「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

化粧品として許容される媒体中に懸濁させた、金、銀、インジウム、銅、ケイ素及びイットリウム等からなる金属元素、半金属、金属合金、もしくは金属元素または半金属の炭化物または窒化物の粒子を含む透明な髪用化粧品組成物。例文帳に追加

This transparent hair cosmetic composition comprises particles of a metal element, a metalloid, a metal alloy, a carbide or a nitride of the metal element or the metalloid composed of gold, silver, indium, copper, silicon, yttrium, etc., dispersed in a medium acceptable as a cosmetic. - 特許庁

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも１つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。例文帳に追加

In the production method, a mixture containing at least one group III element selected from among gallium, aluminum, and indium, an alkali metal, and a liquid nitrogen compound is melted by heating, thereby reacting the group III element with the nitrogen compound to grow a group III nitride crystal. - 特許庁

マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、絶縁性金属酸化物により表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又は絶縁性金属酸化物により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。例文帳に追加

The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide. - 特許庁

めっき皮膜が、スズと鉄との二元合金、または、スズと、鉄と、亜鉛、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、銅、銀、金、ビスマス、インジウム、パラジウム、ロジウム、白金、リンおよびホウ素からなる群から選択される少なくとも１種との多元合金からなる。例文帳に追加

The plating film comprises a binary alloy of tin and iron or a multi-element alloy of tin, iron and at least one kind selected from the group consisting of zinc, cobalt, nickel, tungsten, molybdenum, copper, silver, gold, bismuth, indium, palladium, rhodium, platinum, phosphorus, and boron. - 特許庁

金合金が、金３７．５質量％以上５０質量％未満、銀６質量％以上１４質量％以下、亜鉛６質量％以上１０質量％以下、インジウム０．０２質量％以上３質量％以下、ゲルマニウム０．０２質量％以上３質量％以下、残部が銅であることを特徴とする。例文帳に追加

The gold alloy comprises, by mass, 37.5 to <50% gold, 6 to 14% silver, 6 to 10% zinc, 0.02 to 3% indium, 0.02 to 3% germanium, and the balance copper. - 特許庁

外囲器が酸化物系透光性セラミック材料からなる発光管3を備え、発光管3内には、発光物質17としてセリウムハロゲン化物と、ナトリウムハロゲン化物と、タリウムハロゲン化物およびインジウムハロゲン化物が組み合されて封入されている。例文帳に追加

An envelope is provided with an arc tube 3 formed of oxide- based translucent ceramic material, and a cerium halide, a sodium halide, a thallium halide and an indium halide are combined and filled as a luminescent material 17 in the arc tube 3. - 特許庁

本発明のループアンテナは、誘電体基板と、該誘電体基板上に設けられた透明導電膜からなる環状の放射素子とを備えたループアンテナであって、前記透明導電膜はスズドープ酸化インジウム薄膜からなることを特徴とする。例文帳に追加

The loop antenna of this invention is provided with a dielectric substrate and an annular radiation element consisting of a transparent conductive film installed on the dielectric substrate while the transparent conductive film is constituted of a tin doped indium oxide thin film. - 特許庁

セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。例文帳に追加

A highly crystalline single crystal thin film comprising as the main components one or more sorts selected from among gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride is formed by using a sintered compact composed mainly of a ceramic material, especially a translucent sintered compact. - 特許庁

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。例文帳に追加

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element provided with an active layer of quantum well structure, comprising a well layer of a nitride semiconductor containing indium between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer. - 特許庁

反射液晶光弁装置は、透過電極３０ａを通じて投射される高強度の読取り光を受光する液晶材料２２ａの分子の方向を電気的に調整するため電極として使用される、酸化すずインジウム３０ａからなる透過伝導層を含む。例文帳に追加

The reflection liquid crystal light valve system includes transparent conduction layers consisting of indium tin oxide 30a used as an electrode for electrically regulating the direction of the molecules of a liquid crystal material 23a receiving the high-intensity reading light projected through the transparent electrodes 30a. - 特許庁

陰極先端部３５は、インジウム層４３が被覆された高融点金属４１に、易電子放射物質となる金属を含み加熱処理により金属酸化物４５に変化する化合物（金属炭酸塩）を混合して、焼結することにより形成される。例文帳に追加

The cathode tip part 35 is formed by mixing a compound (metal carbonate) containing metal to be the easily electron-emitting matter and changing into a metal oxide 45 by heating with the high-melting metal 41 coated with the indium layer 43 and sintering them. - 特許庁

亜鉛１．０〜１０．０質量％、インジウム０．０１〜０．０５質量％、マグネシウム３．５〜６．５質量％を含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなることを特徴とする低温海水環境流電陽極用アルミニウム合金。例文帳に追加

The aluminum alloy for the galvanic anode in the low- temperature seawater environment includes 1.0-10.0 mass% zinc, 0.01-0.05 mass% indium, 3.5-6.5 mass% magnesium, and aluminum and inevitable impurities as the balance. - 特許庁

この半導体発光素子は、半導体層の表面に、少なくとも亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と、第２の元素Ｂを含む酸化物膜とを有する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element has the conductive oxide film formed of oxide including at least one type of element selected from a group consisting of at least zinc, indium, tin, and magnesium; and an oxide film including a second element B on the surface of the semiconductor layer. - 特許庁

マンガン乾電池用負極缶が、鉛を含有せず、インジウムを０．０１〜０．５重量％含有し、かつニオブおよびベリリウムよりなる群から選択される少なくとも一種を０．００１〜０．５重量％含有する亜鉛合金からなる。例文帳に追加

The negative electrode can for a manganese dry cell is made of a zinc alloy which does not contain lead and contains indium 0.01-0.5 wt%, and contains at least one kind selected from a group of niobium and beryllium 0.001-0.5 wt%. - 特許庁

銅のような導電性材料を、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムまたはそれらの組合せのようなドーパントと合金にし、基板表面上へのドープ済みの層の堆積均一性を改善し、且つ導電性材料の酸化を減少させる。例文帳に追加

An electrically conductive material such as copper is alloyed with a dopant such as phosphorus, boron, indium, tin, beryllium or their combination to improve the uniformity of the deposition of the doped layer onto the surface of the substrate and also to reduce the oxidation of the electrically conductive material. - 特許庁

二酸化マンガンを活物質とする正極合剤、ＣｄおよびＰｂを含まない負極亜鉛缶、並びに糊材を塗着した紙からなるセパレータを具備し、糊材が、亜鉛粉末および塩化インジウムもしくは塩化ビスマスを含むマンガン乾電池。例文帳に追加

This is the manganese dry cell equipped with a positive electrode mixture which has manganese dioxide as an active material, a negative electrode zinc can not containing Cd nor Pb as well as a separator made of paper applied with paste materials, and the paste materials contain zinc powder and indium chloride or bismuth chloride. - 特許庁

本発明の蛍光体表面処理用ペーストは、インジウム及び錫の少なくとも１種を含む化合物と有機酸とから生成したヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、結合剤と、溶剤とを含有したことを特徴とする。例文帳に追加

The paste for treating the surface of a phosphor comprises a chelate complex in which an organic ligand is coordinated with a hydroxy compound formed from a compound containing at least one kind of indium and tin and an organic acid, a binder, and a solvent. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4. - 特許庁

誘電体の一つの面に接して設けられた、インジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有する仕事関数が５．０電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上のｎ型半導体による電極を有するキャパシタである。例文帳に追加

A capacitor has an electrode based on an n-type semiconductor of which the work function is 5.0 eV or more, preferably, 5.5 eV or more, provided in contact with one face of a dielectric and having nitrogen and at least one of indium, tin or zinc. - 特許庁

インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズまたは酸化亜鉛を含む透明導電性膜を基体上に製造する方法であって、酸素の分子状正イオンを基体に照射しながら、透明導電性膜を基体上に蒸着することを特徴とする透明導電性膜の製造方法。例文帳に追加

In the forming method of the transparent conductive film containing an indium-tin oxide (ITO), tin oxide or zinc oxide, the transparent conductive film is deposited on the base substance while irradiating molecular cations of oxygen to the base substance. - 特許庁

リチウム二次電池用正極を、リチウム遷移金属複合酸化物からなる活物質と、酸化スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）で被覆された微粒子からなる導電材と、該活物質および該導電材を結着する結着剤とを含むように構成する。例文帳に追加

The lithium secondary battery positive electrode is constructed to include an active material made of a lithium transition complex oxide, a conductive material made of a minute particle coated with indium oxide (ITO) doped with tin oxide, and a binder binding the active material and the conducting material. - 特許庁

酸性官能基含有アクリレート又はメタクリレート化合物を含む活性エネルギー線硬化性バインダー成分、ジアセトンアルコール、及び錫を含有する酸化インジウム粉末を必須成分とする、活性エネルギー線硬化性導電膜形成組成物。例文帳に追加

The active energy ray-curable electroconductive film-forming composition consists essentially of an active energy ray-curable binder component containing an acidic functional group-containing acrylate or methacrylate compound, diacetone alcohol and the ITO powder. - 特許庁

クライオクーラと再凝縮器との間には圧縮可能なインジウムガスケットが配置されていて、このガスケットは複数の互いに離隔した平行な格子線及び互いに隣接した格子線の末端の中心部分を相互に連結する厚さのより小さいウェブセグメントを含んでいる。例文帳に追加

A recompressible indium gasket 29, which is positioned between a cryocooler and a recondenser, contains web segments 90 and 92 which connect central parts of the terminals of a plurality of separated parallel grating lines and adjacent grating lines to each other and have smaller thicknesses. - 特許庁

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。例文帳に追加

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed. - 特許庁

タンタル酸化物含有スラッジ、例えばタンタル含有ガラス屑、液晶スクラップからインジウム回収時に得られるタンタル残渣、タンタル酸リチウム単結晶切削分、タンタル含有カリウム塩スクラップを出発原料とし、これから高純度タンタル酸化物を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing highly pure tantalum oxide from tantalum oxide-containing sludge, such as tantalum-containing glass scraps, tantalum residues obtained on the recovery of indium from liquid crystal scraps, lithium tantalate single crystal cut dusts or tantalum-containing potassium salt scraps, as a starting raw material. - 特許庁

銀系薄膜３と酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２とで構成される多層導電膜５の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for etching a multilayer electrically conductive film capable of uniformly etching the whole body of a multilayer electrically conductive film coposed of a silver series thin film and a transparent oxide thin film essentially consisting of indium oxide, suppressing residues and side etches and improving the pattern precision thereof. - 特許庁

その半導電性金属酸化物が、インジウム酸化物と、ルテニウム酸化物と、タングステン酸化物と、モリブデン酸化物と、チタン酸化物と、鉄酸化物と、スズ酸化物と、亜鉛酸化物と、ＣｅＯ_２と、Ｇａ_２Ｏ_３と、ＳｒＴｉＯ_３と、ＬａＦｅＯ_３と、Ｃｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３とからなる群から選択される。例文帳に追加

The semiconductive metal oxide is selected from a group consisting of indium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, titanium oxide, iron oxide, tin oxide, zinc oxide, CeO_2, Ga_2O_3, SrTiO_3, LaFeO_3, and Cr_xTi_yO_3. - 特許庁

（１００）面またはその面と結晶学的に等価な面から所定の角度にて傾斜した面を表面とするＧａＡｓ基板上に、少なくともガリウムとインジウムと砒素とアンチモンとを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を形成する。例文帳に追加

A III-V group compound semiconductor layer which contains at least gallium, indium, arsenic and antimony is formed on the GaAs substrate wherein a surface which is sloped from a (100) face or a face equivalent to the (100) face in crystallography at a given angle is made a surface. - 特許庁

２．導電性金属酸化物粒子で基材を被覆した顔料（ｄ）において、導電性金属酸化物粒子が酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれかで被覆した鱗片状のマイカである１項に記載の白色導電性プライマー塗料。例文帳に追加

This white conductive primer coating comprises scaly mica coated with any one of tin oxide, an antimony doped tin oxide (ATO), and a tin doped indium oxide (ITO) as the conductive oxide particles in the pigment (d) obtained by coating the base material with the conductive metal oxide particles. - 特許庁

ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を形成する。例文帳に追加

A nitride semiconductor quantum structure is formed which has an (n) or (i) type positive hole injection layer on a (p) type semiconductor substrate and includes at least indium and gallium at a long distance enough from the (p) type semiconductor substrate to inject positive holes. - 特許庁

透明絶縁基板上に、スパッタリング法により酸化インジウム錫薄膜を形成する方法であって、チャンバ内に配置された前記基板の温度を、前記薄膜の膜厚が増大するにつれて、連続的又は段階的に低下させる。例文帳に追加

This indium tin oxide thin film is formed on a transparent insulating substrate by a sputtering method by continuously or step by step lowering the temperature of the substrate put inside a chamber with increase in the thickness of the thin film. - 特許庁

さらに好ましくは、銀（Ａｇ）を４０乃至５０重量パーセント、銅（Ｃｕ）を１０乃至２０重量パーセント、亜鉛（Ｚｎ）を１０乃至２０重量パーセント、カドミウム（Ｃｄ）を２０乃至２５重量パーセント、インジウム（Ｉｎ）を１乃至５重量パーセント含有するのが良い。例文帳に追加

Further preferably, the silver solder material contains 40 to 50 wt.% silver (Ag), 10 to 20 wt.% copper (Cu), 10 to 20 wt.% zinc (Zn), 20 to 25 wt.% cadmium (Cd), and 1 to 5 wt.% indium (In). - 特許庁

基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。例文帳に追加

The sintered compact composed mainly of a ceramic material, especially translucent sintered compact is used as the substrate to form a highly crystalline single crystal thin film composed mainly of at least one or more kinds selected from among gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, on the substrate. - 特許庁

高プロトン導電性ガラスは、ガラスを１００重量％としたとき、１００重量％のうち、リン酸化物が２６〜７７重量％含有されていると共に、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、インジウム酸化物のうち１種または２種以上が０．００５〜１５重量％含有されている。例文帳に追加

The high proton-conductive glass contains the phosphorus oxide in an amount of 26-77 wt.% and one or more kinds of tungsten oxide, molybdenum oxide and indium oxide in an amount of 0.005-15 wt.%, when the amount of the glass is set as 100 wt.%. - 特許庁

半導体レーザ素子１０には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層１１が少なくともｎ型とｐ型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器１２が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor layer element 10, a resonator 12 where a quantum well active layer 11 constituted of a barrier layer formed of gallium nitride and a well layer formed of indium gallium nitride is sandwiched by optical guide layers constituted of n-type and p-type aluminium gallium nitride from upper/lower directions is formed. - 特許庁

チャネル層、電子供給層の表面状態に改善し、インジウム組成を均一とすることにより、均一な相互コンダクタンスやピンチオフ電圧を有するＧａＩｎＰ系高電子移動度電界効果トランジスタ用途の積層構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated structure for GaInP system high electron mobility field effect transistor, which has uniform mutual conductance and pinch-off voltage, by improving the surface states of a channel layer and an electron supply layer and making the indium composition to be uniform. - 特許庁

複数の柱状ナノ構造体１３が表面上に形成された基板１１が設置されたチャンバ内に対して、ガリウム化合物又はアルミニウム化合物を含む第１のIII族原料ガスと、Ｖ族原料ガスと、インジウム化合物を含む第２の原料ガスを供給する。例文帳に追加

A first group III material gas containing a gallium compound or an aluminum compound, a group V material gas, and a second material gas containing an indium compound are supplied to a chamber in which a substrate 11 formed with a plurality of columnar nano-structures 13 on a surface is installed. - 特許庁

スズを添加したインジウム酸化物を主成分とする透明導電膜を形成した液晶表示装置用カラーフィルタにおいて、透明導電膜１４上に厚さ５０ｎｍから１５０ｎｍの珪素酸化物の膜１７を形成したこと。例文帳に追加

In the color filter for the liquid crystal display device with a transparent conductive film having indium oxide with tin added thereto as a main component formed thereon, a silicon oxide film 17 with 50-150 nm thickness is formed on the transparent conductive film 14. - 特許庁

窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）をクラッド層材料としてその格子定数と窒化ガリウム（ＧａＮ）材料の相互マッチング目的を達成し、エピタキシャル成長時の応力過大によるエピタキシャル結晶の不良な特性の形成を防止する。例文帳に追加

The mutual matching purpose of the lattice constant and the gallium nitride (GaN) material is achieved with an aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) as a clad layer material, and a defective performance of an epitaxial crystal caused by an overstress at the time of the epitaxial growth is prevented. - 特許庁

塗布型の透明導電膜等の材料として好適な銀添加スズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法を提供し、得られた粒子を利用して透明性および導電性に優れた塗膜を有する導電性シートを実現する。例文帳に追加

To provide a silver added tin-containing indium oxide particle suitable as a material for coating type transparent conductive film or the like, a method of manufacturing the same and a conductive sheet having coating film excellent in transparency and conductivity using the resultant particle. - 特許庁

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。例文帳に追加

The main of a composite oxide sintered compact for forming the transparent thin film is the crystal of a compound which contains an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) and whose formula is denoted as In_2Ga_2ZnO_7. - 特許庁

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする高品質の単結晶薄膜を得、該単結晶薄膜が形成された薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子を実現する。例文帳に追加

To obtain a high-quality single crystal thin film essentially comprising at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, to obtain a thin film substrate furnished with the above single crystal thin film, and to obtain a light emitting element having excellent luminous efficiency. - 特許庁

光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた、酸化インジウムを含む第１の保護層と、第１の保護層に隣接した、酸化チタン、酸化ジルコニウム、または酸化スズを含む第２の保護層とを備える。例文帳に追加

An optical recording medium comprises: an inorganic recording layer; a first protective layer installed on at least one surface of the inorganic recording layer and containing indium oxide; and a second protective layer adjacent to the first protective layer and containing titanium oxide, zirconium oxide or tin oxide. - 特許庁

（Ａ）硬化性シリコーンゴム組成物 １００質量部、および （Ｂ）ランタノイド元素、イットリウムおよびインジウムからなる群より選択される少なくとも一種の金属元素の酸化物 ０．１〜５０質量部を含有してなる電極保護用シリコーンゴム組成物。例文帳に追加

The silicone rubber composition for electrode protection comprises (A) 100 parts by mass of a curable silicone rubber composition and (B) 0.1-50 parts by mass of an oxide of at least one kind of a metal selected from the group of a lanthanoide element, yttrium and indium. - 特許庁

第二成分を分散させた新規なマグネシウムイオン、カルシウムイオン、バリウムイオン等の２価イオンやアルミニウムイオン、希土類イオン、ビスマスイオン、インジウムイオン、ガリウムイオン、タリウムイオン、アンチモンイオン等の３価イオン伝導性固体電解質コンポジット例文帳に追加

NOVEL BIVALENT AND TRIVALENT ION CONDUCTIVE SOLID ELECTROLYTE COMPOSITE DISPERSING SECOND COMPONENT - 特許庁