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「あいばし」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > あいばしに関連した英語例文

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あいばしの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49950



例文

バレエの場合は保護者が化粧する場合が多いため、専門家が化粧する場合より、仕上がりにばらつきが見られる場合が多い。例文帳に追加

In the case of the ballet, since parents or guardians help the performers wear makeup, the final conditions are often more uneven than when experts help them wear makeup.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

4.証明書を紛失した場合例文帳に追加

and 4. the certificate has been lost. - 厚生労働省

III族窒化物半導体素子及び窒化ガリウムエピタキシャル基板例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

結晶製造装置、III族窒化物結晶および半導体デバイス例文帳に追加

CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS, GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

例文

炭化シリコン基板上のIII族窒化物エピタキシャル層例文帳に追加

GROUP III NITRIDE EPITAXIAL LAYER ON SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁


例文

炭化シリコン基板上のIII族窒化物エピタキシャル層の提供。例文帳に追加

To provide a group III nitride epitaxial layer on a silicon carbide substrate. - 特許庁

III族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板例文帳に追加

FORMATION METHOD OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL, LAMINATION, AND EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物エピタキシャル基板及びその使用方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND UTILIZING METHOD THEREOF - 特許庁

結晶性の良いIII族窒化物を格子整合基板上に成長させる。例文帳に追加

To grow group III nitride of good crystallinity on a lattice matching substrate. - 特許庁

例文

III族窒化物結晶基板の製造方法、それに用いるエッチング液、III族窒化物結晶基板、ならびにそれを用いた半導体素子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND ETCHANT USED FOR THE SAME AND, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

例文

参照は長さが固定される場合もあれば、長さが可変である場合もある。例文帳に追加

The references may be fixed in length or variable in length. - 特許庁

III族窒化物モノリシックパワーICの構造及びその製造方法例文帳に追加

STRUCTURE OF GROUP III NITRIDE MONOLITHIC POWER IC AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III族窒化物ベースのデバイスのためのシリコンカーボンゲルマニウム(SiCGe)基板例文帳に追加

SILICON CARBON GERMANIUM (SiCGe) SUBSTRATE FOR GROUP III NITRIDE-BASED DEVICE - 特許庁

(2) 裁判所が訴訟を他の裁判所に移送した場合は,例文帳に追加

(2) Where a court transfers proceedings to another court:  - 特許庁

大型商品の場合、配送量が変わる場合がございます。メールで書く場合 例文帳に追加

Different delivery charges may be applied to large items.  - Weblio Email例文集

他の場合はいざ知らずこの場合だけはそうだ例文帳に追加

Setting other cases apart, it is so in this case.  - 斎藤和英大辞典

移動率(特に歩く場合か走る場合)例文帳に追加

the rate of moving (especially walking or running)  - 日本語WordNet

二 前号に規定する場合以外の場合 すべての株主例文帳に追加

(c) in cases other than those prescribed in the preceding item: all shareholders.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

演奏者のあいだでは単に竹とも呼ばれる。例文帳に追加

Amongst players, the shakuhachi is sometimes referred to simply as "bamboo" ("ta-ke").  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

甲賀市コミュニティバス(あいくるバス土山本線)例文帳に追加

Koka City community bus (Aikuru Bus, Tsuchiyama line)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

御神体が有る場合と無い場合がある。例文帳に追加

Some Funadama have goshintai (object of worship) while others don't.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例えば、本発明の例示的な化合物は、式(II)である。例文帳に追加

For example, a representative compound is formula (II). - 特許庁

ドライバIC入力端のEMI除去回路例文帳に追加

CIRCUIT FOR REMOVING EMI IN DRIVER IC INPUT TERMINAL - 特許庁

SOI基板の熱処理方法およびSOI基板例文帳に追加

SOI SUBSTRATE AND THERMAL TREATMENT METHOD THEREFOR - 特許庁

二前号に規定する場合以外の場合すべての株主例文帳に追加

(ii) In cases other than the case prescribed in the preceding item ―All shareholders  - 経済産業省

ポリシングスラリー、III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

POLISHING SLURRY, SURFACE TREATMENT METHOD OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

該酸化反応に用いられる触媒としては酸化バナジウム(V)、塩化鉄(II)、塩化鉄(III)、臭化鉄(III)、酸化鉄(II)、酸化鉄(III)、鉄、塩化銅(I)、塩化銅(II)、酸化銅(I)、酸化銅(II)、銅が好ましいものとして挙げられる。例文帳に追加

Preferred catalyst which are used as the catalysts in the oxidation reaction include vanadium (V) oxide, iron (II) chloride, iron (III) chloride, iron (III) bromide, iron (II) oxide, iron (III) oxide, iron, copper (I) chloride, copper (II) chloride, copper (I) oxide, copper (II) chloride, and copper. - 特許庁

III族窒化物半導体の製造方法,III族窒化物半導体素子の製造方法,III族窒化物半導体とIII族窒化物半導体素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物テンプレートの製造方法、III族窒化物結晶及びIII族窒化物テンプレート例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE TEMPLATE, THE GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND THE GROUP III NITRIDE TEMPLATE - 特許庁

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体製造装置、III族窒化物半導体発光素子の製造方法及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LAMP - 特許庁

III族窒化物半導体層の製造装置、III族窒化物半導体層の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子及びランプ例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, MANUFACTURING METHOD FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LAMP - 特許庁

デバッグを行わない場合は NULL、Web インターフェースの場合は TRUE、コマンドラインの場合は FALSEを指定します。例文帳に追加

NULL if no debugging, TRUE if web interface, FALSE if command-line - PEAR

III族窒化物単結晶基板の製造方法、および該基板を積層した積層基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND STACKED SUBSTRATE OBTAINED BY STACKING GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜製造用サファイア単結晶基板、及びエピタキシャル成長用基板例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE FILM, SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE FILM, AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁

III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶基板および半導体デバイス例文帳に追加

GROUP III NITRIDE CRYSTAL, ITS PRODUCING METHOD, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および基板および半導体デバイス例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III NITRIDE, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

光の吸収係数の小さいIII族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal substrate small in light absorption coefficient and its manufacturing method, and a group III nitride semiconductor device. - 特許庁

III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス例文帳に追加

SURFACE TREATMENT METHOD OF GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, GROUP-III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP-III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING EPITAXIAL LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

私たちはあの場所で会いましょう。例文帳に追加

Let's meet at that place.  - Weblio Email例文集

今週 3 試合に登板した.例文帳に追加

He pitched in three games this week.  - 研究社 新和英中辞典

バラにふさわしい新しい色合い例文帳に追加

a becoming new shade of rose  - 日本語WordNet

他人に対してしう愛敬のある言葉例文帳に追加

a compliment  - EDR日英対訳辞書

証拠調べを要しない場合例文帳に追加

Where Examination of Evidence Is Not Required  - 日本法令外国語訳データベースシステム

三 自己株式を処分した場合例文帳に追加

(iii) In cases where it has disposed of Treasury Shares.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

が指定された場合には) 失敗したりする。例文帳に追加

was specified.  - JM

成功した場合に TRUEを返します。例文帳に追加

TRUE for success - PEAR

成功した場合に TRUEを返します。例文帳に追加

TRUE on success - PEAR

成功した場合に TRUEを返します。例文帳に追加

boolTRUEon success  - PEAR

成功した場合に TRUEを返します。例文帳に追加

boolean - TRUE on success - PEAR

例文

成功した場合に True を返します。例文帳に追加

returnsTrue uns success Throws  - PEAR

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