「"吸収過程"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

多光子吸収過程を利用した成膜が可能であり、また成膜後の膜質が良好な光気相化学成長法及び光気相化学成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a photo-induced CVD method and a photo-induced CVD apparatus capable of performing the film deposition utilizing a multiphoton absorption process, and having an excellent film quality after the film deposition. - 特許庁

構造が簡単でエネルギ吸収時のウエビング引出量を規制でき、エネルギ吸収過程でフォースリミッタ荷重が減少するウエビング巻取装置を得る。例文帳に追加

To provide a webbing take-up motion capable of regulating webbing drawing quantity at the time of absorbing energy as well as simple in structure and to reduce a force limiter load in an energy absorbing process. - 特許庁

吸収した油分を吸収材内部に保持でき、吸収過程で固まり状態（ダマ）にならない吸収材、油吸収材および油火災用消火材の提供。例文帳に追加

To provide an absorbing material, an oil absorbing material and a fire extinguishing agent for an oil fire which can retain absorbed oil content in the absorbing material and which do not become solidified states (lump) in an absorbing process. - 特許庁

本発明の光記録媒体は、光重合開始剤および光重合性化合物を含有する記録層を具備することを特徴とする光記録媒体において、多光子吸収過程を経て発光する色素を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The optical recording medium has a recording layer containing a photopolymerization initiator and a photopolymerizable compound, and further contains a dye that emits light through a multiphoton absorption process. - 特許庁

レーザビームの短時間の照射により半導体ウェーハの所定の深さ位置のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分を形成し、ゲッタリングシンクとして活用する半導体ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer manufacturing method that forms a modified part by generating a multiphoton absorption process only at a prescribed depth position of a semiconductor wafer by laser beam irradiation in a short period of time so as to utilize the modified part as a gettering sink. - 特許庁

多層記録媒体中の記録材料に多光子吸収過程により記録を行う記録再生装置において、記録光の干渉パターンを生じさせることにより、前記多層記録媒体中の記録マークに微細構造を導入した構成となっている。例文帳に追加

The recording and reproducing device performs recording by a multiphoton absorption process to a recording material in a multilayer recording medium, wherein the interference pattern of recording light is generated and consequently a fine structure is introduced to a recording mark in the multilayer recording medium. - 特許庁

多光子吸収材料と、異方性を持つプラズモン増強場により、前記多光子吸収材料の多光子吸収過程を増強する増感効果を有する微粒子とを含む光記録媒体に情報を記録する光記録媒体の記録方法であって、前記微粒子のうちの一部を変形させて当該微粒子の増感効果を失活させる失活工程を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In the method of recording information on the optical recording medium which includes a multi-photon absorption material and fine particles which have an sensitizing effect of enhancing a multi-photon absorption process of the multi-photon absorption material by a plasmon-enhanced field having anisotropy, the method is provided with a deactivating process, deactivating the sensitizing effect of a part of the fine particles by deforming the part of the fine particles. - 特許庁

本発明は、記録・再生の際のシーク及び記録面の位置決めの容易な２つの異なる波長の光束を用いる２光子吸収過程を用いた２光子吸収記録方法、２光子吸収記録再生方法、２光子吸収記録装置及び２光子吸収記録再生装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and a device for two-photon absorptive recording, and a method and a device for two-photon absorptive recording/reproducing, using a two-photon absorptive process using the two luminous fluxes of different wavelengths in which seeking and recording surface positioning are easy during recording/reproducing. - 特許庁

半導体ウェーハの両面のいずれか一方の面から、該半導体ウェーハの所定深さ位置に、焦点位置を合わせてレーザビームを照射し、前記所定深さ位置にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分としゲッタリングシンクを形成する。例文帳に追加

A laser beam is irradiated from either of both sides of a semiconductor wafer to a prescribed depth position of the semiconductor wafer by aligning a focal position with the prescribed depth position of the semiconductor wafer so as to generate a multiphoton absorption process only in a specific part, located at the prescribed depth position, of the semiconductor wafer, thereby forming a gettering sink by making the specific part as a modified part. - 特許庁