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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "1 - 0"に関連した英語例文

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"1 - 0"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 261



例文

Equivalent to ioperm(0x3b4, 0x3df-0x3b4+1, 0). 例文帳に追加

これは ioperm(0x3b4, 0x3df-0x3b4+1, 0) と等価である。 - JM

Here, Hex 1>0 and Hex 2>0.例文帳に追加

ただし、Hex1>0,Hex2>0。 - 特許庁

swap 1 0 The number of swap pages that have been brought in and out. 例文帳に追加

swap 1 0スワップイン/スワップアウトされたページ数。 - JM

Here, the following formulas are satisfied: 0<x<1, 0<y≤1, 0<i,j.例文帳に追加

ここで、0<x<1、0<y≦1、0<i,jである。 - 特許庁

例文

In the formula 1, 0<a<1, w+x+y+z=1, 0≤w≤1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, and A is a metallic element.例文帳に追加

前記式中、0<a<1、w+x+y+z=1、0≦w≦1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、Aは金属元素である。 - 特許庁


例文

Only two symbols are needed: 0 and 1 例文帳に追加

0と1の二つの記号だけあればよい - コンピューター用語辞典

Returns a random number between 0 and 1. 例文帳に追加

0 から 1 の間の乱数を与えます。 - JM

If x is +1, +0 is returned. 例文帳に追加

xが +1 の場合、+0 が返される。 - JM

Here, 0<a<1, 0<x<1, 0<y, 0<z and y+z≤1.例文帳に追加

ここに、0<a<1、0<x<1、0<y、0<z、y+z≦1とする。 - 特許庁

例文

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域12には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1)で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

例文

byte d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0 1 1 0 0 dxs dys lb mb rb 2 0 dx6 dx5 dx4 dx3 dx2 dx1 dx0 3 0 dy6 dy5 dy4 dy3 dy2 dy1 dy0 FILES 例文帳に追加

center;r c c c c c c c c.byte d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d01 1 0 0 dxs dys lb mb rb2 0 dx6 dx5 dx4 dx3 dx2 dx1 dx03 0 dy6 dy5 dy4 dy3 dy2 dy1 dy0ファイル - JM

Vote result: 5 (+1), 0 (-1), 3 (+0) The current list allows a great number of licenses which vary greatly. 例文帳に追加

投票結果: 5 (+1), 0 (-1), 3 (+0) 現在の一覧には膨大な数のライセンスがあげられています。 - PEAR

To realize a PR4 (1, 0, -1) equalizer providing a precise tap coefficient even where an S/N ratio is low.例文帳に追加

S/N比が低いところでも、精度の良いタップ係数値を得ることができるPR4 (1, 0, -1)等化器を実現する。 - 特許庁

A limiter 402 calculates limiter compensation torque Tm*_2 by restriction to Tm*_1=0 when the Tm*_1is a negative value.例文帳に追加

リミッタ402は、Tm*_1が負値である場合Tm*_1=0に制限して、リミット補償トルクTm*_2を算出する。 - 特許庁

The magnesium fluoride is preferably MgF_2-x(OH)_x (x=1-0).例文帳に追加

好ましくは、フッ素化マグネシウムがMgF_2-x(OH)_x(x=1〜0)とする。 - 特許庁

Formula 1: 0 <(PWS/P^2) <5.0×10^-4 mm^-I .例文帳に追加

式1 0<(PWS/P^2)<5.0×10^−4mm^−1 - 特許庁

However, (σtcmax/k_0)-1 < 0 is not added.例文帳に追加

但し、(σtcmax/k_0)−1<0は、加算しない。 - 特許庁

However, (σtcmax/k_0)-1<0 is not added.例文帳に追加

但し、(σtcmax/k_0)−1<0は、加算しない。 - 特許庁

The pixel 1, 0 is a pixel used for adjusting a focus.例文帳に追加

画素(1,0)は焦点調整用の画素である。 - 特許庁

The process of the demodulator 2 assigns the first to sixth phases as the senary signals (Bi, Ti) to (0, 0), (0, 1), (0, 2), (1, 2), (1, 1) and (1, 0) respectively.例文帳に追加

復調装置2の処理においては、第1から第6位相を6値信号(Bi,Ti)としてそれぞれ(0,0),(0,1),(0,2),(1,2),(1,1),(1,0)に割当てる。 - 特許庁

The modulator 1 assigns six-valued signals (b_i, t_i), i.e. (0, 0), (0, 1), (0, 2), (1, 2), (1, 1) and (1, 0), respectively, to first through six phases.例文帳に追加

変調装置1では6値信号(b_i ,t_i )である(0,0),(0,1),(0,2),(1,2),(1,1),(1,0)をそれぞれ第1から第6位相に割り当てる。 - 特許庁

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal.例文帳に追加

バッファ層は、例えばIn_mAl_nGa_1−m−nAs(0≦m<1、0<n≦1、0<n+m≦1)のエピタキシャル結晶からなる。 - 特許庁

Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1).例文帳に追加

ガイド層15,17はInGaNからなり、クラッド層14,18は、Al_xIn_yGa_1−x−yN(0<x<1,0<y<1,0<x+y<1)からなる。 - 特許庁

The intermediate data generation part 100 in particular converts values {n-1, n-2, ..., 1, 0} of an n-bit linear counter to {n-1, n-3, ..., 3, 1, n-2, 2-4, ..., 2, 0} to obtain read addresses.例文帳に追加

特に中間データ生成部100は、nビットのリニアカウンタの値{n-1, n-2,・・・, 1, 0}を{n-1, n-3,・・・, 3, 1, n-2, n-4, ・・・, 2, 0}へと変換して読出アドレスとする。 - 特許庁

There is provided an active material for a battery, containing monoclinic composite oxide represented by Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ (0≤x≤5, 0≤y≤1, 0≤z≤2 and 0≤δ≤0.3).例文帳に追加

Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ(0≦x≦5、0≦y≦1、0≦z≦2、0≦δ≦0.3)で表される単斜晶型複合酸化物を含む電池用活物質が提供される。 - 特許庁

In the processing of the demodulator 2, first through sixth phases are assigned as the six-valued signals (b_i, t_i), respectively, to (0, 0), (0, 1), (0, 2), (1, 2), (1, 1) and (1, 0).例文帳に追加

復調装置2の処理においては、第1から第6位相を6値信号(b_i ,t_i )としてそれぞれ(0,0),(0,1),(0,2),(1,2),(1,1),(1,0)に割り当てる。 - 特許庁

If the last arg evaluates to 0, let returns 1; 0 is returned otherwise. 例文帳に追加

最後のargを評価した結果が 0 であれば、letは 1 を返します。 - JM

Bi4-xLaxTi3O12...(1) In the formula (1), 0<x≤2.例文帳に追加

Bi_4—_xLa_xTi_3O_12 …(1) 前記一般式(1)中、0<x≦2である。 - 特許庁

To a composition of (Ba,Sr)TiO3, materials such as Ca1-x-yBaxSryTi1-zCrzO3-δNp are included, where 0<x<1, 0<y<1, 0≤z≤0.01, 0≤δ≤1, 0≤p≤1.例文帳に追加

(Ba,Sr)TiO3の組成物には、Ca1−x−yBaxSryTi1−zCrzO3−δNpのような材料が包含され、ここで0<x<1、0<y<1、0≦z≦0.01、0≦δ≦1、0≦p≦1である。 - 特許庁

The compositions of the (Ba, Sr)TiO_3 include the materials such as Ca_1-x-yBa_xSr_yTi_1-zCr_zO_3-δN_p, wherein 0<x<1; 0<y<1; 0≤z≤0.01; 0≤δ≤1; 0≤p≤1.例文帳に追加

(Ba,Sr)TiO_3の組成物には、Ca_1−x−yBa_xSr_yTi_1−zCr_zO_3−δN_pのような材料が包含され、ここで0<x<1、0<y<1、0≦z≦0.01、0≦δ≦1、0≦p≦1である。 - 特許庁

The clathrate compound is substantially represented by composition formula of Ba_8(Ga_x, Sn_y, Sb_z)_46 (x+y+z=1, 0<x<1, 0<y<1, 0<z<1).例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、実質的に組成式Ba_8(Ga_x、Sn_y、Sb_z)_46 (x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0<z<1)で表されることを特徴とする。 - 特許庁

The layer 12 is formed on the oblique surface 11b, and made of a crystal of a nitride represented by the formula InxGayAlzN (wherein x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体層12は、斜面11b上に形成されており、かつ式In_xGa_yAl_zN(式中、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物の結晶からなる。 - 特許庁

This thermistor composition is represented by Mn2-a-b-cZnaNibFec+dCo1-dO4, where 0.1≤a<1, 0≤b<1, 0<c<1, 0≤d<1 and 0.1<a+b<1.例文帳に追加

Mn_2-a-b-cZn_aNi_bFe_c+dCo_1-dO_4で表される組成物であって、0.1≦a<1、0≦b<1、0<c<1、0≦d<1、0.1<a+b<1であることを特徴とするサーミスタ組成物に関する。 - 特許庁

In a shift register 32 which operates in synchronization with a reference clock signal CLK480, after 8 periods of the signal CLK480 while a suspend signal SUSPENDM is changed from 1 to 0, the output SUSPR[0]-[7] of each flip-flop 34-48 is changed from 1 to 0, the output SUSR from an OR circuit 50 is changed from 1 to 0.例文帳に追加

基準クロック信号CLK480に同期して動作するシフトレジスタ32は、サスペンド信号SUSPENDMが1→0に変化して信号CLK480の8周期後に各フリップフロップ34〜48の出力SUSPR[0]〜[7]が1→0に変化し、OR回路50からの出力SUSRが1→0に変化する。 - 特許庁

Note that each stacked instance of a register has its own array associated with it. Thus 1 0:a 0Sa 2 0:a La 0;ap will print 1, because the 2 was stored in an instance of 0:a that was later popped. 例文帳に追加

配列から選ばれた値は、その後でスタックに積まれます。 - JM

The command +4n 例文帳に追加

これによりルート (root) は既知のデバイスリストへ活線挿抜 (hotplugged)デバイスを加えることができる。 echo 'scsi add-single-device 1 0 5 0' > /proc/scsi/scsi - JM

Return value returnsNumber of messages on Mbox (starting on 1, 0 if no message exists). 例文帳に追加

返り値 Mbox のメッセージ数を返します (1 から始まります。 メッセージが存在しない場合は 0 となります)。 - PEAR

A first dichroic cube includes a first coating with a normal vector of (1, 0, 1).例文帳に追加

第1ダイクロイック・キューブは法線ベクトル(1,0,1)を有する第1コーティングを含む。 - 特許庁

A third dichroic cube includes a third coating with a normal vector of (1, 0, 1).例文帳に追加

第3ダイクロイック・キューブは法線ベクトル(1,0,1)を有する第3コーティングを含む。 - 特許庁

A second dichroic cube includes a second coating with a normal vector of (1, 1, 0).例文帳に追加

第2ダイクロイック・キューブは法線ベクトル(1,1,0)を有する第2コーティングを含む。 - 特許庁

(0, 1) and (1, 0) are the storage state and the rising state, and (1, 1) is an intermediate state or abnormal.例文帳に追加

(0,1)と(1,0)は格納状態及び起立状態であり、(1,1)は中間状態又は異常である。 - 特許庁

The water depth D is categorized into three types: (1) 0<D≤d1, (2) d1<D≤d2, and (3) d2<D.例文帳に追加

水深Dは、▲1▼0<D≦d1、▲2▼d1<D≦d2、▲3▼d2<Dの3通りに分ける。 - 特許庁

Alternatively, the polycrystalline film has a composition of Si_(1-x-y)Ge_xC_y(0<x<1, 0<y<1).例文帳に追加

あるいは、多結晶膜がSi_(1-x-y)Ge_xC_y(0<x<1、0<y<1)の組成を有している。 - 特許庁

Also, second input sides of these AND and OR are connected to '1', '0' respectively.例文帳に追加

また、これらのANDとORの第2の入力側は、それぞれ“1”,“0”に接続される。 - 特許庁

The active layer 16 is formed of In_xGa_yAl_1-(x+y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1).例文帳に追加

活性層16は、In_xGa_yAl_1−(x+y)N(0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)から構成されている。 - 特許庁

For example, in the case of setting the ringer signal number to 10, the caller operates keys in the order of '#', '1', '0', '#'.例文帳に追加

例えば呼び出し信号数を10回に設定する場合、”#”、”1”、”0”、”#”の順で操作する。 - 特許庁

In general formula (1) A is at least one alkaline earth metal element selected from among calcium, strontium and barium, and a, b, c, d and x satisfy the expressions: 0<a≤1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0≤d<1, 0≤c+d<1, and 0≤x<1.例文帳に追加

(A_1-aEu_a)_1-x(Mg_1-bMn_b)_2Al_6-2x(Si_1-(c+d)Zr_cGe_d)_9+2xO_30 … (1) (ただし、上記一般式(1)中、Aはカルシウム、ストロンチウム及びバリウムの中から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、a、b、c、d及びxはそれぞれ0<a≦1、0≦b<1、0≦c<1、0≦d<1、0≦c+d<1、0≦x<1である。) - 特許庁

A random number generation part 102 generates a three-valued random number taking -1, 0 or 1.例文帳に追加

乱数生成部102は、−1、0又は1をとる3値の乱数を生成する。 - 特許庁

byte d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0 1 1 0 0 0 0 lb mb rb 2 0 dxa6 dxa5 dxa4 dxa3 dxa2 dxa1 dxa0 3 0 dya6 dya5 dya4 dya3 dya2 dya1 dya0 4 0 dxb6 dxb5 dxb4 dxb3 dxb2 dxb1 dxb0 5 0 dyb6 dyb5 dyb4 dyb3 dyb2 dyb1 dyb0 Bytes 4 and 5 describe the change that occurred since bytes 2 and 3 were transmitted. 例文帳に追加

center;r c c c c c c c c.byte d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d01 1 0 0 0 0 lb mb rb2 0 dxa6 dxa5 dxa4 dxa3 dxa2 dxa1 dxa03 0 dya6 dya5 dya4 dya3 dya2 dya1 dya04 0 dxb6 dxb5 dxb4 dxb3 dxb2 dxb1 dxb05 0 dyb6 dyb5 dyb4 dyb3 dyb2 dyb1 dyb0第 4,5 バイトには、第 2,3 バイトが送られたあと生じた変更が記述される。 - JM

例文

The default values used to fill in any missing data are (1900, 1, 1, 0, 0, 0, 0, 1, -1) .Support for the %Z directive is based on the values contained in tzname and whether daylight is true.例文帳に追加

欠落したデータはデフォルトの値で埋められ、その値は (1900, 1, 1, 0, 0, 0, 0, 1, -1) です。 %Z 指示語へのサポートは tzname に収められている値とdaylight が真かどうかで決められます。 - Python

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