「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

さらにトリアルキルアミンを反応させ、トリアルキルインジウムを昇華または蒸留させる。例文帳に追加

The reaction mixture obtained by further reacting with a trialkylamine is subjected to sublimation or distillation to obtain a trialkylindium. - 特許庁

酸化インジウム水和物、あるいは酸化スズ水和物及び酸化インジウム水和物の混合物を１５０〜３５０℃の温度域にて無酸素〜低酸素の雰囲気で処理した後、３６０〜１２００℃の温度域にて加熱分解することを特徴とする六方晶系酸化インジウム微粉末、あるいは六方晶系スズ含有酸化インジウム微粉末の製造方法。例文帳に追加

The fine powder of hexagonal indium oxide or hexagonal indium oxide containing tin is manufactured by treating indium oxide hydrate or a mixture of tin oxide hydrate and indium oxide hydrate at 150-350°C in an atmosphere from oxygen-less to low oxygen and then thermally decomposing at 360-1,200°C. - 特許庁

希硫酸により酸化インジウムを含む排水泥から不純物を浸出して分離し、インジウムを含む残渣を回収する希硫酸浸出工程、硫酸により希硫酸浸出残渣からインジウムを浸出して回収する硫酸浸出工程を有することを特徴とするインジウムの回収方法。例文帳に追加

The collection method of indium is characterized by including: a dilute sulfuric acid leaching step of leaching and separating impurity from drainage sludge containing indium oxide by dilute sulfuric acid, and collecting residues containing indium; and a sulfuric acid leaching step of leaching and collecting the indium from dilute sulfuric acid leaching residues by sulfuric acid. - 特許庁

第二鉄イオンを第一鉄イオンに還元する工程と、得られた溶液をインジウムに対するキレート基を有する磁気ビーズに接触させる工程と、インジウムを吸着した磁気ビーズを磁気分離する工程と、脱着液を用いて磁気ビーズからインジウムを脱着する工程を含むことを特徴とするインジウム回収方法を用いる。例文帳に追加

This method for recovering indium includes: a step of reducing ferric ions to ferrous ions; a step of bringing an obtained solution into contact with a magnetic bead having a chelate group to indium; a step of magnetically separating the magnetic bead to which indium has been adsorbed; and a step of desorbing the indium from the magnetic bead using a desorbing liquid. - 特許庁

電解質溶液は、銅、インジウム、ガリウム、亜セレン酸（Ｈ_２ＳｅＯ_３）及び水を含む。例文帳に追加

The electrolyte solution includes copper, indium, gallium, selenous acid (H_2SeO_3) and water. - 特許庁

液体金属３０は、ガリウムと、インジウム及びスズの少なくとも一方とを含む。例文帳に追加

The liquid metal 30 contains gallium, and at least one of indium and tin. - 特許庁

インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物を酸化物半導体材料として用いる。例文帳に追加

An oxide including indium, silicon, and zinc is used as an oxide semiconductor material. - 特許庁

Ｆｅ元素を３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有する酸化インジウム粉末を提案する。例文帳に追加

Indium oxide powder containing 3-100 ppm of Fe element is proposed. - 特許庁

半導体エピタキシャル層１９のインジウム組成は０．３５以上０．６５以下である。例文帳に追加

The epitaxial semiconductor layer 19 has an indium composition ratio of 0.35 to 0.65. - 特許庁

インジウム−錫酸化物廃スクラップをリサイクルした錫酸化物粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tin oxide powder by recycling an indium-tin oxide scrap. - 特許庁

また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。例文帳に追加

The indium composition of the InGaN layer also decreases uniformly in order of points P1, P2, and P3. - 特許庁

次に、結晶基板１０１の主表面の上に、インジウムを含む窒化物の薄膜１２１を形成する。例文帳に追加

Then, a thin film 121 of nitride containing indium is formed on the main surface of the crystal substrate 101. - 特許庁

焼成前にＦｅを添加すると、酸化インジウム粉末の一次粒子径を大きくすることができる。例文帳に追加

The primary particle diameter of indium oxide powder can be increased when Fe is added before firing. - 特許庁

簡便かつ安価に高純度のインジウムを分離・回収し得る技術の提供。例文帳に追加

To provide technique capable of simply and inexpensively separating and recovering indium of high purity. - 特許庁

酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density oxide sintered compact containing indium oxide as a component, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。例文帳に追加

In a method for manufacturing an indium metal target, a metal ingot or a slab is prepared by melting and casting an indium metal raw material, and then a target is obtained by cold rolling the ingot or the slab in a sheet-shape, wherein the sputtering surface of the target is made to be mainly oriented in the (101) plane by the cold rolling. - 特許庁

インジウム水酸化物分散液、あるいは錫および／またはフッ素化合物を含むインジウム水酸化物分散液（以後、インジウム系水酸化物分散液という）のｐＨを、該分散液の濃度が酸化物として４重量％の場合に、７〜１０に調整したのち、加熱処理する前記インジウム系酸化物微粒子の製造方法。例文帳に追加

In the method of producing the indium based oxide fine particles, the pH of an indium hydroxide dispersed solution or a tin and/or fluorine compound- containing indium hydroxide dispersed solution (hereinafter referred to as an indium based hydroxide dispersed solution) is adjusted to 7 to 10 in the case that the concentration of the dispersed solution is 4 wt.% expressed in terms of oxide, and, after that, heat-treatment is performed. - 特許庁

（１）インジウム酸化物を含有する物質を酸性水溶液に溶解して、次いで該溶解液のｐＨを２以上４以下の範囲に調整して、生成した沈殿物を分離除去して、インジウム含有水溶液として回収することにより、回収されるインジウム中のジルコニウム濃度を低減させることを特徴とするインジウムの回収及び精製方法。例文帳に追加

A material contg. indium oxide is dissolved into an acidic aq. soln., next, the pH in the dissolving soln. is controlled to the range of 2 to 4, the produced precipitates are separated away, and it is recovered as an indium-contg. aq.soln. to reduce the concn. of zirconium in the recovered indium. - 特許庁

水酸化インジウムを針状結晶とすることにより、水酸化インジウムの状態で凝集を抑制し、さらには、該針状結晶の粒子径を制御することにより、仮焼して得られる酸化インジウム粉末の凝集及び粒子径を制御して、焼結密度５．３ｇ／ｃｍ^３以上の高密度焼結体が製造可能な酸化インジウム粉末の製造が可能となる。例文帳に追加

The powered indium oxide, from which the high density sintered compact with ≥5.3 g/cm^3 sintered density can be manufactured, is manufactured by turning the indium hydroxide into needle crystals and suppressing agglomeration in the state of indium hydroxide and further by controlling particle diameters of the needle crystals so as to control the agglomeration and particle diameters of the powdered indium oxide obtained by calcinations. - 特許庁

インジウム含有溶液に、沈殿剤としてシュウ酸を混合することによりシュウ酸インジウムの沈殿物を生成させ、この沈殿物を固液分離により回収し、この沈殿物を酸に溶解させて酸溶解液とし、酸溶解液中にアルミ板を入れてアルミニウムとの置換反応によりスポンジインジウムを生成させ、これをアルカリ熔鋳してインジウム含有メタルを得る。例文帳に追加

The method for producing an indium-containing metal comprises: mixing an indium-containing solution with oxalic acid as a precipitating agent to form a precipitate of indium oxalate; recovering the precipitate through solid-liquid separation; dissolving the precipitate in an acid to form a solution; inserting an aluminum plate into the solution to form sponge indium by substitution with aluminum; and then subjecting the sponge indium to alkaline casting to prepare an indium-containing metal. - 特許庁

工程（ロ）：前記浸出液に、該浸出液中のスズに対し置換還元反応の化学量論量で２〜５当量に当たる亜鉛末を添加し、スポンジインジウム（１）と還元析出された、インジウムより貴な不純物金属固形分の懸濁液とを形成し、スポンジインジウム（１）を分離回収した後、塩化インジウム水溶液を得る。例文帳に追加

The step (β) includes: adding zinc dust to the leachate in an amount of 2 to 5 equivalent weight with respect to an amount of tin in the leachate by stoichiometry in a substitutional reduction reaction, producing a suspension of spongy indium (1) and a solid content of reductively precipitated impurity metals which are nobler than indium, and separating and collecting the spongy indium (1) to obtain an aqueous solution of indium chloride. - 特許庁

ＩＴＯターゲットのスクラップ等を還元処理して得られた金属インジウム含有合金を陽極とし、金属インジウムを陰極とし、臭化インジウムを含む溶融塩を電解質として、電流密度：１〜２００Ａ／ｄｍ^２、操作温度：９０〜５００℃で溶融塩電解し、陰極から精製された金属インジウムを得る。例文帳に追加

The refined metal indium is obtained from a cathode by using a metal indium-containing alloy obtained by reduction treatment of scrap of an indium tin oxide (ITO) target as an anode, metal indium as a cathode and a molten salt containing indium bromide as an electrolyte and electrolyzing the molten salt at 1-200 A/dm^2 current density and 90-500°C operation temperature. - 特許庁

加熱素子（２）が少なくとも部分的にインジウム−スズ−酸化物から成るようにした。例文帳に追加

The sensor unit for measuring the parameters of the measuring gas is characterized in that the heating element (2) is at least partially formed with indium-tin-oxide. - 特許庁

また、液晶パネルの透明電極ではITO材（インジウム錫酸化物）が使用されている。例文帳に追加

ITO (indium tin oxide) is used in the transparent electrodes of LCD panels. - 経済産業省

インジウム・スズ酸化物等の取扱い作業による健康障害防止に関する技術指針例文帳に追加

The Technical Guideline for Preventing Health Impairment of Workers Engaged in the Indium Tin Oxide Handling Processes - 厚生労働省

検出感度が高く、インジウムについて微量分析が可能な分析装置である。例文帳に追加

Its detection sensitivity is high and minute amount of indium can be quantitated. - 厚生労働省

特に、酸化インジウムと酸化スズの焼結体から成るターゲットを「ITOターゲット」と呼ぶ。例文帳に追加

Especially a target made of sintered body consisting indium oxide and tin oxide is called “ITO target”. - 厚生労働省

インジウム、ガリウム及び亜鉛を含有する溶液から、インジウム又はガリウムを選択的に抽出する手段、或いはコバルト及びニッケルを含有する溶液から、コバルト又はニッケルを選択的に抽出する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for selectively extracting indium or gallium from a solution containing indium, gallium and zinc, or a means for selectively extracting cobalt or nickel from a solution containing cobalt and nickel. - 特許庁

インジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性水溶液から錫イオンが実質的に除去されたインジウムイオン含有水溶液を簡便に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of easily producing an indium ion-containing aqueous solution in which, from an acid aqueous solution comprising indium ions and tin ions, the tin ions are substantially removed. - 特許庁

下層に配置される電極の材料として、アモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜を用いる。例文帳に追加

As for the material of the electrode disposed in the lower layer, a transparent conductive film of amorphous indium zinc oxide, amorphous indium germanium oxide or amorphous oxide essentially comprising the above oxides is used. - 特許庁

電荷収集電極１１を、ＩＴＯやインジウムと亜鉛との酸化物、インジウムとゲルマニウムとの酸化物等を基本組成とする非晶質透明導電酸化膜で構成する。例文帳に追加

A charge collecting electrode 11 is constituted of an amorphous transparent conductive oxide film composed essentially of ITO, indium-zinc oxide, indium-germanium oxide, etc. - 特許庁

半導体積層１５の活性層２３は、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を有しており、この窒化ガリウム系半導体層のインジウム組成は０．２以上である。例文帳に追加

An active layer 23 of the semiconductor lamination 15 has a gallium nitride-based semiconductor layer containing indium, and an indium composition of the gallium nitride-based semiconductor layer is ≥0.2. - 特許庁

酸化インジウム粉末、酸化ゲルマニウム粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中で、所定温度において所定時間加熱し、ゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブを合成することができる。例文帳に追加

The indium germanate submicron tube can be synthesized by heating a mixture of indium oxide powder, germanium oxide powder and active carbon powder in an inert gas stream for a given time at a given temperature. - 特許庁

塩化インジウムを原料として用いた場合であっても、残留塩素量が少ない酸化インジウム粉末を低コストに製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing indium oxide powders having a small amount of residual chlorine at a low cost even when indium chloride is used as a raw material. - 特許庁

インジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性水溶液が、インジウムと錫と酸素とを含有する化合物を塩酸に溶解して得られる酸性水溶液である前記記載の製造方法。例文帳に追加

In the production method, the acid aqueous solution comprising the indium ions and the tin ions can be obtained by dissolving a compound comprising indium, tin and oxygen in hydrochloric acid. - 特許庁

導電性無機酸化物粒子は、例えば、酸化インジウムと、前記酸化インジウムに添加されたスズ、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子とを含む。例文帳に追加

The conductive inorganic oxide particle contains, for example indium oxide, and at least one kind of atom selected from a group of tin added to the indium oxide, zinc, and aluminum. - 特許庁

塩化インジウムを原料として用いた場合であっても、残留塩素量が少ない水酸化インジウム粉末を低コストに製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium hydroxide powder containing a reduced amount of residual chlorine, even when indium chloride is used for the raw material. - 特許庁

インジウムを用いてポケット領域を形成し、かつインジウムのイオン注入によるリーク電流の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of forming a pocket area by using indium and decreasing the increase of leak current by ion injection of indium. - 特許庁

酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

In this sputtering target, 0.1-5 wt.% of zirconium oxide is included in indium oxide, and the zirconium oxide forms a solid solution in the indium oxide. - 特許庁

ループアンテナは、透明性を有する導電性材料である酸化インジウムスズや、酸化インジウム亜鉛等をスパッタリング装置などで薄膜形成する。例文帳に追加

The loop antenna is film-formed with indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material, using a sputtering apparatus. - 特許庁

さらに、窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）クラッド層の成長温度が低いことにより、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）活性発光層を保護し、最終的に発光効率を高める。例文帳に追加

Further, the low growth-temperature of the aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) clad layer protects an indium gallium nitride (InGaN) active luminous layer to eventually increase the luminous efficiency. - 特許庁

カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体は、カーボンナノチューブネットワーク層と、カーボンナノチューブネットワーク層上に配置されたインジウムスズ酸化物層とを含み得る。例文帳に追加

The compound body of a carbon nano tube network and indium tin oxide comprise: a carbon nano tube network layer; and an indium tin oxide layer formed on the carbon nano tube network layer. - 特許庁

そして、インジウム・錫・珪素・酸素ターゲットを用いて、インジウム・錫・珪素酸化膜１３を形成する際のスパッタガスの酸素濃度は３０％以上とする。例文帳に追加

When forming the indium, tin and silicon oxide film 13 using indium, tin, silicon and oxygen targets, the oxygen concentration of sputtering gas is set to ≥30%. - 特許庁

上記のようにビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させることは、電解液にビスマス化合物およびインジウム化合物を添加することによって達成できる。例文帳に追加

Making the bismuth and indium present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part can be attained by doping a bismuth compound and an indium compound to an electrolyte. - 特許庁

インジウム系水酸化物をアルコールに分散させ、ついで乾燥した後、２００〜５００℃の温度範囲で加熱処理するインジウム系酸化物微粒子の製造方法。例文帳に追加

The indium-based oxide fine particle is manufactured by dispersing indium-based hydroxide in alcohol, drying and then heating at 200-500°C. - 特許庁