「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

（Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）メタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤とを含有する硬化性組成物。例文帳に追加

The curable composition comprises (A) particles mainly composed an oxide of at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, germanium, indium, tin, antimony, and cerium and having a polymerizable unsaturated group; (B) a compound having a methacryloyl group of an acryloyl group; (E) a photopolymerization initiator; and (F) a solvent. - 特許庁

原稿読み取り機に用いる原稿台ガラスにおいて、ガラス基板２に予め化学強化または風冷強化を施し、その後ガラス基板２の少なくとも一方の表面２ａに錫をドープした酸化インジウムからなる膜（ＩＴＯ膜）１を形成し、このＩＴＯ膜１の膜厚ｔを、１５ｎｍ〜２０ｎｍとした。例文帳に追加

The original table glass used for an original reader is obtained by subjecting a glass substrate 2 to chemical strengthening or strengthening by air blast cooling and then depositing a film comprising tin doped indium oxide (ITO film) 1 on at least one surface 2a of the glass substrate 2 in 15-20 nm thickness (t). - 特許庁

例えば、この負極板は、金属ニッケルの粉末を焼結して得た焼結式ニッケル基板を、硝酸カドミウムおよび硝酸インジウムの混合水溶液に浸漬し、乾燥、アルカリ処理、水洗、乾燥する工程を、主活物質であるカドミウム成分が略所定量となるまで繰り返し、その後化成処理を行うことにより得ることができる。例文帳に追加

For example, this negative electrode plate can be obtained by repeating a process immersing a sintered type nickel substrate obtained by sintering powder of metal nickel in a mixed water solution of cadmium nitrate and indium nitrate, drying, carrying out an alkali treatment, washing and drying until a cadmium component which is the main active material reaches almost an specified amount, then performing conversion treatment. - 特許庁

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法において、前記分散剤として、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いる。例文帳に追加

In the manufacturing method, slurry is prepared by mixing water, organic binder and dispersant in raw powder of metal oxide containing indium oxide powder, and pulverizing the mixture, granulated powder is obtained by drying and spraying the slurry, the obtained granulated powder is compacted, and, by firing the obtained compact, the sputtering target is obtained. - 特許庁

工程（Ａ）：インジウムを金属原子の主成分として含有し且つアモルファス状態の金属酸化物膜に、集光されたレーザーの照射により、構造が変化した構造変化部を形成する工程；工程（Ｂ）：構造変化部が形成された金属酸化物膜におけるアモルファス状態部のみをエッチング液により選択的に溶解させる工程金属酸化物膜は、ガラス製基板上に形成されていてもよい。例文帳に追加

The metallic oxide film can be formed on a substrate made of glass. - 特許庁

アルミニウム基板上に、（Ａ）珪素とアルカリ金属とを含む非結晶性酸化物と、（Ｂ）アルミウム、珪素、チタン、スズ、インジウム、ジルコニウム、鉄からなる群より選択される少なくとも一つの元素の結晶性酸化物とを、両者の固形分重量比率〔（Ａ）／（Ｂ）〕が１〜１０の範囲となる量で含有する親水層を有することを特徴とする。例文帳に追加

The original plate for lithographic printing plate is provided, on the aluminum substrate, with a hydrophilic layer containing (A) an amorphous oxide containing silicon and alkaline metal, (B) the crystalline oxide of at least an element selected from a group consisting of aluminum, silicon, titanium, tin, indium, zirconium and iron in the amount so that the solid constituent weight ratio [(A)/(B) is within 1-10. - 特許庁

本発明の表示装置は、透光性を有する基板２０と、基板２０の一面に形成された有機ＥＬ素子５０等の発光素子と、基板２０の発光素子が形成された側と反対側の面に、基板側から順次積層されたインジウム錫酸化膜３１Ａおよびチタン膜３１Ｂからなる低反射層３１とを備えている。例文帳に追加

This display device includes a translucent substrate 20, a light-emitting element such as an organic EL element 50 formed on the surface of the substrate 20, and a low reflective layer 31 consisting of an indium tin oxide film 31A and a titanium film 31B laminated in order from the substrate side on the opposite surface to the surface of the substrate 20 on which the light-emitting element is formed. - 特許庁

水不溶性担体と金属からなる細胞吸着材であって、該水不溶性担体の表面に、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、銅、亜鉛、銀、インジウム、スス、ランタニドから選ばれる１種以上の金属が存在している細胞吸着材、及び、当該細胞吸着材と細胞を接触させる工程を含む、細胞の回収方法。例文帳に追加

The cell adsorbent comprises a water-insoluble substrate and a metal, wherein the cell adsorbent has at least one metal selected from aluminum, titanium, chromium, iron, cobalt, copper, zinc, silver, indium, tin and lanthanides on the surface of the water-insoluble substrate, and the method for recovering the cells comprises a step for bringing the cell adsorbent into contact with the cells. - 特許庁

液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like. - 特許庁

本発明に係るスズ合金形成用メッキ液は、インジウム又は亜鉛を含む一つ以上の金属塩と、スズ塩と、当該金属塩の金属イオン及び当該スズ塩のスズイオンに電子を伝達して被メッキ物上にスズ合金皮膜を形成する水素化ホウ素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤とを含む。例文帳に追加

The plating solution for forming a tin alloy contains: one or more metal salts each containing indium or zinc; a tin salt; and at least one reducing agent selected from the group consisting of boron hydride compounds, in which the reducing agent provides electrons to metal ions of the metal salts and tin ions of the tin salt to form a tin alloy film on an object to be plated. - 特許庁

導電性材料と、ホウ素元素０．００１〜１質量％とを含有し、且つ、重量平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする導電性微粒子及びインジウム、錫及び亜鉛の少なくとも一種の酸化物を含有する導電性材料粉末と、ホウ酸とを混合し、不活性ガス下で加熱処理する導電性微粒子の製造方法である。例文帳に追加

In this manufacturing method, the conductive particulates which contain conductive material and 0.001 to 1 wt.% of boron element and in which the weight average particle diameter is 0.1 μm or less, conductive material powders containing at least one of oxide of indium, tin, and zinc, and boric acid are mixed, and heat-treated in the inert gas. - 特許庁

透光性を有する基材上に酸化チタン、インジウム錫オキサイド、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム及び酸化セリウムからなる郡から選ばれる少なくとも１種の化合物からなる第一層を形成する工程、第一層の上にペルヒドロポリシラザンを塗布し、焼成してシリカ層を形成する工程を含むことを特徴とする反射防止膜付き基材の製造法。例文帳に追加

The manufacturing method for the base material provided with the antireflective film includes a stage of forming a 1st layer of at least one kind of compound selected from a group of titanium oxide, indium tin oxide, tin oxide, zirconium oxide, and cerium oxide on a light-transmissive base material and a stage of coating the 1st layer with perhydropolysilazane and baking it to form a silica layer. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１のチャネル領域に、インジウム（Ｉｎ）を導入する工程と、その後、シリコン酸化膜の粘性流動が起こる温度以上の温度（約１０００℃）で熱処理することによって、シリコン基板１の主表面上にゲート酸化膜５を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device fabrication method is provided with a process for introducing indium (In) into a channel region of a silicon substrate 1 and a subsequent process for forming a gate oxide film 5 on the silicon substrate 1 by implementing heat treatment at a higher temperature (about 1,000°C) than that at which a viscous flow of the silicon oxide film occurs. - 特許庁

インジウム化合物、及びＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選択される２以上の元素を含有する化合物を含む懸濁液を調製し、前記懸濁液を熱プラズマ中に供給して気化混合物とし、前記混合物を冷却する酸化物導電性材料の製造方法。例文帳に追加

This is the manufacturing method of the oxide conductive material adjusts a suspension containing a compound composed of an indium compound and two or more elements selected from a group composed of Sn, Zn, Mg, Ni, Al, Ga, Si, and Ge, obtains a vaporized mixture by supplying the suspension into thermal plasma, and cools the mixture. - 特許庁

インジウムの酸化物等導電性薄膜の破砕片で、厚さが５〜１０００ｎｍ、平均直径が０．５〜５００μｍである導電性箔粉、及びこの導電性箔粉を含有した樹脂を成形した導電性箔粉含有のフイルム、シート、塗布膜、糸状体及び任意形状の成形体であるところの樹脂成形体。例文帳に追加

The conductive foil powder is broken chips of a conductive thin film of indium oxide or the like and has 5-1000 nm thickness and 0.5-500 μm average diameter and the molding is formed by molding the resin containing the conductive foil powder into the film, the sheet, the coating film, the filamentous body or the optional shaped molding. - 特許庁

酸素イオン導電性を有する固体電解質１の表面に形成した一方の電極２ａの表面に形成した可燃性ガスを酸化する第一触媒３ａと、もう一方の電極２ｂの表面に形成した水素を選択的に酸化する酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化スズのうち少なくとも一つを含む第二触媒３ｂを備えたものである。例文帳に追加

The gas sensor has the first catalyst 3a for oxidizing combustible gas which is formed on the surface of one electrode 2a formed on the surface of a solid electrolyte 1 having oxygen ion conductivity, and the second catalyst 3b which contains at least one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide for selectively oxidizing hydrogen formed on the surface of other electrode 2b on the surface of the solid electrolyte 1. - 特許庁

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層の表面に凹凸が形成されてなり、かつ、前記正電極が、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む半導体膜からなる半導体発光素子。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element is provided with the positive electrode formed on the p-type semiconductor layer through the p-type contact layer, and the recesses and projections are formed on the surface of the p-type contact layer while the positive electrode is constituted of the semiconductor film comprising at least one kind of an element selected from a group composed of zinc, indium, tin and magnesium. - 特許庁

また酸化珪素及び酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物からなる第１の電極層と、第１の電極層上に電界発光層と、前記電界発光層上に第２の電極層とを有し、電界発光層は、第１の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有するように表示装置を作製する。例文帳に追加

Moreover, the display device is fabricated so that it has the first electrode layer consisting of an indium-zinc oxide containing silicon dioxide and tungsten oxide, the electroluminescent layer on the first electrode layer, and the second electrode layer on the electroluminescent layer, and so that the electroluminescent layer has a layer that is contacted with the first electrode layer and that contains an organic compound and an inorganic compound. - 特許庁

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。例文帳に追加

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8. - 特許庁

半導体チップ２として、端子４の最上層４ｃが金、銀、銅、スズ、インジウムのうちのいずれか一種からなり、配線６が、金、銀、銅のうちのいずれか一種からなる金属微粒子の焼結体によって形成され、配線６と端子４との間の接続部の少なくとも一部が、エピタキシャル成長している。例文帳に追加

In the semiconductor chip 2, uppermost layer 4c of the terminal 4 is composed of any one kind of gold, silver, copper, tin or indium, the wiring 6 is formed of sintered body of fine metal particles composed of any one kind of gold, silver or copper, and at least a part of joint between the wiring 6 and the terminal 4 is grown epitaxially. - 特許庁

酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。例文帳に追加

The transparent conductive film is formed by using a sputtering target comprising: indium oxide as an essential component; at least one metal chosen from a first metal group M1 consisting of W, Mo, Nb, Ni, Pt and Pd, or an oxide of the metal; and an oxide of at least one metal chosen from a second metal group M2 consisting of lanthanoid metals. - 特許庁

紫外線カットフィルタは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする微粒子１にインジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）および鉄（Ｆｅ）のうち少なくとも一種の金属がドープされていて、このドープ金属の濃度が当該微粒子の表面から中心に向かうに従って低下するように構成された材料から形成されている。例文帳に追加

The ultraviolet cut filter is made of a material, which is composed so that fine particles 1 mainly consisting of zinc oxide (ZnO) are doped with at least one kind of metals from indium (In), bismuth (Bi), and iron (Fe) and the concentration of these dope metals is gradually lowered toward the center of the fine particle from the surface thereof. - 特許庁

包装シートは、金属光沢面を有する基材２と、金属光沢面上に設けられた赤外線の鏡面反射率の低い第一印刷層３と、該赤外線の鏡面反射率の低い印刷層上に設けられたアンチモンドープ酸化錫又は錫ドープ酸化インジウムを含む第二印刷層４とからなる。例文帳に追加

The packaging sheet includes: a substrate 2 with a metallic luster face; a first printing layer 3 provided on the metallic luster face and having a low specular surface reflectivity of infrared rays; and a second printing layer 4 provided on the printing layer of the low specular surface reflectivity of the infrared rays and including antimony-doped tin oxide or tin-doped indium oxide. - 特許庁

（Ａ）重合性不飽和基を有し、かつ、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモンおよびセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とする粒子 ５〜８５重量％、（Ｂ）多官能重合性有機化合物 １０〜９０重量％、及び（Ｃ）式（１）の反応性ポリシロキサン化合物 ０．１〜５重量％を含有する硬化性組成物。例文帳に追加

The curable composition comprises (A) 5-85 wt.% of particles, (B) 10-90 wt.% of a multi-functional polymerizable organic compound and (C) 0.1-5 wt.% of a reactive polysiloxane compound. - 特許庁

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してＥＰＭＡによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Ｓｎ濃度が１０〜５０質量％の領域の比率が７０面積％以上である。例文帳に追加

In this oxide sintered compact obtained by mixing and sintering each powder of zinc oxide, tin oxide and indium oxide, when performing in-plane composition mapping by EPMA to the oxide sintered compact, the ratio of a region having an Sn concentration of 10-50 mass% occupied in the measured area is ≥70 area%. - 特許庁

塩化錫を含む第１の抵抗体溶液１１と、前記塩化錫とは沸点が異なるアンチモン、鉄、バナジウム、クロム、ニッケル、モリブデン、マンガン、銅、亜鉛、ビスマス、コバルト、インジウムから選ばれた一つの塩化物を含む第２の抵抗体溶液１２とをそれぞれ別個に気化または噴霧させて、基体表面に金属酸化物皮膜を形成するようにしたものである。例文帳に追加

A first resistor solution 11 comprising tin chloride, and a second resistor solution 12 comprising one chloride of a metal selected from among antimony, iron, vanadium, chromium, nickel, molybdenum, manganese, copper, zinc, bismuth, cobalt, and indium whose boiling point is different from tin chloride are separately vaporized or sprayed to form a metal oxide coat on the surface of a substrate. - 特許庁

前記透明電極の表面における凹凸の２乗平均が３０ｎｍ以下である態様、前記透明電極がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）である態様、前記基材がジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）で形成された態様、共振器型有機発光素子として用いられる態様、などが好ましい。例文帳に追加

A state with the mean square of unevenness on the surface of the transparent electrode being 30 nm or smaller, the state that the transparent electrode formed of an indium tin oxide(ITO), the state that the base material formed of zirconia stabilized yttrium(YSZ), and the state that the element used as an resonator type organic luminescent element are preferable. - 特許庁

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。例文帳に追加

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering. - 特許庁

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。例文帳に追加

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved. - 特許庁

アセチルアセトンインジウムと有機錫化合物を溶剤に溶解させた後、熱分解性又は燃焼性を有する感光性樹脂と希釈液を加えた透明導電膜形成用感光性塗布液を用い、この塗布液を基材上に塗布、乾燥し、露光、現像を行って微細なパターンを形成し、４００℃以上の温度で焼成して透明導電パターン膜を形成する。例文帳に追加

The photosensitive coating liquid for transparent conductive film formation with indium acetylacetone and an organic tin compound dissolved in a solvent, and then with photosensitive resin with a pyrolytic property and combustibility and a diluted liquid added, is coated on a substrate, dried, exposed, and developed to form fine patterns, which are baked at a temperature of 400°C or more to form a transparent conductive pattern film. - 特許庁

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の１Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。例文帳に追加

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas. - 特許庁

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の２Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。例文帳に追加

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas. - 特許庁

下記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）： （Ａ）インジウム、アンチモン、亜鉛及び錫よりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とする粒子、 （Ｂ）分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物、 （Ｃ）シリコーン系界面活性剤、 （Ｄ）溶剤、 を含有する液状硬化性組成物。例文帳に追加

This liquid state curable composition contains the following components (A), (B), (C) and (D): (A) particles consisting mainly of an oxide of at least one element selected from the group consisting of indium, antimony, zinc and tin, (B) a compound having two or more polymerizable unsaturated groups in its molecule, (C) a silicone-based surfactant, and (D) a solvent. - 特許庁

本発明の塗料は、セシウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、スズの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする電子放射性物質と、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、ケイ素、バナジウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。例文帳に追加

The coating material contains the electron emissive material containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of caesium, zinc, indium, gallium, and tin, and a material for forming a protective film containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of yttrium, aluminum, zirconium, hafnium, niobium, silicon, vanadium. - 特許庁

インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするＩＺＯ透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるＩＺＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium zinc oxide(IZO) sputtering target capable of improving target density, uniformizing and refining crystal grain size, increasing deflective strength, stabilizing electric discharge at sputtering, and stably forming a transparent conductive film with superior reproducibility, with a view to carrying out improvement without losing the characteristics of an IZO transparent conductive film composed essentially of an indium zinc oxide, and its manufacturing method. - 特許庁

インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた金属の微粒子、これらの金属の２種以上の金属からなる合金の微粒子、又はこれら微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成する。例文帳に追加

After applying, on a substrate, a dispersion solution comprising particulates of metals chosen from indium, tin, artimony, aluminum, and zinc, particulates of an alloy composed of two or more kinds of metals out of these, or a mixture of these particulates, their burning in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere, and a reducing atmosphere is performed, and burning in an oxidizing atmosphere is performed after that. - 特許庁

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。例文帳に追加

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order. - 特許庁

導電性材料としては、酸化亜鉛（ドーパント物質としてアルミニウムを添加）や酸化チタン等の白色系金属酸化物あるいは、酸化チタンのような白色系材料表面に酸化スズ（ドーパント物質としてアンチモンを添加）や酸化インジウム（ドーパント物質としてスズを添加）の透明導電性膜が形成されたものが使用される。例文帳に追加

As the conductive material, zinc oxide (aluminum is added as a dopant material) or the material obtained by forming a transparent conductive film of tin oxide (antimony is added as the dopant material) or indium oxide (tin is added as the dopant material) on the surface of a white metal oxide such as titanium oxide or a white material such as titanium oxide is used. - 特許庁

銀系薄膜３と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２、４とを積層して構成される多層導電膜５を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。例文帳に追加

At the time of subjecting a multilayer electrically conductive film 5 composed by laminating a silver series thin film 3 and transparent oxide thin films 2 and 4 essentially consisting of indium oxide to etching with an etchant essentially consisting of sulfuric acid and nitrid acid, the etching is executed by using an etchant contg. a buffer for suppressing the volatilization of nitric acid. - 特許庁

基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。例文帳に追加

This is the substrate with the transparent conductive film which is equipped with the transparent conductive film at least on one face of the substrate, and in which the transparent conductive film is equipped with a first thin film layer composed of zinc oxide and a second thin film layer composed of indium oxide containing tin sequentially from the substrate side. - 特許庁

無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。例文帳に追加

The inorganic solid ion conductor contains one or a plurality of amorphous metal oxides selected from a group consisting of silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, cerium oxide, niobium oxide, tin oxide and indium oxide, and monovalent, bivalent or trivalent metal ions contained in the metal oxides, and has ion conductivity of 1×10^-7 S cm^-1 or higher at 25°C (room temperature). - 特許庁

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする発光素子を搭載するための基板であって、発光素子からの発光を基板外部へ効率よく放出し、かつ基板外部へ放出される発光の方向を制御できる基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate which is used for mounting a luminous element containing, as a main component, at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, and which enables efficient discharge of light emitted from the luminous element to the outside of the substrate and control of the direction of the emitted light discharged to the outside of the substrate. - 特許庁

紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と溶剤とを含有する感光性透明導電膜形成用塗布液において、透明導電膜形成材料として、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）を含む化合物と有機酸から生成したヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体を含有せしめる。例文帳に追加

In a coating solution for forming a photosensitive transparent conductive film including an ultraviolet rays hardening type or an ultraviolet rays collapse type of photosensitive resin and solvent, it permits a chelate complex coordinated with an organic coordination to be included into a combination including indium (In) and tin (Sn) as a material for forming a transparent conductive film and a hydroxy compound created from an organic acid. - 特許庁

水中で、触媒として０価のインジウムの存在下、式Ｉで表されるケトフェノン例えばアセトフェノンと、式ＩＩで表されるα−置換アリルボロネート例えばピナコリルα−メチルアリルボレートとを反応させることにより、ホモアリルアルコールである３−メチル−２−フェニルペント−４−エン−２−オールを得る。例文帳に追加

Provided is the method for producing the homo allyl alcohol, such as 3-methyl-2-phenylpent-4-en-2-ol, which comprises reacting a ketophenone represented by formula I, such as acetophenone, with an α-substituted allyl boronate represented by formula II, such as pinacolyl α-methyl allyl borate, in the presence of zero-valent indium as a catalyst in water. - 特許庁

インジウムの蒸着にて形成される金属色層１５から金属色の発せられるようになった基礎成形体１を所定の型内に設置するとともに、その金属色を呈する金属色層１５の面側に、透明性を有するものであって基礎成形体１１よりも低融点のＰＣまたはＰＭＭＡ等からなる熱可塑性合成樹脂材にて形成される表面被覆層５を設ける。例文帳に追加

The basic molding 1 formed to emit metal color from a metal color layer 15 formed by vapor deposition of indium is installed in a predetermined mold, and a surface coating layer 5 formed of a thermoplastic synthetic resin material comprising PC, PMMA, or the like transparent and lower in fusing point than the basic molding 11 is provided on the surface side of the metal color layer 15 assuming the metal color. - 特許庁