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インジウムを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1826



例文

そして、金属層13をインジウムとしかつ、青色顔料インク層15と耐候性インク層16とを合わせた厚さを5〜16μmとしたことにより、その青色の光輝を装飾用のメッキ(例えば、クロムメッキ)の光輝に近似させることができる。例文帳に追加

The metal of the metal layer 13 is indium, and the total thickness of the blue pigment ink layer 15 and an anti-weathering ink layer 16 is made 5-16 μm, so that the blue luminosity can be made to approximate the luminosity of decorative plating (for example chromium plating). - 特許庁

第1の電極と第2の電極と、これらの電極間に1種以上の有機層とを有し、少なくとも前記第1の電極および第2の電極のいずれかは、ZnO系透明電極を有し、その他方は酸化インジウム系透明電極を有する構成の有機EL素子とした。例文帳に追加

The organic EL element has a first electrode, a second electrode and one or more kinds of organic layers between the above electrodes, and has a configuration that at least one of the first electrode or the second electrode is a transparent electrode of ZnO series and the other is a transparent electrode of indium oxide series. - 特許庁

金属ハロゲン化物全体に対し、セリウムハロゲン化物は20wt%以上69.0wt%以下、ナトリウムハロゲン化物は30wt%以上79.0wt%以下、タリウムハロゲン化物とインジウムハロゲン化物の合計量は1.0wt%以上20wt%以下が好ましい。例文帳に追加

It is preferable to contain the cerium halide at 20 wt.% to 69.0 wt.%, the sodium halide at 30 wt.% to 79.0 wt.%, and the total quantity of the thallium halide and indium halide at 1.0 wt.% to 20 wt.% to the whole metal halide. - 特許庁

ケイ素とチタンの複合酸化物:10〜30モル%、酸化インジウム:0.5〜30モル%を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。例文帳に追加

This sputtering target for the formation of the optical logging protection film capable of DC sputtering and low in abnormal discharge comprises 10-30 mole % silicic and titanic compound oxide, 0.5-30 mole % indium oxide and the balance of zinc sulfide. - 特許庁

例文

電磁波ノイズ防止シート5は、透光性フィルム、その上部に貼り付けられた薄膜上の透光性金属フィルム、およびその上部に貼り付けられた、酸化インジウムスズからなる開口率が95%の金網から形成される。例文帳に追加

The electromagnetic wave noise prevention sheet 5 is formed of a translucent film, a translucent metal film on a film pasted on top of it, and a metal wire-net having a numerical aperture of 95% made of indium tin oxide pasted on the top of it. - 特許庁


例文

本発明の一実施形態のHDDにおいて、ヘッド・スライダ15のパッド151と伝送線21のパッド212との接合を行う半田接合部19の半田は、Snを主成分とし、15原子%から27原子%のインジウムを含む。例文帳に追加

In the HDD, the solder used in the solder joint 19 connecting the pad 151 of the head slider 15 and the pad 212 of the transmission line 21 contains Sn as the main component and 15 to 27 atom% of indium. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレートシート(フィルム)やポリカーボネートシート、ポリ(アミド)イミドシート、フレキシブル配線基板、ガラスといった基材、あるいはこれらにITO(インジウムチンオキシド)を蒸着したものに対して、粘着性、接着性に優れる接着剤用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for an adhesive having excellent pressure-sensitive adhesion and adhesion to a substrate such as polyethylene terephthalate (film), a polycarbonate sheet, a poly(amide)imide sheet, a flexible wiring board or glass or a material prepared by vapor depositing ITO (indium tin oxide) thereon. - 特許庁

構成成分としてカドミウムなどの有害物質を含まず、数100V以下の低速電子線励起によって赤色発光を示すEu付活インジウムタングステン酸塩蛍光体、発光組成物及び蛍光表示装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain an Eu activated indium tungstate phosphor that does not contain a harmful substance such as cadmium as a constituent component, exhibits a red luminescence by low-velocity electron beam excitation at several hundred volts or below and a light-emitting composition and to provide a fluorescent display. - 特許庁

廃液晶パネルから、少ない労力とエネルギーにて、大がかりな設備を使用せず、素材を分離し、有価物であるインジウムおよび重量の大半を占めるガラスを素材として再生利用することが可能となる液晶パネルの再資源化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recycling liquid crystal panel by which indium which is valuables and glass which makes up most of weight, can be recycled as materials by separating the materials from a waste liquid crystal panel with minimized labor and energy and without using large-scale equipment. - 特許庁

例文

あるいは、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが、LiNi_1-xM_xO_2で表される複合酸化物の粒子の表面を被覆しているか、あるいは、前記粒子の表面または表面近傍に微細粒子として存在する。例文帳に追加

Alternatively, the surfaces of particles of the compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 are coated with one of the compound including indium, the compound including tin and the compound including tantalum, or one of these compounds exists on the surfaces of particles or near the surfaces as fine particles. - 特許庁

例文

電極としてインジウム錫酸化物(ITO)を用いることなく、発電効率の高いバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池、及びそのような発電効率の高いバルクヘテロ型有機薄膜太陽電池の簡易な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a bulk-heterojunction organic thin-film solar cell which has high power generation efficiency without using indium tin oxide (ITO) as an electrode, and to provide a method for simply manufacturing the bulk-heterojunction organic thin-film solar cell with high power generation efficiency. - 特許庁

本発明によれば、窒化物半導体層とインジウムを含む層とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を1に近づけることができる。例文帳に追加

According to the present invention, by forming a Schottky junction of a nitride semiconductor layer and a layer containing indium makes it possible to suppress the reverse leakage current in a Schottky junction and bring the ideal factor of forward current close to 1. - 特許庁

酸化インジウムを主成分として、酸化タングステンを0.1〜10質量%含むスパッタリングターゲットをホットプレス法で製造する場合において、ターゲット用試料粉末とホットプレス用型の間に黒鉛粉末を介在させてホットプレスを行う。例文帳に追加

This method for manufacturing the sputtering target containing indium oxide as a main component and 0.1 to 10 mass% tungsten oxide by a hot pressing process, includes hot-pressing the powder for the target in the state of placing graphite powder between the powder for the target and a die for the hot pressing. - 特許庁

また、日射遮蔽膜は前記方法により得られた日射遮蔽膜形成用インジウム錫酸化物微粒子からなり、可視光透過率80%以上のときの波長域300〜2100nmにおける日射透過率が70%未満で、へイズ値が1%未満であることを特徴とする。例文帳に追加

Thus treated indium-tin oxide particles give a sunshine-screening film which, when the visible ray transmittance is 80% or higher, has a sunshine transmittance of lower than 70% and a haze value of lower than 1% in the wavelength range of 300-2,100 nm. - 特許庁

前記有機バインダーとして、ケン化度85mol%〜94mol%、重合度200〜700のポリビニルアルコールを、酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合計質量に対して1.0質量%〜3.0質量%の添加量として使用する。例文帳に追加

Here, polyvinyl alcohol having a saponification number of 85-94 mol% and a polymerization degree of 200-700 is used as the organic binder and is added in an amount of 1.0-3.0 mass% against the total mass of the indium oxide powder and the tin oxide powder. - 特許庁

本発明はLEO法を利用してGaNを側面成長させる際インジウム(In)ドーピングを通してGaNの側面成長速度を増加させ、より短時間内にGaN層を形成するInドーピングを通したGaN側面成長方法に関するものである。例文帳に追加

To reduce the manufacturing period for a device and to improve its productivity by increasing the lateral growth rate of GaN by doping with indium (In) during laterally growing GaN by an LEO (lateral epitaxial overgrowth) method. - 特許庁

透明電極5,6は、インジウムを主成分とする被蒸発物質を用いてイオンプレーティング法によりガラス基板1,2に成膜されて成り、さらに、光透過率が波長400nmで85%以上、波長350nmで70%以上である。例文帳に追加

The transparent electrodes 5, 6 are formed on the glass plates 1, 2 by ion plating method using an evaporation material containing indium as a main component, of which, the light transmission rate at the wave length of 400 nm is not less than 85%, and not less than 70% at 350 nm. - 特許庁

錫含有水酸化インジウムを不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で焼成し、大気中に暴露する前に、0℃以上100℃以下の温度で、水分を含む、不活性ガスおよび/または還元性ガス雰囲気下で所定の時間処理してITO粉体を製造する。例文帳に追加

The ITO powder is manufactured by firing tin-containing indium oxide in an atmosphere of an inert gas and reducing gas and processing the same for the prescribed time in the inert gas and/or reducing gas atmosphere including moisture at temperature of ≥0 to100°C prior to exposure into the atmospheric air. - 特許庁

この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Pr/In原子数比で0.020〜0.050のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、CIE1976表色系におけるL^*値が60〜95であることを特徴とする。例文帳に追加

The oxide evaporation material is constituted of a sintered body containing 0.020 to 0.050 of praseodymium at a Pr/In atomic ratio with indium oxide as a main component, and an L^*value in a CIE1976 color system is 60 to 95. - 特許庁

TFTアレイ基板11において、ゲート配線13およびゲート電極17を構成材料として、銀を主成分とし、少なくとも、錫、亜鉛、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウムから選ばれる1種類以上の元素を含む銀合金材料を用いる。例文帳に追加

In a TFT (Thin Film Transistor) array board 11, as the component material for gate wiring 13 and a gate electrode 17, the silver alloy material consisting essentially of silver and comprising at least one or more kinds of elements selected from tin, zinc, lead, bismuth, indium and gallium is used. - 特許庁

蛍光体は、(a)イットリウムと、ユウロピウム以外のランタニド系列の元素からなる群から選択される少なくとも1つの第1の金属と、(b)アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びスカンジウムからなる群から選択される少なくとも1つの第2の金属と、(c)ホウ素と、(d)ユウロピウムとを含む。例文帳に追加

The phosphor contains: (a) a first metal selected at least one kind from the elements belonging to the lanthanide series other than yttrium and europium; (b) a second metal selected at least one kind from the group consisting of aluminum, potassium, indium and scandium; (c) boron; and (d) europium. - 特許庁

本発明に係るオゾンセンサは、基板10の表面がガスクラスタイオン照射などで平均粗さ0.05マイクロメートル以下に平滑化されており、その上ににオゾン感応抵抗変化層20として厚さ0.3ないし0.5マイクロメートルの酸化インジウム膜を用いている。例文帳に追加

In the ozone sensor, the surface of a substrate 10 is smoothed to an average roughness of 0.05 μm or less by gas cluster ion irradiation or the like, and an indium oxide film whose thickness is 0.3 or 0.5 μm is used on it as an ozone resistance variation layer 20. - 特許庁

亜鉛を含有する錫酸化物もしくはインジウム酸化物またはこれらの複合酸化物からなる透明電極2と、この透明電極2上に形成され色素4を有する電子輸送層3と、正孔輸送層6とをこの順で下から上に配置した光電変換装置とする。例文帳に追加

The photoelectric conversion device has a transparent electrode 2 made of tin oxide including zinc, indium oxide, or complex oxide composed of the above oxides; an electron transport layer 3 containing dye-stuff 4, formed on the transparent electrode 2; and a hole transport layer 6, arranged one on the other in this sequence. - 特許庁

透明導電膜が、主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる非晶質酸化物膜(a−GIO膜)と、銀若しくは銀を主成分とする合金からなる金属膜(Me膜)で構成され、金属膜を非晶質酸化物膜にて挟持する3層構造を有している。例文帳に追加

The transparent conductive membrane is constituted of an amorphous oxide membrane (a-GIO membrane) mainly constituted of gallium, indium, and oxygen, and the metal membrane (Me membrane) composed of silver or an alloy having silver as the main component, and has a three-layered structure pinching the metal membrane by the amorphous oxide membrane. - 特許庁

硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。例文帳に追加

The mixture of zinc sulfide powder and indium phosphide powder is put in a graphite-made vessel and heated at 1,250±50°C for 50±20 minutes while making an inert gas flow in the graphite-made vessel to produce the zinc phosphide nanoribbon having the branch-shaped part of the zinc sulfide nanowire. - 特許庁

包装フィルムは、金属光沢面を有する基材と、金属光沢面上に設けられたアンチモンドープ酸化錫又は錫ドープ酸化インジウムを赤外線吸収成分として含む第一印刷層と、第一印刷層上に設けられた赤外線の鏡面反射率の低い第二印刷層とからなる。例文帳に追加

The packaging film includes a base material having the glossy metal surface, a first print layer provided on the glossy metal surface and containing an antimony-doped tin oxide or a tin-doped indium oxide as an infrared absorbing component, and a second print layer provided on the first print layer and low in infrared mirror reflectance. - 特許庁

上記第2のITO粉末に酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末を混合し、その混合粉末を粉砕することで、上記第2の平均粒子径よりも小さい第3の平均粒子径を有する第3のITO粉末が作製される。例文帳に追加

The second ITO powder is mixed with indium oxide powder and tin oxide powder, and the powdery mixture is pulverized, thus a third ITO powder having a third average particle diameter smaller than the second average particle diameter is produced. - 特許庁

シュウ酸、ナフタレンスルホン酸縮合物又はその塩、塩酸、硫酸及び水溶性アミン並びに水溶性アミンの塩酸塩、硫酸塩及び炭酸塩のうち少なくとも1種、並びに水を含有する酸化インジウム系透明導電膜用のエッチング液組成物である。例文帳に追加

The etching solution composition for an indium oxide transparent conductive film comprises at least one member selected from oxalic acid, a naphthalene sulfonic acid condensate or a salt thereof, hydrochloric acid, sulfuric acid and a water-soluble amine, and water. - 特許庁

廃液晶パネルから、少ない労力とエネルギーにて、大がかりな設備を使用せず、安全に素材を分離し、有価物であるインジウムおよび重量の大半を占めるガラスを素材として再生利用することが可能である液晶パネルの再資源化方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of recycling a liquid crystal panel, which safely separates materials from a waste liquid crystal panel with less labor and energy without using large equipment and recycles indium being a valuable substance and glass taking a large amount of the weight into materials. - 特許庁

本発明のITO焼結体は、酸化スズを8〜12重量%、並びに元素の周期表の2a族及び4a族元素のうちの少なくとも1種の元素の酸化物を0.001〜0.1重量%含み、残部が酸化インジウムからなる。例文帳に追加

The ITO sintered compact contains 8-12 wt.% tin oxide and 0.001-0.1 wt.% oxide of at least one kind of an element in group IIA elements and IVA elements in the periodic table and the balance indium oxide. - 特許庁

IGZOなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。例文帳に追加

To provide a new gallium oxide powder capable of most densely filling the powder than a conventional one when the powder is subjected to compression molding by mixing with other powder, for example indium oxide powder, so as to be suitable as a raw material for a sputtering target such as IGZO. - 特許庁

本発明の一実施形態に係るITO焼結体の製造方法は、酸化インジウム及び酸化スズを主成分とする焼結片群を容器内で撹拌しながら破砕することで、第1の平均粒子径を有する第1のITO粉末を作製する工程を含む。例文帳に追加

The method for producing an ITO sintered compact includes a step of crushing a group of sintered pieces essentially consisting of indium oxide and tin oxide while being stirred in a vessel so as to produce a first ITO power having a first average particle diameter. - 特許庁

廃液晶パネルから、少ない労力とエネルギーにて、大がかりな設備を使用せず、安全に素材を分離し、有価物であるインジウムおよび重量の大半を占めるガラスを素材として再生利用することが可能である液晶パネルの再資源化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recycling of a liquid crystal panel, capable of recycling indium being valuables and glass being a majority of weight as materials, by safely separating the materials from the waste liquid crystal panel using little labor and energy without the use of large scale equipment. - 特許庁

主面11aと、窒化ガリウム系半導体結晶のc面とのなす角は45°以上135°以下であり、光共振器10,50は、主面11a上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層17,57を有している。例文帳に追加

An angle formed by the main surface 11a and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is45° and ≤135°, and the optical resonators 10, 50 have active layers 17, 57 each including indium and epitaxially grown on the main surface 11a. - 特許庁

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度(スパッタ速度)を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target. - 特許庁

また、電極基板としてステンレス鋼やステンレス鋼よりも貴な金属からなる電極基板、酸化インジウムスズ(ITO)被覆ガラス電極および炭素電極の群から選ばれる少なくとも1種の電極基板を使用することができる。例文帳に追加

At least one electrode substrate selected from the group consisting of electrode substrates of stainless steel and a more noble metal than stainless steel, a glass electrode coated with indium tin oxide (ITO) and at least one kind of the electrode substrate selected from a group of the carbon electrode can be used as an electrode substrate. - 特許庁

酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。例文帳に追加

There is provided the patterned crystalline semiconductor thin film, obtained by forming an amorphous thin film comprising indium oxide as a main component, crystallizing a part of the amorphous thin film to allow the part to be a semiconductor, and removing an amorphous part of the partially crystallized thin film by etching. - 特許庁

酸化インジウムを主成分としセリウムを含むと共に表面から内部まで同一の組成を有する蒸着用酸化物タブレット(酸化物蒸着材)を提供し、かつこの酸化物蒸着材を用いて製造される蒸着薄膜とこの薄膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。例文帳に追加

To provide an oxide tablet for vapor deposition (oxide vapor deposition material) containing indium oxide as a main component, containing cerium and having a same composition from the surface to the inside, and to provide a vapor deposited thin film produced using the oxide vapor deposition material, and a solar battery in which the thin film is used for an electrode. - 特許庁

廃薄型パネルから、少ない労力とエネルギーにて、大がかりな設備を使用せず、安全に素材を分離し、有価物であるインジウムおよび重量の大半を占めるガラスを素材として再生利用することが可能である薄型パネルの再資源化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a recycling method of a thin-type panel which is capable of recycling indium that is valuable and glass that occupies most of the weight of the wasted thin-type panel as a material by safely separating the material with less labor and energy and without a large-scaled installation from the wasted thin-screen panel. - 特許庁

p型クラッド層と反射層との間に亜鉛、インジウム、スズのうち少なくとも一つの金属又は合金で形成された金属層が介在しており、金属層及び反射層形成以後に熱処理工程を経て製作される窒化物系発光素子及びその製造方法である。例文帳に追加

In the nitride light-emitting device and the method for manufacturing the same, a metal layer formed of at least one metal or an alloy of zinc, indium, and tin is interposed between a p-type clad layer and a reflective layer, and the device is manufactured through a heat treatment step after the metal layer and the reflective layer are formed. - 特許庁

メッキ用基体102の表面に銀メッキ層104を形成し、さらに該銀メッキ層の表面に厚さ0.001〜0.1μmの錫またはインジウムまたは亜鉛のメッキ層106を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。例文帳に追加

A plating structure is obtained by heat-treating a silver-plated structure which is produced by forming a plated silver layer 104 on the surface of a substrate 102 to be plated, and further forming a plating layer 106 of tin, indium or zinc with a thickness of 0.001-0.1 μm on the surface of the plated silver layer. - 特許庁

窒化インジウム(InN)を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO_5(REは希土類元素)で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。例文帳に追加

The single crystal substrate for growing a thin film of In_1-(x+y)Ga_xAl_yN being based on indium nitride (InN) consists of a single crystal represented by chemical formula of REBGeO_5 (where RE represents a rare earth element) that belongs to a trigonal system having a stillwellite structure, and has a substrate face in a crystallographic orientation {0001}. - 特許庁

2枚のガラス板が中間膜を介して積層されてなる合わせガラスであって、一方のガラス板が有色透明ガラス板であり、他方のガラス板が可視光線反射ガラス板であり、中間膜が錫ドープ酸化インジウム(ITO)微粒子を含んでいることを特徴とする合わせガラス。例文帳に追加

The laminated glass comprises two glass plates laminated onto each other through an intermediate film and is characterized in that one glass plate is a colored transparent glass plate, the other glass plate is a visible light reflective glass plate and the intermediate film contains a tin-doped indium oxide (ITO) fine particles. - 特許庁

ガリウム(Ga)、インジウム(In)及び/又はスズ(Sn)を含み、常圧下での融点が16℃以下である金属からなる基材と、それに均一に分散した金属からなる微粉末充填剤を含有し、ちょう度が200〜400の範囲内にある放熱グリース組成物を提供する。例文帳に追加

The heat dissipating grease composition is provided, which contains a substrate comprising metal that includes gallium (Ga), indium (In) and/or tin (Sn) and has a melting point under normal pressure of 16°C or less, and a fine powdered filler comprising metal uniformly dispersed in the substrate, and which has consistency in the range of 200-400. - 特許庁

スズ含有水酸化インジウムを不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で焼成し、大気中に暴露する前に、0℃以上100℃以下の温度で、水分を含む、不活性ガスおよび/または還元性ガス雰囲気下で所定の時間処理してITO粉体を製造する。例文帳に追加

The ITO powder is produced by firing tin-containing indium hydroxide in an atmosphere of an inert gas and a reducing gas, and treating it at a temperature of 0-100°C for a prescribed time under an atmosphere of inert gas and/or reducing gas containing moisture before exposing it in the air. - 特許庁

亜鉛を3.0〜10重量%未満、インジウムを0.015〜0.1重量%含有し、随伴不純物を除いて残部がアルミニウムからなり、コンクリート構造物表面に形成されることを特徴とするコンクリート構造物中の鉄筋防食用溶射皮膜。例文帳に追加

The sprayed coating for corrosion prevention to a reinforcing bar in a concrete structure comprises, by weight, 3.0 to <10% zinc and 0.015 to 0.1% indium, and the balance aluminum excepting accompanied impurities, and is formed on the surface of a concrete structure. - 特許庁

基板、n型クラッド層、発光層、p型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。例文帳に追加

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order. - 特許庁

活性層16は不純物として炭素(C)を含有しており、この不純物としての炭素により、井戸層においてインジウムの偏析が抑えられ、活性層16の基板11に対する格子不整合性が大きくても、井戸層内で濃度が局所的にばらつくことが抑制される。例文帳に追加

The activated layer 16 contains carbon (C) as an impurity and the segregation of indium is suppressed in the well layer by the carbon as an impurity whereby the local variability of density in the well layer is suppressed even when the lattice inconsistency with respective to the substrate 11 of activated layer 16 is large. - 特許庁

PAR(ポリアリレート)等からなる高耐熱性の合成樹脂材からなる基礎成形体11を基に、当該基礎成形体11の表面側に所定のベースコート層12を介してインジウム(Indium)等の金属を蒸着させることによって形成される金属色層15を設ける。例文帳に追加

The synthetic resin molding is provided with a metal color layer 15 formed by vapor-depositing metal such as indium on the surface side of a basic molding 11 through a predetermined base coat layer 12, based on the basic molding 11 formed of a synthetic resin material of high heat resistance comprising PAR (polyarylate) or the like. - 特許庁

例文

透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸送層、発光層、厚さが3〜30nmの範囲内にある無色の有機電子注入層、そして、インジウム亜鉛酸化物からなる透明陰電極層がこの順で形成されてなる光透過型有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

The light transmission type organic EL element is composed of a transparent anode layer, a positive hole transport layer, a luminescence layer, a colorless organic electron injection layer of a thickness in the range of 3 to 30 nm, and a transparent cathode layer composed of indium-zinc oxide formed on a transparent substrate in this order. - 特許庁

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