「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

得られるゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブは、その長さが数百μｍであり、その外径がおおよそ６００ｎｍである。例文帳に追加

The obtained indium germanate submicron tube has the length of several hundreds μm and the outer diameter of about 600 nm. - 特許庁

スズ（Ｓｎ）の含有量が０．１質量ｐｐｍ未満であることを特徴とする電子部品用高純度インジウムメタルである。例文帳に追加

The high purity indium metal for the electronic component is characterized in that the content of tin (Sn) is <0.1 mass ppm. - 特許庁

酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

この方法により、窒化インジウムガリウム（Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ：０＜Ｘ≦１）中のＩｎの比率Ｘが０．５以上である。例文帳に追加

The ratio x of In in indium nitride gallium (In_xGa_1-xN:0<X≤1) by the method is 0.5 or larger. - 特許庁

これにより、粒子の平均粒子径が５ｎｍから１００ｎｍの範囲にあるスズ亜鉛アルミニウム含有酸化インジウム粒子を得る。例文帳に追加

In this way, the tin, zinc, aluminum-containing indium oxide particle having average particle diameter of 5-100 nm is obtained. - 特許庁

あるいは、主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が１ｋΩｃｍ以下である。例文帳に追加

Alternatively, the oxide sintered compact essentially consists of indium and comprises tungsten and tin, and has a specific resistance of ≤1 kΩcm. - 特許庁

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造例文帳に追加

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM - 特許庁

バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a high electron mobility transistor having an indium/gallium/nitride layer in which stress on a buffer interface is reduced. - 特許庁

さらに該混合物が炭素、白金、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化銀及び硫化銀の少なくとも１種をさらに含有する生体用電極。例文帳に追加

The mixture further includes at least one of platinum, indium oxide, ruthenium oxide, silver oxide and silver sulfide. - 特許庁

酸化インジウムスズＩＴＯ立体電極、その製造方法、製造装置、及びそのソーラー電池の製造方法例文帳に追加

INDIUM TIN OXIDE ITO SOLID ELECTRODE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MANUFACTURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR BATTERY - 特許庁

ＳＩＭＳによるシリコン中のインジウムやガリウムの分布分析において、高精度な深さ方向分析を実現できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide an analytical method capable of carrying out precise depth-directional analysis, in distribution analysis of indium or gallium in silicon by a SIMS. - 特許庁

塩酸と酢酸の混合水溶液からなることを特徴とするインジウム錫酸化物をエッチングするためのエッチング溶液。例文帳に追加

The etching solution is formed from a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid, and etches an indium tin oxide. - 特許庁

例えば、第１の層としてインジウム錫酸化物、第２の層としてアルミニウムを用いてヒューズ素子を作製する。例文帳に追加

For example, the fuse element is manufactured by using indium tin oxide for the first layer and aluminum for the second layer. - 特許庁

また、金属層１４と透明導電膜１２との間に、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）を用いた接着層１３が設けられている。例文帳に追加

Further, an adhesive layer 13 using an ICO (indium cerium oxide) is provided between the metal layer 14 and the transparent conductive film 12. - 特許庁

インジウム系複合酸化物可視光応答性光触媒とそれを用いた有害化学物質分解除去方法例文帳に追加

INDIUM TYPE MULTICOMPONENT OXIDE VISIBLE LIGHT RESPONSIVE PHOTOCATALYST AND HARMFUL CHEMICAL SUBSTANCE DECOMPOSING AND REMOVING METHOD USING THE SAME - 特許庁

真空雰囲気中でインジウムを加熱溶融することにより、前面基板および背面基板が側壁を介して互いに封着されている。例文帳に追加

By heating and melting indium in a vacuum atmosphere, the front substrate and the back substrate are mutually sealed through the side wall. - 特許庁

透光性導電塗料は、金属酸化物がドープされた酸化インジウムからなる２種の導電性酸化物針状粉末ＡとＢを含んでいる。例文帳に追加

The translucent conductive paint contains two kinds of conductive oxide needle-like powders A and B composed of indium oxide doped by metal oxide. - 特許庁

金属酸化物層１１は、例えばインジウムとスズとを含む複合酸化物により構成されることが好ましい。例文帳に追加

The metal oxide layer 11 is preferably constituted of a compound oxide containing, for example, indium and tin. - 特許庁

また、インジウム及び亜鉛を含む酸化物からなり、膜厚が３０ｎｍ以下である透明電極膜。例文帳に追加

Alternatively, the transparent electrode membrane is made of an oxide containing indium and zinc, and having a membrane thickness not greater than 30 nm. - 特許庁

インジウムを触媒に用い、水中でケトンをアリル化するホモアリルアルコールの製造方法及び不斉触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a homo allyl alcohol, comprising allylating a ketone in the presence of indium as a catalyst in water, and to provide an asymmetric catalyst. - 特許庁

イオン注入された結晶基板１をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板１を加熱することでボイド１５を形成する。例文帳に追加

The crystalline substrate 1 having ion implantation is dipped into an aqueous solution containing silicon and indium and the substrate 1 is heated to form voids 15. - 特許庁

本発明の課題は、簡便な方法によって、高純度トリアルキルインジウム及びその方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide high-purity trialkyl indium obtained by a simple method, and to provide the method. - 特許庁

このことは、高電力、高周波数トランジスタ、例えば、ヒ化ガリウムインジウム上のベース、に対して特に有用である。例文帳に追加

It is particularly useful for high power, high frequency transistors, e.g. base on gallium indium arsenide. - 特許庁

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method. - 特許庁

主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が１ｋΩｃｍ以下である。例文帳に追加

This oxide sintered compact essentially consists of indium and comprises tungsten, and has a specific resistance of ≤1 kΩcm. - 特許庁

シュウ酸エッチング廃液から、インジウムを有利に且つ効率的に回収する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for advantageously and effectively collecting indium from a waste etching liquid of oxalic acid. - 特許庁

ここで、透明電極１１１ｃは、インジウム・スズ合金を用いたスパッタリングで形成された非晶質の透明導電体である。例文帳に追加

Here, the transparent electrode 111c is an amorphous transparent conductive body formed with sputtering which uses an indium-tin alloy. - 特許庁

酸化インジウムに錫をドープして抵抗値を調節した抵抗２９がジョセフソン接合を生成する為の超電導体２８に接続されている。例文帳に追加

A resistor 29 whose resistance is adjusted by doping indium oxide with tin is connected with superconductor 28 for forming a Josephson junction. - 特許庁

第１透明電極８は透明材料（例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物））を材質とし、サブピクセル単位で形成されている。例文帳に追加

The first transparent electrode 8 is composed of a transparent material (e.g., ITO (indium tin oxide)) and formed in sub-pixel units. - 特許庁

基板準備工程（Ｓ１０）は、インジウムを５質量％以上含有する化合物半導体からなる基板を準備する。例文帳に追加

In the substrate preparing process (S10), a substrate composed of a compound semiconductor is prepared which contains indium of 5 mass%. - 特許庁

有機層から離れる方が水素濃度が低い酸化インジウム系透明導電膜を有する有機EL素子を提供する。例文帳に追加

This organic EL element has an indium oxide based transparent conductive film wherein hydrogen concentration is lower as separating from an organic layer. - 特許庁

また、ドロスをアルカリフラックス処理および水洗処理することによって粗インジウムを回収し繰返し使用して歩留まりを向上させる。例文帳に追加

Further, alkali flux treatment and water washing treatment are applied to the dross to recover crude indium, and the crude indium is repeatedly used to improve yield. - 特許庁

絶縁性酸化物層１６の上に、例えば錫をドープしたインジウム酸化物よりなる金属酸化物電極１７が形成されている。例文帳に追加

A metal oxide electrode 17, made of an indium oxide doped, for example with tin, is formed on the layer 16. - 特許庁

導電性物質１ａ，２ａは、金、銀、白金、銅、及び酸化インジウム（ＩＩＩ）のうちの少なくとも１つを含む物質である。例文帳に追加

The conductive materials 1a and 2a are materials containing at least one among gold, silver, platinum, copper, and indium oxide (III). - 特許庁

前記水洗後の水酸化インジウムを一旦乾燥させ、さらに硝酸アンモニウム水溶液中に分散させた後、水洗することが好ましい。例文帳に追加

It is favorable that washed indium hydroxide is dried once and washed with water after being dispersed in an ammonium nitrate aqueous solution. - 特許庁

ＩＴＯターゲットスクラップから、電解精製に好適な純度を有する粗インジウムを高収率で効率よく回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently collecting crude indium having a purity suitable for electrolytic refining from a scrap of an ITO target at a high yield. - 特許庁

そして、真空雰囲気中でインジウムを加熱し溶融させることにより、前面基板および背面基板を側壁を介して互いに封着する。例文帳に追加

By heating and melting indium in the vacuum atmosphere, the front substrate and back substrate are mutually sealed via the side wall. - 特許庁

基板１上に、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるホール注入電極２を形成する。例文帳に追加

For example, a hole injection electrode 2 consisting of a transparent electrically conductive film such as indium-tin oxide (ITO) is formed on a substrate 1. - 特許庁

特に、銀を主成分とし、インジウムを含んだ銀合金材料をゲート配線１３やゲート電極１７に用いるのが好ましい。例文帳に追加

In particular, the silver alloy material essentially consisting of silver and comprising indium is preferably used for the gate wiring 13 and the gate electrode 17. - 特許庁

インジウム錫酸化物のパターニングのためのエッチング溶液及び該エッチング溶液を利用した液晶表示装置の製造方法例文帳に追加

ETCHING SOLUTION FOR PATTERNING INDIUM TIN OXIDE, AND MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME ETCHING SOLUTION - 特許庁

インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）により構成された共通電極１３の厚さを、８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満とする。例文帳に追加

The thickness of a common electrode 13 constituted of an indium tin oxide (ITO) is turned to be equal to or more than 80 nm and less than 100 nm. - 特許庁

光照射によって接触角が小さくなる表面特性を有するインジウム系複合酸化物薄膜とそれを用いたコーティング材料例文帳に追加

THIN FILM OF INDIUM BASED COMPOUND OXIDE HAVING SURFACE CHARACTERISTIC OF DECREASING IN CONTACT ANGLE ON IRRADIATION OF LIGHT AND COATING MATERIAL USING IT - 特許庁

インジウム使用量の低減が可能であり、紫外線遮蔽効果を有する導電性酸化物粉体を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive oxide powder enabling the used amount of indium to be reduced and having ultraviolet light shielding effect. - 特許庁

インジウム含有量が少なくても良好な導電性を有する酸化物導電性材料を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide conductive material having excellent conductivity even if the indium content thereof is small. - 特許庁

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a sputtering target containing indium oxide at high production efficiency while maintaining high density. - 特許庁