「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物例文帳に追加

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony  - 日本法令外国語訳データベースシステム

Ａ群：インジウム、錫、及び亜鉛 Ｂ群：マグネシウム、シリコン、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、ゲルマニウム・・等例文帳に追加

Group A: indium, tin and zinc and B group: magnesium, silicon, titanium, vanadium, manganese, cobalt, nickel, copper, gallium, germanium, etc. - 特許庁

銅合金はマグネシウム、錫、銀、インジウム、ストロンチウム、カルシウムなどの金属を所定量含有していても良い。例文帳に追加

The copper alloy may contain metal such as magnesium, tin, silver, indium, strontium, and calcium by a prescribed amount. - 特許庁

第１の半導体層９ａは、少なくとも窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

The first semiconductor layer 9a consists of the III-V compound semiconductor comprising at least nitrogen, indium and gallium. - 特許庁

白金と、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）から選ばれる少なくとも１種の添加金属と、を備えるアノード触媒を用いる。例文帳に追加

The anode catalyst is provided with platinum, and at least one kind of temper metals selected from zinc (Zn), gallium (Ga) and indium (In). - 特許庁

銀合金は、第１の添加元素としてアルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、マグネシウムのうちの少なくとも１種を含む。例文帳に追加

As a first added element, the silver alloy includes at least one kind selected from among aluminum, indium, tin, bismuth, gallium, zinc and magnesium. - 特許庁

ガリウム、アルミニウム、またはインジウムから窒素が解離されるメタライゼーション手順を使用して、サファイア基板をリフトオフする。例文帳に追加

Then the sapphire substrate is lifted off through a metallization procedure for releasing a nitrogen from gallium, aluminum or indium. - 特許庁

陰極がＰＴＦＥ等の合成ポリマー、鉛、亜鉛、カドミウム、水銀、インジウム、高水素過電圧電極としての活性を有する炭素を含む。例文帳に追加

The cathode includes a synthetic polymer, e.g, PTFE, lead, zinc, cadmium, mercury, indium, and carbon having activity as a high hydrogen overpotential electrode. - 特許庁

金属はニッケル、銅、金、銀、白金、鉄鋼、クロムおよびインジウムからなるグループから選ばれる一種以上である。例文帳に追加

The metal is one or more selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, platinum, steel, chromium, and indium. - 特許庁

一価インジウムを用いてN-アシルヒドラゾンをアリル化するホモアリルヒドラジドの製造方法、及びそれに用いる不斉触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a homoallyl hydrazide by allylating N-acylhydrazone by using monovalent indium, and to provide an asymmetric catalyst for use therein. - 特許庁

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element. - 特許庁

インジウムバリウム複合酸化物可視光応答性光触媒とこの光触媒を用いた水素の製造方法及び有害化学物質分解方法例文帳に追加

VISIBLE LIGHT-RESPONSIVE INDIUM-BARIUM COMPOUND OXIDE PHOTOCATALYST, METHOD OF PRODUCING HYDROGEN USING THE PHOTOCATALYST, AND METHOD FOR DECOMPOSING HARMFUL CHEMICAL SUBSTANCE USING PHOTOCATALYST - 特許庁

前記画素電極は、錫の添加された酸化インジウムより成る１４０ｎｍ以上の膜厚を有する透明電極である。例文帳に追加

The pixel electrode is a transparent electrode consisting of indium oxide to which tin is added and having ≥140 nm film thickness. - 特許庁

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。例文帳に追加

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements. - 特許庁

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用例文帳に追加

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM - 特許庁

リン系半導体層は多層構造でアルミニウムを含有する層を有していても、ガリウム・インジウム・リンを含む層を有していてもよい。例文帳に追加

The phosphorous semiconductor layer may be a multilayer structure and have a layer containing aluminum as well as have a layer containing gallium, indium, or phosphorus. - 特許庁

或る実施形態においては、少なくとも１つのスペーサ層は、アルミニウム、インジウム、ガリウム及び窒素の四元合金である。例文帳に追加

In some embodiments, at least one of spacer layers is made of a quaternary alloy of aluminum, indium, gallium, and nitrogen. - 特許庁

導電性無機フィラーが、二酸化スズ、アンチモンドープ二酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズ複合酸化物であることが好ましい。例文帳に追加

The electrically conductive inorganic filler is preferably tin dioxide, antimony doped tin dioxide, indium oxide or a tin oxide compound oxide. - 特許庁

バリア層２９は、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

A barrier layer 29 is formed of a first group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic. - 特許庁

活性領域５は、少なくともインジウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含む半導体から成っており、例えばＩｎＧａＮ層を含む。例文帳に追加

The active region 5 includes a semiconductor including at least an indium element, a gallium element, and a nitrogen element, and includes, for example, an InGaN layer. - 特許庁

この管球の冷却では、陽極シャフトを通過するガリウム−インジウム−すず液体合金の流れを利用する。例文帳に追加

In cooling the vessel, flow of gallium-indium-tin liquid alloy which passes through the anode shaft is utilized. - 特許庁

高い導電性と良好な分散性を有するインジウム錫酸化物粒子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide indium tin oxide particles having high electrical conductivity and good dispersibility and a method for producing the same. - 特許庁

炭化珪素基板の利点と共に窒化インジウムガリウムの発光特性を利用する、改良された輝度を有する発光ダイオードを提供する例文帳に追加

To provide a light emitting diode (LED) with improved luminance utilizing advantages of a silicon carbide substrate and light emitting performance of indium gallium nitride. - 特許庁

この反射層は、アルミニウム−チタン（Ａｌ／Ｔｉ）合金層と、該合金層に接着させたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）とを含んでいる。例文帳に追加

The reflecting layer contains an aluminum-titanium (Al/Ti) alloy layer and an indium tin oxide (ITO) bonded to the alloy layer. - 特許庁

高圧放電ランプのイオン化可能な充填物が、専ら、キセノン及び金属：ナトリウム、スカンジウム、インジウム及び亜鉛のハロゲン化物からなる。例文帳に追加

In the high-pressure discharge lamp, ionizable filler is made of xenon and metal: sodium, scandium, indium, and the halide of zinc. - 特許庁

インジウム酸化物とスズ酸化物の混合触媒と、混合触楳の表面に形成された鉄薄膜から構成してもよい。例文帳に追加

The catalyst can be made by forming an iron thin film on the surface of a composite catalyst of indium oxide and tin oxide. - 特許庁

第２の期間Ｐ２では、ガリウム原料を供給すること無くインジウム原料を成長炉１０に供給する。例文帳に追加

In the second period P2, the indium raw material is supplied to the growth furnace 10 without supply of the gallium raw material. - 特許庁

酸化金属膜３は、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化インジウム、酸化錫または酸化白金からなる。例文帳に追加

The metal oxide film 3 consists of gallium oxide, tantalum oxide, lantern oxide, indium oxide, and tin oxide or platinum oxide. - 特許庁

インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。例文帳に追加

This CdTe compound semiconductor single crystal having a small absorption coefficient and a high resistance is realized by doping indium. - 特許庁

平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。例文帳に追加

The smooth layer includes an indium composition less than the active region and is typically deposited at higher temperatures than the active region. - 特許庁

第１の電極を、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物を用いて形成すると高信頼性を有する表示装置となる。例文帳に追加

Forming of the first electrode with the use of indium tin oxide containing silicon oxide will make up a display device of high reliability. - 特許庁

インジウム元素を含むIII族窒化物半導体層の劣化を抑える窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element for suppressing the deterioration of a group III nitride semiconductor layer containing indium elements. - 特許庁

インジウム、亜鉛及び錫を含む非晶質酸化物からなり、膜厚が２５ｎｍ以下である透明電極膜。例文帳に追加

This transparent electrode membrane is made of an amorphous oxide containing indium, zinc and tin, and has a membrane thickness not greater than 25 nm. - 特許庁

レーザーダイオードとヒートシンクはインジウムや金錫半田などで高い平面性を持って高精度に接合する事が出来る。例文帳に追加

Thus, the laser diode and the heatsink can be accurately bonded while they are keeping high planarity owning to indium or gold tin solder. - 特許庁

ＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加

TIN OXIDE-INDIUM OXIDE POWDER FOR FORMING ITO FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ITO FILM - 特許庁

本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。例文帳に追加

This semiconductor element is provided with: the indium-based compound semiconductor thin film formed on a substrate 1 made of a gallium arsenide. - 特許庁

前記酸素吸収化合物が、バナジウム化合物，インジウム化合物、錫化合物およびタンタル化合物から選ばれた１種以上である。例文帳に追加

The oxygen absorbing compound is selected from vanadium compound, indium compound, tinn compound and tantalum compound. - 特許庁

本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。例文帳に追加

This tin/antimony-doped indium oxide particle has Sn/In molar ratio of 0.1-0.3 and Sb/In molar ratio of 0.03-0.4. - 特許庁

導電性接着剤において、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、熱可塑性樹脂と、カップリング剤と、インジウムフィラーとを含むこととした。例文帳に追加

The conductive adhesive comprises a thermoset resin, a curing agent, a thermoplastic resin, a coupling agent, and an indium filler. - 特許庁

磁性と電気伝導性とを同時に制御することが可能である、インジウム化合物スピントロニクス材料を提供する。例文帳に追加

To provide an indium compound spintronics material capable of simultaneously controlling magnetism and electric conductivity. - 特許庁

なお、４はモザイク状に区切られたＩＴＯ（インジウムオキサイド透明電極パターン、３は透明電極部分を囲む土地部である。例文帳に追加

In the figure, 4 is a mosaically divided ITO (indium oxide transparent electrode pattern) and 3 is a bank part surrounding the transparent electrode part. - 特許庁

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いたヘテロ電界効果トランジスタとその製造方法例文帳に追加

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HETERO-FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＦｅＲＡＭデバイスアプリケーションのための窒化シリコン薄膜および酸化インジウム薄膜の選択的エッチングプロセス例文帳に追加

SELECTIVE ETCHING PROCESS OF SILICON NITRIDE THIN FILM AND INDIUM OXIDE THIN FILM FOR FERROELECTRIC RAM DEVICE APPLICATION - 特許庁