「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化インジウムを含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。例文帳に追加

The sputtering composite target 1 comprises an oxide base component 2 including indium oxide and carbon base components 3a to 3d, and in the case the oxide base component 2 and the carbon base components 3a to 3d are different substances, respectively, the carbon base components 3a to 3d are stacked on at least a part of the surface of the oxide base component 2, so as to be used. - 特許庁

鉛が無添加の板状亜鉛の小片に、潤滑剤を塗布し、固着させる工程と、その後、インパクト成形法により有底円筒形の缶に成形する鉛無添加のマンガン乾電池用負極缶の製造方法において、前記潤滑剤に、インジウムまたはビスマスの金属粉体を含ませる。例文帳に追加

In a manufacturing method of a negative electrode can for a lead-free manganese dry cell in which by a process of applying a lubricant to a small piece of a plate shaped lead-free zinc and fixing and adhering it, and molding it into a bottomed cylindrical can by an impact molding method after that, the lubricant is made to contain metal powder materials of indium or bismuth. - 特許庁

高屈折率、低屈折率の薄い２層の１対もしくは複数対で形成される広帯域反射防止コーティング７０，７２，７４，７６を施すことにより、酸化すずインジウム３０ａと隣接層２２ａ，３２ａの間のインターフェースから生ずる望ましくない重複反射が最小限にされる。例文帳に追加

Coatings 70, 72, 74, and 76 for preventing wide band reflections formed of a pair or a plurality of pairs of two thin layers of a high refractive index and low refractive index are applied to these layers, by which the unwanted double reflections produced from the interfaces between the indium tin oxide 30a and the adjacent layers 22a and 32a are minimized. - 特許庁

銅、アンチモン、錫、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、亜鉛、白金、パラジウムのうち少なくとも１種を含む銀合金から選択される第１の金属層１２と、第１の金属層に固着され、銀より引っ張り強度の大きい第２の金属層１１と、第１の金属層１２上に形成された酸化物超電導体層１３とからなる事を特徴とする酸化物超電導線材。例文帳に追加

This oxide superconducting wire comprises a first metal layer 12 selected from a silver alloy containing at least one of copper, antimony, tin, germanium, gallium, indium, zinc, platinum, and palladium, a second metal layer 11 that is fixed to the first metal layer and has tensile strength larger than silver, an oxide superconductor layer 13 formed on the first metal layer 12. - 特許庁

貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層にランタニド金属から選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を０．４〜１０ｍｏｌ％添加してあるとともに、感応層表面に緻密なシリカ薄膜を形成してある。例文帳に追加

In this hydrogen-gas detecting element, a sensitive layer 2 which covers a noble metal wire 1 and which is formed of a semiconductor composed mainly of indium oxide is formed, 0.4 to 10 mol% of the oxide of at least one kind of a metal selected from among lanthanide metals is added to the sensitive layer 2, and a dense silica this film 3 is formed on the surface of the sensitive layer. - 特許庁

(Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。例文帳に追加

A bath for tin or tin-alloy plating includes: (A) a soluble salt formed of either a stannous salt or a mixture of the stannous salt and a salt of a metal selected from the group consisting of silver, copper, bismuth, indium, zinc, antimony, nickel and lead; (B) an acid or a salt thereof; and (C) a dibenzazole disulfide sulfonate compound specifically such as dibenzothiazolyl disulphide disodium disulfonate. - 特許庁

不純物としての銅、鉄、鉛、錫およびインジウムの少なくとも１種とガリウムとを含むアルカリ性溶液中の遊離ＮａＯＨ濃度を１５０ｇ／Ｌ以下に調整し、その溶液を４０℃以下の温度に調整し、亜鉛末のような金属亜鉛と活性炭の混合物に接触させ、電解採取によってガリウムメタルを回収するためのガリウム電解液として使用する。例文帳に追加

The free NaOH concentration in an alkaline solution containing at least one kind of copper, iron, lead, tin, and indium, as impurities, and gallium is adjusted to ≤150 g/L and after the solution is adjusted to a temperature below 40°C, the solution is brought into contact with a mixture composed of metallic zinc like zinc powder and active carbon and is used as a gallium electrolyte for recovering gallium metal by electrowinning. - 特許庁

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11. - 特許庁

本発明は、従来の透明断熱シートの性能面及びコスト面での不十分さを克服して、良好な透過性と断熱性を併せ持つ透明断熱シートを、希少材料である高価な銀薄膜や酸化インジウム（ＩＴＯ）薄膜を使用せずに、フィルム上での低温成膜を安定的に実現し、高性能な透明断熱シートを、安価に提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a transparent heat insulation sheet which solves problems of insufficiency in performance and cost of a conventional transparent heat insulation sheet and has good permeability and heat insulating property, without using an expensive silver thin film or indium oxide (ITO) thin film being a rare material, to stably achieve low-temperature film formation on a film, and to inexpensively provide a high-performance transparent heat insulation sheet. - 特許庁

クリア塗装ステンレス鋼板は、ステンレス鋼板の素地を活かした意匠が高級感を示すことが特徴であり、高透明性かつ高導電性を有する錫添加酸化インジウム粉末をクリア塗膜に分散配合することで、意匠性を損なうことなく、導電性、すなわち、アース性を付与できる。例文帳に追加

The clear-coat-provided stainless steel sheet is characterized in that its design that makes the most of the original texture of the stainless steel sheet gives a feeling of high quality, and, by dispersing/incorporating into the clear coat tin-added indium oxide powders which has high transparency and high conductivity, conductivity, i.e., grounding nature can be imparted without damaging the design quality. - 特許庁

アルミニウム（Ａｌ）０．００１ｗｔ％〜０．０３ｗｔ％、ビスマス（Ｂｉ）０．００１ｗｔ％〜０．０２ｗｔ％、インジウム（Ｉｎ）０．０１ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％がそれぞれ合金成分として添加された亜鉛合金粉末であって、その亜鉛合金粉末が遠心噴霧法で造紛された粉末体であるとともに、粒度２５０μm以下の亜鉛合金粉末が８５％以上存在する。例文帳に追加

The zinc alloy powder contains alloy compositions of aluminum (Al) 0.001-0.03 wt.%, bismuth (Bi) 0.001-0.02 wt.%, and indium (In) 0.01-0.07 wt.%, and the zinc alloy powder is powder made by a centrifugal atomization method and 85% or more of the zinc alloy powder has a particle size 250 μm or less. - 特許庁

インジウム及びアルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、基板上に少なくとも、一対のクラッド層４，８及び量子井戸構造活性層６、少なくとも一方のクラッド層と量子井戸構造活性層間に、ＧａＮ薄層を含む降温層５及び昇温層７が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。例文帳に追加

This gallium nitride compound semiconductor light-emitting element contains indium and aluminum, and at least a pair of clad layers 4 and 8, a quantum-well structure active layer 6, and a cooling layer 5 and a heating layer 7, including a GaN thin layer between at least either of the clad layer, and the quantum-well structure active layer are laminated on a substrate. - 特許庁

錫又は錫とインジウムの合金を主成分とし、亜鉛とアンチモンとアルミニウムを添加成分とし、無機非金属の被接合物に対して酸素を媒介とした化学結合によって、金属の被接合物に対して拡散結合又は酸素を媒介とした化学結合によって接合する無鉛ハンダ。例文帳に追加

The unleaded solder consists of tin or an alloy of the tin and indium as a main component and contains zinc, antimony and aluminum as additive components and is joined to the materials to be joined of the inorganic nonmetals by chemical bonding with oxygen as a medium and to the materials to be joined of the metals by diffusion bonding or chemical bonding with the oxygen as the medium. - 特許庁

フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なＩＺＯ膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。例文帳に追加

To provide an etching method for collecting heavy metals such as indium or the like with a simplified method generating a small amount of sludge by making smaller an undercut by the etching process, in regard to formation of high precision circuit of an image of the IZO film suitable for a transparent electrode of a thin film transistor liquid crystal display apparatus for flat panel display or the like. - 特許庁

ポリエステルからなる支持体１１の少なくとも一方の面に、支持体１１から近い順に、酸化錫、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかひとつを主成分とする微粒子及びバインダを含む第１層１２と、第１層１２に接するようにして配置される第２層１３とを塗設して積層フィルム１０を形成する。例文帳に追加

The laminated film 10 is formed on at least one surface of a support 11 made of polyester by coating a first layer 12 containing fine particles and a binder mainly composing either one of tin oxide, indium oxide, zirconium oxide, and titanium oxide in the order starting from the support 11, and a second layer 13 disposed so as to contact with the first layer 12. - 特許庁

透明プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に酸化インジウムと酸化セリウムを主成分とする透明導電性薄膜が積層された透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜の比抵抗が１．０×１０^-1Ω・ｃｍ以下であり、かつ前記透明導電性フィルムの光線透過率が８２％以上であることを特徴とする透明導電性フィルム。例文帳に追加

The transparent conductive film is a transparent plastic film with transparent conductive thin films with indium oxide and cerium oxide as main ingredients laminated on either of its face, and specific resistance of the above transparent conductive thin films is not more than 1.0×10^-1 Ω.cm and light transmittance of the above transparent conductive film is not less than 82%. - 特許庁

記録再生の為の光を入射する側からみて順に、少なくとも第１保護層、相変化材料からなる記録層、第２保護層、及び反射層を順に設けた光記録媒体であって、相変化材料の主成分が下記組成式（１）を満足し、第２保護層が酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫の何れか又はそれらの混合物を主成分とすることを特徴とする光記録媒体。例文帳に追加

The optical recording medium comprises at least a first protective layer, a recording layer comprising a phase change material, a second protective layer and a reflective layer provided in this order, as viewed from the side to which light falls for reproduction of record. - 特許庁

中心核１１と中心核１１を被覆する被覆層１２で構成される平均粒径５μｍ以下のハンダ粉末１０において、中心核１１が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、被覆層１２が錫からなることを特徴とする。例文帳に追加

In the solder powder 10 with an average particle diameter of ≤5 μm composed of a central nucleus 11 and a coating layer 12 for coating the central nucleus 11, the central nucleus 11 is composed of an intermetallic compound of a metal element having a component of silver, copper, nickel, indium, cobalt or gold and tin, and the coating layer 12 is composed of tin. - 特許庁

透明導電性フィルムの製造方法は、透明基板を提供する工程、金属タイプカーボンナノチューブ溶液を透明基板上に配置する工程、金属性カーボンナノチューブネットワーク層を金属性カーボンナノチューブ溶液から形成する工程、およびインジウムスズ酸化物層を金属性カーボンナノチューブネットワーク層上全体に配置する工程を含み得る。例文帳に追加

The method of manufacturing the transparent conductive film includes a step of providing a transparent substrate, a step of arranging carbon nano tube solution of metal type on the transparent substrate, a step of forming a metallic carbon nano tube network layer from the metallic carbon nano tube solution, and a step of arranging the indium tin oxide layer on the whole metallic carbon nano tube network layer. - 特許庁

バナジウム又はインジウムを含むニッケル酸リチウムからなる正極活物質において、それを用いて製造した非水系二次電池の過充電及び高温保存時の熱的安定性を向上させ、一方、電池容量、サイクル寿命及び出力の低下を抑えることができる正極活物質とその効率的な製造方法、及びそれを用いてなる非水系二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a positive electrode active material made of lithium nickelate containing vanadium and indium which can improve thermal stability at over-discharge and high-temperature storage of a non-aqueous secondary battery manufactured using the same and, at the same time, can suppress deterioration of battery capacity, cycle life, and output, its efficient manufacturing method, and a non-aqueous secondary battery using it. - 特許庁

樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The resin product containing a bright and discontinuously structured metal film 12 comprising a resin base material 11 and indium on the resin base material 11, is characterised by having an under anti-corrosive protection film 13 for improving the corrosion resistance of the metal film 12 comprising silicon oxonitride, aluminum nitride, aluminum oxonitride or chromium oxide formed by a physical vapor deposition method only under the metal film 12. - 特許庁

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides. - 特許庁

水分を含んだ環境下に曝されることによるデバイス信頼性の低下と、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化物電極間におけるクロストークの発生とを防止して、デバイスの性能を向上させ、かつ製造プロセスを簡略化する有機発光ダイオードの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an organic light-emitting diode in which the performance of the device is improved and the manufacturing process is simplified by preventing degradation of reliability of the device caused by exposure in an environment containing moisture and generation of cross talk between the plural electrodes of indium tin oxide of parallel bar-shape. - 特許庁

主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して３５原子％〜１００原子％の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が３．４ｇ／ｃｍ^3以上５．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。例文帳に追加

The oxide sintered compact is an oxide sintered compact mainly consisting of gallium, indium, and oxygen or an oxide sintered compact mainly consisting of gallium and oxygen, wherein the compact contains gallium in a proportion of 35 to 100 atom% based on the total metal atoms, contains no metallic phase, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm^3. - 特許庁

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel. - 特許庁

本発明は、酸化インジウム粉末、酸化錫粉末およびカルシウム含有化合物粉末を混合してスラリーを準備するスラリー準備段階、前記スラリーをミリングした後に乾燥して顆粒粉末を準備する顆粒化段階、前記顆粒粉末を成形して成形体を製造する成形段階および前記成形体を焼結する焼結段階を含むＩＴＯターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

A method of manufacturing the ITO target includes: preparing a slurry by mixing an indium oxide powder, a tin oxide powder, and a calcium-containing compound powder; granulating the slurry by milling and drying the slurry to prepare a granulated powder; shaping the granulated powder to form a shaped body; and sintering the shaped body. - 特許庁

透明基板と、前記透明基板上に設けられた配線であって、ＡｌあるいはＡｌ合金からなるＡｌ配線と、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層回路基板を構成する。例文帳に追加

This laminated circuit board having Al wiring coated with a transparent conductive film is formed on a transparent substrate and wiring formed on the substrate. - 特許庁

表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と、予めその表面に金属窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、カーボン、インジウム酸化スズまたは酸化することの少ない導電性材料からなる皮膜を形成した陰極箔とを、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し修復化成を施す。例文帳に追加

An anode foil having an oxide film layer formed on the surface and a cathode foil having a film of a metal nitride, a metal carbide, a metal carbonitride, carbon, indium tin oxide or an oxidation retardant conductive material formed previously on the surface are wound through a separator to form a capacitor element which is then subjected to restoration formation. - 特許庁

平均粒径２〜５０ｎｍの結晶性の酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムから選ばれる高屈折超微粒子、あるいは特定のＭ（ＯＲ）_n およびその加水分解物のいずれか一方が含まれてなる高屈折率組成物において、さらに特定のＲ’_x Ｍ（ＯＲ）_y-x およびその加水分解物が含まれる高屈折率組成物を提供する。例文帳に追加

In addition to high-refractive-index superfine particles selected from crystalline titanium oxide, zirconium oxide, zinc oxide, and indium oxide having an average particle size of 2-50 nm or either of a specific M(OR)n and its hydrolyzate, this composition contains a specific R'xM(OR)y-x and its hydrolyzate. - 特許庁

酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。例文帳に追加

A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film. - 特許庁

マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。例文帳に追加

The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase. - 特許庁

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。例文帳に追加

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method. - 特許庁

アルカリ性電解液における水酸化カリウムと水酸化リチウムとを合わせた重量濃度は２５％以上５５％以下が好ましく、負極活物質としては、少なくともビスマス、インジウム、アルミニウムおよびカルシウムのうちの何れか一種の金属と亜鉛との合金であり、前記金属が負極活物質に１５０ｐｐｍ以上含有することが好ましい。例文帳に追加

The combined concentration by weight of the potassium hydroxide and lithium hydroxide should preferably range from 25 to 55%, and one preferable example of the negative electrode active material is a zinc alloy with at least one kind of metals including bismuth, indium, aluminum, and calcium, wherein the content of the metal(s) in the negative electrode active material should preferably be over 150 ppm. - 特許庁

実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、加熱した基板上に、インジウムを含む活性層を形成する工程と、前記活性層を形成するときと実質的に同じ温度に前記基板を加熱した状態で、前記活性層上に、窒化物半導体からなる多層膜を形成する工程と、を備えた。例文帳に追加

According to an embodiment, a manufacturing method of semiconductor light-emitting element includes a step of forming an active layer containing indium on a heated substrate and a step of forming a multilayer film made of a nitride semiconductor on the active layer in a state where the substrate is heated to the substantially same temperature as that when forming the active layer. - 特許庁

厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。例文帳に追加

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range. - 特許庁

本発明の薄膜太陽電池は、基板１０１表面に形成された、亜鉛を含む酸化インジウムからなる透明導電層１０２と、光エネルギーを電気エネルギーに変換する、ｐ層１０３，ｉ層１０４，ｎ層１０５からなる単位セル１０６と、変換された電気エネルギーを取り出す収集電極層１０７とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This thin film solar cell has a transparent conductive layer 102 which is formed on a surface of a substrate 101 and is composed of indium oxide containing zinc; a unit cell 106 which transfers an optical energy to an electric energy and comprises a p layer 103, an i layer 104 and an n layer 105; and a collection electrode layer 107 for taking out the transferred electric energy. - 特許庁

アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。例文帳に追加

The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron. - 特許庁

ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。例文帳に追加

A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed. - 特許庁

本発明のシリコン系薄膜製造方法は、表面にアルミニウム、錫、亜鉛、アンチモン、インジウム、ガリウム、銀、ニッケル、テルル、及びゲルマニウムのうち少なくとも一つの金属薄膜を形成した基板を、真空槽内に設置し、加熱した当該基板の表面上に原料ガスを供給してシリコン系薄膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for forming a silicon based thin film, a substrate having a surface formed with at least one thin metal film of aluminum, tin, zinc, antimony, indium, gallium, silver, nickel, tellurium and germanium is placed in a vacuum chamber and material gas is supplied onto the surface of the heated substrate in order to form a silicon based thin film. - 特許庁

無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor, capable of obtaining an indium-containing metal oxide having stable characteristics by a comparatively easy control while maintaining the characteristics such that it can be formed by a non-heating sputter depositing method and includes both high mobility and high amorphous performance, and obtaining a TFT element having stable characteristics. - 特許庁

直鎖状の主鎖と、複数の、キャリア輸送に寄与するメチルまたはエチルで置換していてもよいフタロシアニンまたはその銅、鉄、亜鉛、インジウムまたは白金錯体からなるキャリア輸送構造と、前記主鎖から分枝し、各前記キャリア輸送構造をそれぞれ連結する連結構造とを有する導電性高分子。例文帳に追加

The electroconductive polymer has a linear main chain, a plurality of carrier transport structures composed of phthalocyanine which contributes to carrier transport and may be substituted with a methyl or an ethyl or a copper, an iron, a zinc, an indium or a platinum complex thereof and connecting structures branched from the main chain and connecting each of the carrier transport structures, respectively. - 特許庁

（Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物粒子と、重合性不飽和基を含む有機化合物とを結合させてなる粒子、 （Ｂ）分子内にウレタン結合及び２以上の重合性不飽和基を有する化合物、及び （Ｃ）光重合開始剤を含有する硬化性組成物。例文帳に追加

The curable composition contains (A) particles obtained by bonding an organic compound containing a polymerizable unsaturated group to particles of the oxide of at least one element selected from silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, germanium, indium, tin, antimony and cerium, (B) a compound having a urethane bond and two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule and (C) a photopolymerization initiator. - 特許庁

ＨＣｌ吸着剤として、スカンジウム，イットリウム，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン，アルミニウム，ガリウム，インジウム，ケイ素，ゲルマニウム，スズ及びランタノイド系列に含まれる金属群の中から選ばれた少なくとも一種以上の金属の酸化物を使用する。例文帳に追加

As the adsorbent, at least one type of metal oxide selected from a metal group consisting of a scandium, an yttrium, a titanium, a zirconium, a hafnium, a vanadium, a niobium, a tantalum, a chromium, a molybdenum, a tungsten, an aluminum, a gallium, an indium, a silicon, a germanium, a tin or metal group contained in a lanthanoid series is used. - 特許庁

Ｐ型不純物であるインジウム（Ｉｎ）を含んで電流路として形成されるとともに、その所定部位に電流路を狭窄することによって電気抵抗を高くした高抵抗部２３を設けたゲルマニウム（Ｇｅ）のバルク体２０を、内部が不活性ガス雰囲気に保たれたチャンバ１０内に収容する。例文帳に追加

The semiconductor particulates containing indium (In) of a P type impurity, is formed as a current passage, and also houses a bulk body 20 of germanium (Ge) with a high resistor portion 23 that electric resistance is increased by constricting the current passage at a predetermined part, in a chamber 10 where the inside is maintained an inactive gas atmosphere. - 特許庁

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In. - 特許庁