フローティングゾーン法)によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer having uniform in-plane resistance by an FZ (floating zone) method. - 特許庁

伝熱管の管内抵抗を低く抑え、システム効率を高め、伝熱管のホルダーの形状を簡素化し、製造コストの低減化を図る。例文帳に追加

To reduce the inside resistance of a heat transfer pipe, to improve system efficiency, to simplify the shape of a holder of the heat transfer pipe, and to reduce the manufacturing cost. - 特許庁

使用耐久性があり、半導体ウェーハの成膜後の面内抵抗バラツキを改善できる横型ウェーハ用ボートを提供する。例文帳に追加

To provide a boat for a lateral wafer which is durably used and can reduce an in-surface resistance variation after the semiconductor wafer is film-formed. - 特許庁

製品の重要な特性である結晶の面内抵抗率分布が均一なFZ法シリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by using an FZ method, the crystal having uniform resistivity distribution in a crystal plane as the important characteristic of the product. - 特許庁

例文

その場合、書込層2bの面内抵抗を比較的高く、導電層2cの面内抵抗を書込層2よりも低く設定することで、像の書込が高精度に行われるとともに、静電潜像の電位調整がより高精度に行われる。例文帳に追加

When the in-plane resistance of a write layer 2b is set relatively high and the in-plane resistance of a conductive layer 2c is set lower than that of write layer 2b, the image is written with high accuracy and the potential of the electrostatic latent image is regulated with high accuracy. - 特許庁

例文

酸化物電極を多孔質化することで、色素の吸着量を増やし、電荷移動体の移動の際の膜内抵抗を減らし、太陽電池の変換効率を上げる。例文帳に追加

The oxide electrode is porosified to increase an adsorption amount of dye and decrease resistance in a membrane when a charge transfer substance is in motion, thereby enhancing the conversion efficiency of a solar battery. - 特許庁

N型半導体ウェハの面内抵抗率の測定を安定させ、この測定による信頼性を向上させることができるN型半導体ウェハの抵抗率測定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of measuring the resistivity of an n type semiconductor wafer, capable of stabilizing the measurement of the in-plane resistivity of the n type semiconductor wafer and improving reliability by the measurement. - 特許庁

4台のテレビカメラを用いて絞り工程の自動化を可能にすると共に、ゾーン長の制御性を良好にし、面内抵抗率分布の安定化を図った半導体棒浮遊溶融帯域制御方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a control method for semiconductor rod floating melt zone, enabling drawing process to be automated using four television cameras, making the controllability of zone length favorable, and intended to stabilize in-plane resistivity distribution. - 特許庁

内抵抗率の均一性の高い半導体ウェーハの製造方法及び耐圧ばらつきの小さい半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor wafer having high uniformity of in-plane resistance rate, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device having small irregularity of breakdown voltage. - 特許庁

電子写真方式の画像形成装置において、記録媒体の面内抵抗ムラによらず、記録媒体上に形成される画像の濃度ムラを低減する。例文帳に追加

To reduce density unevenness in an image formed on a recording medium in an electrophotographic image forming apparatus regardless of in-plane resistance irregularity of the recording medium. - 特許庁

フラットなフロントパネルを採用可能にするとともに、機内抵抗の上昇を抑制して省エネ性を良好にした薄型化可能な空気調和機を提供すること。例文帳に追加

To provide an air conditioner which enables employment of a flat front panel, has improved energy saving performance owing to the control of a rise in the internal resistance and allows thickness reduction. - 特許庁

ガラス溶融炉の金属スラッジの発生の有無及び堆積量等を正確かつ容易に把握できる新規なガラス溶融炉内抵抗測定器の提供。例文帳に追加

To provide a new resistance measuring instrument in a glass melting furnace capable of correctly and easily grasping presence/absence of generation and deposition quantity or the like of metal sludge in the glass melting furnace. - 特許庁

ジルコニア系固体電解質の製造法において、アルミナをスカベンジャーに用いる方法では、粒界の抵抗は低減するが、同時に僅かにアルミナがZrO_2 粒に固溶するため、粒内抵抗が増加し、全体の導電率はあまり向上せず、未だ実用化には至っていない。例文帳に追加

To solve the problem in the production of zirconia solid electrolyte that alumina can be used as a scavenger to reduce the resistance on the grain boundaries but increase the resistance in the grains, because a slight amount of alumina simultaneously dissolves into the ZrO2 grains, whereby the overall conductivity is not so increased and the solid electrolyte is practically unusable. - 特許庁

電極合剤中の電気導電性が確保され、高温環境使用時での電池内抵抗の増加を低減でき、重負荷放電特性に優れる非水電解質二次電池用電極及び非水電解質二次電池を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrode for a non-aqueous electrolyte secondary battery capable of securing electrical conductivity in the electrode mix, capable of restricting an increase of resistance inside the battery when using in the high-temperature surroundings, and having excellent heavy load discharge characteristic, and to provide a non-aqueous electrolyte secondary battery using the same. - 特許庁

作業台40上に設けられたブーム操作レバー45及びアクセルスイッチ47を操作すると、信号出力回路60が、リレーRL1,RL2を作動させて4つの抵抗器R1,R2,R3,R4の接続状態を切り換え、回路内抵抗値の値を変化させる。例文帳に追加

When a boom operation lever 45 and an accelerator switch 47 located on a working stand 40 are operated, a signal output circuit 60 activates relays RL1 and RL2 to switch the connected state of four resistors R1, R2, R3, and R4 so as to vary the values of resistance values in the circuit. - 特許庁

例文

特に150mm以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面での抵抗率のバラツキを低減することが可能なFZ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a semiconductor single crystal by an FZ method where the degradation of a crystal shape is suppressed, resistivity distribution in a plane in a diameter direction is controlled and particularly the variation of the resistivity in the plane is reduced even if the semiconductor single crystal has a specially large diameter of 150 mm or more and to provide an apparatus for producing the semiconductor single crystal capable of performing the producing method. - 特許庁

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