「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

金はんだを含むインジウム半導体装置用の接点とその製造方法例文帳に追加

GOLD-SOLDER CONTAINING CONTACT FOR INDIUM SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING AQUEOUS SOLUTION CONTAINING INDIUM HAVING DECREASED METAL IMPURITIES - 特許庁

酸化インジウム粉末およびＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO SPUTTERING TARGET - 特許庁

ゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブ及びその製造方法例文帳に追加

INDIUM GERMANATE SUBMICRON TUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

インジウムを含有する宝飾品用硬化白金合金及び製品例文帳に追加

INDIUM-CONTAINING HARDENED PLATINUM ALLOY FOR JEWEL, AND PRODUCTS - 特許庁

窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法例文帳に追加

METHOD OF CRYSTAL GROWTH OF INDIUM ALUMINUM NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。例文帳に追加

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed. - 特許庁

当該インジウムターゲットはインジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなる組成をもつインジウム合金を溶解鋳造することにより製造可能である。例文帳に追加

The indium target can be produced by performing the fusion casting of an indium alloy comprising copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities. - 特許庁

有機ＥＬインジウム調整層用インク、および有機ＥＬ表示装置例文帳に追加

INK FOR ORGANIC EL INDIUM REGULATING LAYER AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE - 特許庁

前記酸化物透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物からなる。例文帳に追加

The oxide transparent conductive film is formed of an indium zinc oxide. - 特許庁

シュウ酸エッチング廃液からのインジウムの回収方法例文帳に追加

METHOD FOR COLLECTING INDIUM FROM OXALIC ACID ETCHING WASTE LIQUID - 特許庁

インジウムを含む第ＩＩＩ属窒化物は、アルミニウムを含むこともできる。例文帳に追加

The Group III nitride layer including indium may also include aluminum. - 特許庁

負極３には、亜鉛とインジウムとビスマスとが含まれている。例文帳に追加

The negative electrode 3 contains zinc, indium, and bismuth. - 特許庁

インゴットを切断破壊することなく、インジウムリン多結晶中に残存する未反応金属インジウムの有無と分布を視覚的に検査できる、簡便で効率的なインジウムリン多結晶中の未反応金属インジウムの検査方法及び検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for inspecting unreacted metal indium in an indium phosphorus polycrystal simply and efficiently by visually inspecting whether the unreacted metal indium remaining in the indium phosphorus polycrystal is present without cutting and breaking down an ingot. - 特許庁

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET CONTAINING INDIUM OXIDE - 特許庁

窒化物エピタキシのための多層インジウム含有窒化物緩衝層例文帳に追加

MULTI-LAYER INDIUM-CONTAINED NITRIDE BUFFER LAYER FOR NITRIDE EPITAXY - 特許庁

透明電極層１２０は、例えば酸化インジウム層である。例文帳に追加

The transparent electrode layer 120 is, for instance, an indium oxide layer. - 特許庁

塩化第一鉄液中からのインジウム化合物の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING INDIUM COMPOUND FROM FERROUS CHLORIDE SOLUTION - 特許庁

酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法例文帳に追加

ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD FOR INDIUM TIN OXIDE FILMS - 特許庁

インジウム−アルミニウム蒸着フィルムと金属発色をする成形品例文帳に追加

INDIUM-ALUMINUM DEPOSITED FILM AND METAL COLOR DEVELOPING MOLDED PRODUCT - 特許庁

また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。例文帳に追加

Further, powder obtained by mixing an indium compound and metal fine particles or powder obtained by mixing an indium compound and metal oxide fine particles is subjected to discharge plasma sintering to thereby produce the indium oxide sintered compact having the indium oxide phase and the metal phase. - 特許庁

透明導電膜２は、インジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする。例文帳に追加

The transparent conductive film 2 is made of indium zinc oxide. - 特許庁

シュウ酸エッチング廃液からのインジウム成分の回収方法例文帳に追加

METHOD FOR RECOVERING INDIUM COMPONENT FROM OXALIC-ACID ETCHING WASTE LIQUID - 特許庁

フッ素含有インジウム−錫酸化物焼結体及びその製造方法例文帳に追加

SINTERED COMPACT OF FLUORINE-CONTAINING INDIUM-TIN OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

インジウムを含むことを特徴とする鉛蓄電池用添加剤。例文帳に追加

An additive for the lead-acid battery contains indium. - 特許庁

シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

第一の井戸層２５及び第二の井戸層２６が、いずれもインジウムを含む。例文帳に追加

Both the first well layer 25 and the second well layer 26 contain indium. - 特許庁

酸化錫添加酸化インジウム粉末及びその製造方法例文帳に追加

TIN OXIDE-ADDED INDIUM OXIDE POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

インジウム含有物を酸で溶解させる溶解工程を含むインジウムメタルの製造方法において、前記インジウム含有物が溶解した溶解液の遊離酸濃度が３．１ｇ／Ｌ〜７ｇ／Ｌであることを特徴とするインジウムメタルの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing indium metal includes a dissolution process for dissolving an indium ingredient in an acid, wherein the free acid concentration of a dissolution liquid obtained by dissolving the indium ingredient is 3.1-7 g/L. - 特許庁

電気化学的に堆積されたインジウム複合体が開示されている。例文帳に追加

Electrochemically deposited indium composites are disclosed. - 特許庁

膜材料は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれかである。例文帳に追加

The material of the membrane is one of indium oxide, zinc oxide, and tin oxide. - 特許庁

前面基板と側壁とはインジウム膜を介して封着されている。例文帳に追加

The front substrate and the sidewall are sealed through an indium film. - 特許庁

酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE MEMBRANE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

酸化インジウム錫薄膜およびその製造方法、液晶表示素子例文帳に追加

INDIUM TIN OXIDE THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT - 特許庁

井戸層２３ａのインジウム組成は０．１５以上である。例文帳に追加

The well layer 23a has an indium content of not less than 0.15. - 特許庁

このインジウム複合体を含有する物品も開示されている。例文帳に追加

Articles containing the indium composites also are disclosed. - 特許庁

錫・銀・銅・インジウムの４元系鉛フリー半田組成物例文帳に追加

QUATERNARY Pb-FREE SOLDER COMPOSITION OF Sn-Ag-Cu-In - 特許庁

本発明によれば、インジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなるインジウムターゲットであり、全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下のインジウムターゲットが提供される。例文帳に追加

The indium target comprises copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities, and has an average size of the whole crystal grain of ≤10 mm. - 特許庁

酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物の濃縮方法例文帳に追加

CONDENSATION METHOD FOR BLAST TREATMENT MATERIAL CONTAINING INDIUM OXIDE COMPOUND - 特許庁

導電パターン層１２０は酸化インジウム錫材料で作られる。例文帳に追加

The conductive pattern layer 120 is made of an indium tin oxide material. - 特許庁

発光層は少なくともインジウムを含有する窒化物半導体からなる。例文帳に追加

The light-emitting layer is made of a nitride semiconductor containing at least indium. - 特許庁

硫酸インジウム又は塩化インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製において、電解液を活性炭処理することにより、電解液中のメタスズ酸の懸濁物及び錫イオンを除去することを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方法。例文帳に追加

As to this method for recovering indium by the electrolytic refining of indium in which an aqueous solution of indium sulfate or indium chloride is used, an electrolytic solution is subjected to activated carbon treatment, by which the suspended substance of metastannic acid and tin ions in the electrolytic solution are removed. - 特許庁

（２）インジウム酸化物を含有する物質がＩＴＯスクラップである上記（１）記載のインジウムの回収及び精製方法で得られる、インジウムに対するジルコニウムの濃度が４０ｐｐｍ以下であるインジウム含有水溶液を原料とするＩＴＯ粉末。例文帳に追加

The ITO powder uses an indium-contg. aq.soln. obtd. by the above method for recovering and refining indium with an ITO scrap as the material contg. indium oxide, and in which the concn. of zirconium to indium is ≤40 ppm as the raw material. - 特許庁

このＣｕ・Ｉｎ系金属粉体は，金属銅粉を懸濁したインジウム塩溶液中にインジウムより卑な金属を投入することにより該金属銅粉の表面にインジウム金属を析出させ，得られたインジウム被着銅粉を液から分離するという方法によって有利に製造することができる。例文帳に追加

This Cu-In based metal powder can be advantageously manufactured by a method where metal baser than indium is put into an indium salt solution in which metal copper powder is suspended to deposit indium metal onto the surface of the metal copper powder and the resultant indium-coated copper powder is separated from the solution. - 特許庁

このインジウム複合体は、高いバルク熱伝導率を有する。例文帳に追加

The indium composites have high bulk thermal conductivities. - 特許庁