「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および上記の化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程からなる光起電力素子の製造方法。例文帳に追加

The photoelectromotive element manufacturing method comprises a step of forming a compound thin film containing aluminum, gallium or indium and sulfur, selenium or tellurium on a substrate in an oblique direction to the substrate, and a step of attaching a pair of electrodes with a space on the surface of the compound thin film. - 特許庁

本発明の窒素酸化物接触還元触媒は、ルチル型酸化チタンと、 クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、スズ、タングステン、白金、金、鉛のいずれかの金属元素或いはその酸化物から選ばれた少なくとも一種以上の担持金属から成り、該担持金属の担持量が４０ｗｔ％以下とする。例文帳に追加

The catalyst consists of rutile type titanium oxide and at least one supported metal selected from chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, silver, indium, tin, tungsten, platinum, gold, lead and their oxides, and the amount of the supported metal(s) is ≤40 wt.%. - 特許庁

溶融ケイ酸塩耐性の層は、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、スカンジウム、インジウム、ジルコニウム、ハフニウムおよびチタニウムからなる群から選択された少なくとも１つの材料の酸化物から形成されるか、あるいは、ガドリニア安定化ジルコニアから形成されてもよい。例文帳に追加

The molten silicate-resistant material layer may be formed by oxide of at least one material selected from a group composed of lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, scandium, indium, zirconium, hafnium, and titanium or be formed by gadolinia-stabilized zirconia. - 特許庁

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel. - 特許庁

薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極を有する表示装置において、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極は、該画素電極に接した金属電極を介して電気的に接続され、前記画素電極は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物を含む酸化物半導体膜であることを特徴とするものである。例文帳に追加

The display device having thin film transistors and pixel electrodes electrically connected with the thin film transistors is characterized in that the thin film transistors and the pixel electrodes are electrically connected via metallic electrodes in contact with the pixel electrodes, and the pixel electrodes are an oxide semiconductor film containing a chemical compound of an indium oxide and a zinc oxide. - 特許庁

Ａｇの成分に金、パラジウム、インジウム、スズを所定の割合で配合することにより、また所望によりプラチナ、亜鉛、銅を所定の割合で配合することにより、長年使用しても黒く変色しないという非常に顕著な効果を備え、しかも安価な耐硫化性銀合金を発明するに至ったのである。例文帳に追加

To produce an inexpensive sulfidation resistant silver alloy provided with extremely remarkable effect of being free from discoloration into black even when used for many years by blending the component of Ag with gold, palladium, indium and tin in prescribed ratios and moreover blending the same with platinum, zinc and copper in prescribed ratios at request. - 特許庁

ガラス基板上にインジウム錫酸化物から成る透明性金属酸化物膜を積層した後に、この金属酸化物に対してフッ素含有量を１重量％以下とする酸素を用いたプラズマ表面処理を施して形成した陽極層１０を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する。例文帳に追加

The organic electroluminescence element is fabricated through such procedures that a transparent metal oxide film consisting of indium-tin oxide is laminated on a glass base board and that the metal oxide is subjected to a plasma surface processing using oxygen where the fluorine content is below 1 wt.%, and thereby an anode layer 10 is formed. - 特許庁

転がり軸受の金属製の内・外輪の間に、シクロペンタン油を基油とし、リチウム石鹸を増ちょう剤とする潤滑性グリースなどの導電性潤滑グリースを封入した導電性転がり軸受において、導電性潤滑グリースが、酸化インジウムおよび酸化錫からなる焼結体の粉末を導電成分として含有する導電性転がり軸受とする。例文帳に追加

In this conductive rolling bearing in which conductive lubrication grease such as lubrication grease with cyclopentane oil as base oil and lithium soap as a thickener is filled between metal inner and outer rings of the rolling bearing, the conductive lubrication grease contains sintered power made of indium oxide and tin oxide as a conductive component. - 特許庁

酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。例文帳に追加

A sputtering target includes: indium oxide as a main component; one or more metals selected from the first metal group M1 consisting of W, Mo, Nb, Ni, Pt and Pd, or an oxide thereof; and the oxides of one or more metals selected from the second metal group M2 consisting of lanthanoid group metals. - 特許庁

カソード電極、アノード電極、電解質、燃料供給手段、および酸化剤供給手段を備えている燃料電池において、該カソード電極および該アノード電極の少なくとも何れか一方を、酸化還元反応を触媒するタンパク質触媒が吸着されている酸化インジウムスズ電極とする。例文帳に追加

In the biofuel cell equipped with a cathode electrode, an anode electrode, an electrolyte, a fuel supply means, and an oxidizer supply means, at least either one of the cathode electrode and the anode electrode is prepared to be an indium oxide tin electrode in which a protein catalyst that catalyzes a redox reaction is adsorbed. - 特許庁

このマグネシウムろう付用ろう材は、マグネシウム又はマグネシウム合金をろう付するためのろう材であって、マグネシウム（Ｍｇ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）を、ＳｎをＭｇ＋Ｓｎに対して２７〜４２ｍａｓｓ％含み、ＩｎをＭｇ＋Ｓｎ＋Ｉｎに対して１０〜３０ｍａｓｓ％含み、さらに、残部の不可避不純物からなることを特徴とする。例文帳に追加

The brazing filler metal is for brazing magnesium or magnesium alloy and is characterized by containing 27 to 42 mass% of the magnesium (Mg), tin (Sn), and indium (In) with respect to Mg+Sn, containing 10 to 30 mass% of In with respect to Mg+Sn+In, and further consisting of the balance inevitable impurities. - 特許庁

金が、３７．５質量％以上５０質量％未満、銅が、４８質量％以上６２．５質量％以下、銀が、６質量％未満、亜鉛が、６質量％未満、ゲルマニウムが、０．０２質量％以上３質量％以下、インジウムが、０．０２質量％以上３質量％以下と成されたことを特徴とする金合金。例文帳に追加

The gold alloy is characterized in having a composition containing, by mass, 37.5 to <50% gold, 48 to 62.5% copper, <6% silver, <6% zinc, 0.02 to 3% germanium and 0.02 to 3% indium. - 特許庁

芳香族ポリアミドからなるシート状基材に銅の薄膜層を設けてなるフレキシブルプリント回路用基板であって、該シート状基材と該銅の薄膜層との間に好ましくは亜鉛を２〜１５重量％含有するインジウム合金薄膜層を介在せしめてなることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。例文帳に追加

The substrate for flexible printed circuit is produced by providing a thin film layer of copper on a sheet-like substrate of aromatic polyamide wherein a thin film layer of indium alloy preferably containing 2-15 wt.% of zinc is interposed between the sheet-like substrate and the thin film layer of copper. - 特許庁

光重合性官能基を有する化合物と、少なくともインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む無機充填材を含有する分散液と、トリエチルアミンのオクチルリン酸塩を含む離型剤とを混合する工程と、前記無機充填材を含有する分散液の溶媒を除去する工程を含む光学材料の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the optical material includes steps of: mixing a compound having a photopolymerizable functional group, a dispersion liquid containing an inorganic filler containing at least indium tin oxide (ITO), and a release agent containing an octylphosphate of triethylamine; and removing the solvent of the dispersion liquid containing the inorganic filler. - 特許庁

本発明に係るカーボンナノコイルの製造方法は、反応器内部を加熱し、この反応器内部に炭化水素ガスを流通させ、この炭化水素ガスの中にインジウム・スズ・鉄系触媒を粒子状に分散させ、炭化水素を触媒近傍で分解しながら触媒粒子の表面にカーボンナノコイルを成長させることを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing the carbon nanocoils is characterized by heating an inside of a reactor, passing a gaseous hydrocarbon through the inside of the reactor, dispersing the indium-tin-iron catalyst in the gaseous hydrocarbon in particulates and growing the carbon nanocoils on the surfaces of the catalyst particulates while decomposing the hydrocarbon in the vicinity of the catalyst. - 特許庁

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。例文帳に追加

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103. - 特許庁

（ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物粒子に、（ｂ−１）分子内にラジカル発生基及び加水分解性基を有する有機化合物を結合させてなることを特徴とする反応性粒子。例文帳に追加

The reactive particles are prepared by bonding (b-1) an organic compound having a free-radical-generating group and a hydrolyzable group to (a) oxide particles of at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, germanium, indium, tin, antimony, and cerium. - 特許庁

亜鉛精鉱の焙焼によって得られた焼鉱を酸で浸出して得られた亜鉛浸出残渣を湿式処理する亜鉛浸出残渣の湿式処理方法において、亜鉛浸出残渣を酸で浸出して得られた２次浸出残渣を酸化して浸出することにより、銅、亜鉛およびインジウムなどのレアメタルを回収する。例文帳に追加

In the wet treatment for the zinc leaching residue obtained by leaching the calcined ore obtained by calcining the zinc-concentrated ore with the acid, the copper, zinc and rare metal such as indium are recovered by oxidizing and leaching the secondary leaching residue obtained by leaching the zinc leaching residue with the acid. - 特許庁

廃電子材料や廃電子機器に含まれる金、パラジウム、白金等の貴金属、特に金を高選択的に回収することができる抽出剤及び、使用済み液晶パネルや亜鉛精錬残渣等に含まれるインジウム及びガリウムを効率的に回収もしくは相互分離することができる抽出剤を提供する。例文帳に追加

To provide an extracting agent for highly selectively recovering a noble metal, such as gold, palladium, platinum, especially gold, contained in the waste electronic materials or the waste electronic device, and the extracting agent for effectively recovering or mutually separating indium and gallium contained in the used liquid crystal panel and zinc-refining residue, etc. - 特許庁

０．０５〜０．３重量％のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、１〜２５０ｐｐｍのリンに相当する量のガリウム燐化物および／またはインジウム燐化物、および／または１〜２重量％のＴｉおよび１〜２重量％のＢを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。例文帳に追加

The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains. - 特許庁

表面に保護膜を形成することなく、かつ表面にダメージを与えることなく、所望箇所のみに微細なエッチングを、十分なエッチング速度で行うことができ、かつ、低温で分解する窒化インジウムなどの化合物半導体に対しても適用できる窒化ガリウム系半導体のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a gallium nitride based semiconductor capable of executing fine etching only at a desired part at a sufficient etching speed without forming a protective film on a surface and without damaging the surface, and capable of applying even to a compound semiconductor of indium nitride or the like to be decomposed at a low temperature. - 特許庁

（１）ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。例文帳に追加

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode. - 特許庁

可溶栓用合金の組成として、スズを１０質量％以上２５質量％以下、インジウムを３４質量％以上５０質量％以下、アンチモンを０．５質量％以上１０質量％以下、ニッケルを０．０５質量％以上０．５質量％以下、ゲルマニウムを０．０１質量％以上１．０質量％以下、および残部をビスマスとしたものである。例文帳に追加

This alloy for the fusible plug is composed of 10-25 mass% tin, 34-50 mass% indium, 0.5-10 mass% antimony, 0.05-0.5 mass% nickel, 0.01-1.0 mass% germanium, and bismuth as remaining part. - 特許庁

金属ホウ化物及び金属酸化物の少なくともいずれかの粒子を光熱変換材料として含有する態様、前記光熱変換材料が、６ホウ化物、酸化タングステン化合物、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、及びアンチモン酸亜鉛から選択される少なくとも１種である態様、などが好ましい。例文帳に追加

The thermal recording medium preferably contains, as the light-heat conversion material, particles of at least one of a metal boride and a metal oxide, and the light-heat conversion material is preferably at least one selected from a hexaboride, a tungsten oxide compound, antimony tin oxide (ATO), indium tin oxide (ITO) and zinc antimonate. - 特許庁

スズ、タリウム、インジウムを含有する塩酸酸性溶液からスズ、タリウムを除去する方法であって、塩酸酸性溶液が、塩酸酸性溶液中のスズイオンの濃度が、処理溶液中のタリウムイオンの濃度の５０倍以上である塩酸酸性溶液であり、この処理溶液に、硫化剤を添加する浄液工程を行う。例文帳に追加

In the method for removing tin and thallium from a hydrochloric acid solution containing tin, thallium and indium, the hydrochloric acid solution has the concentration of an stannous ion in the hydrochloric acid solution 50 times or larger than the concentration of a thallium ion in a treatment solution, and the treatment solution is subject to cleaning treatment by adding a sulfating agent. - 特許庁

窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。例文帳に追加

A protective film essentially comprising gallium oxide and/or indium oxide and having a surface roughness of not more than 5 nm in terms of a square mean value is formed on the surface of a nitride semiconductor substrate by heat treating the nitride semiconductor substrate in an atmosphere containing air or oxygen or by exposing the surface of the nitride semiconductor substrate to oxygen plasma. - 特許庁

本発明は、［Ａ］シロキサンポリマー、［Ｂ］金属酸化物粒子、及び［Ｃ］感放射線性酸発生剤又は感放射線性塩基発生剤を含有し、上記［Ｂ］金属酸化物粒子が、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物粒子である感放射線性組成物である。例文帳に追加

The radiation-sensitive composition includes [A] a siloxane polymer, [B] metal oxide particles, and [C] a radiation-sensitive acid generator or a radiation-sensitive base generator, wherein the metal oxide particles [B] are oxide particles of at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony and cerium. - 特許庁

半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。例文帳に追加

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality. - 特許庁

負極、負極用の有機電解液、陽イオン交換膜、電解液で満たされたセパレータ空間、陰イオン交換膜、空気極用の水溶性電解液および空気極がその順に設けられたリチウム−空気電池であって、負極にはリチウム金属、リチウムカーボン、リチウムシリコン、リチウムシリコン、リチウムアルミニウム、リチウムインジウム、リチウム錫、窒化リチウムの中から選ばれた負極材料を用いる。例文帳に追加

Of the lithium-air battery provided with an anode, organic electrolyte for the anode, a cation exchange film, a separator space filled with the electrolyte, an anion exchange film, water-soluble electrolyte for an air electrode, and the air electrode fitted in that order, an anode material selected from among lithium metal, lithium carbon, lithium silicon, lithium aluminum, lithium indium, lithium tin, and lithium nitride is used for the anode. - 特許庁

また、成膜基板１の製造方法は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板１を製造する方法であって、被成膜基板２表面に、酸化インジウムを含む薄膜層３を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。例文帳に追加

The method for manufacturing the deposition substrate 1 is a method for manufacturing the substrate 1 in which the thin film layer 3 having the uneven structure is deposited in the flat part on the surface of the depositing substrate 2, and the method has a thin film forming step of depositing the thin film layer 3 including indium oxide on the surface of the depositing substrate 2 to form the uneven structure by carrying out this deposition. - 特許庁

陰極２は、有機ＥＬ層８の厚み方向において積層された第１の透明導電膜２ａと金属薄膜からなる透光性薄膜２ｂと第２の透明導電膜２ｃとの積層膜により構成され、金属薄膜は、銀、インジウム、金、マグネシウム、錫の群から選択される２種類以上の金属により形成されている。例文帳に追加

The cathode 2 is constituted of a laminated film of a first transparent conductive film 2a; a light-transmitting thin film 2b made of a metal thin film; and a second transparent conductive film 2c, which is laminated in the thickness direction of the organic EL layer 8, and the metal thin film is formed with two kinds or more of metals selected from among a group of silver, indium, gold, magnesium, and tin. - 特許庁

身体に装用する眼鏡１で、装用する際に皮膚に接触するリム１０、耳あてパッド１２および鼻あてパッド１３の表面に、１〜９重量％のゲルマニウムと、ゲルマニウムに対して重量比２〜２０％のインジウムとを含み、残部が銀からなるゲルマニウム含有合金膜２１，２２，２３をスパッタリングにより形成する。例文帳に追加

In a glass 1 to be put on a human body, the surface of rims 10, lug pads 12 and nose pads 13 are formed with germanium including alloy films 21, 22 and 23 including germanium of 1-9 weight %, indium at 2-20% of the weight ratio in relation to the germanium and silver in residual parts by spattering. - 特許庁

（Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物粒子と、重合性不飽和基を含む有機化合物とを結合させてなる粒子、（Ｂ）重合性不飽和基を有しないメラミン化合物、及び（Ｃ）分子内に２以上の重合性不飽和基を含む化合物を含有することを特徴とする硬化性組成物。例文帳に追加

The composition comprises (A) particles obtained by bonding an organic compound containing a polymerizable unsaturated group with particles of oxides of one or more elements selected from the group consisting of silicon, aluminum, zirconium, titanium, zinc, germanium, indium, tin, antimony and cerium, (B) a melamine compound not having a polymerizable unsaturated group, and (C) a compound having at least two polymerizable unsaturated groups in the molecule. - 特許庁

非カチオン性表面処理剤により表面処理された錫ドープ酸化インジウム粒子及び／又は非カチオン性表面処理剤により処理されたアンチモンドープ酸化錫粒子が、非カチオン性界面活性剤を含有する、液状可塑剤と常温常圧における沸点が１００℃以上である低揮発性有機溶剤との混合溶剤に分散されている遮熱粒子分散液。例文帳に追加

The thermally insulating particle dispersion is formed by dispersing tin-doped indium oxide particles surface-treated with a non-cationic surface treating agent and/or antimony-doped tin oxide particles treated with the non-cationic surface treating agent into the mixed solvent of a liquid plasticizer containing a non-cationic surfactant and a low volatile organic solvent having ≥100°C boiling point under ordinary temperature and pressure. - 特許庁

ガリウム、インジウム、マンガン、スズまたはチタンの酸化物、並びに炭素質からなる微粒子を分散させたニッケルまたは主たる金属成分がニッケルであるめっき浴を用い、電極基材に電気めっきを施すことにより、前記電極基材にニッケル主体のめっき層を形成させることを特徴とする低水素過電圧陰極の製造方法の提供。例文帳に追加

The method for manufacturing the cathode with the low hydrogen overvoltage is characterized by electroplating the base material for the electrode with the use of a nickel plating bath or a plating bath containing nickel as a main metal component, in which oxide of gallium, indium, manganese, tin, or titanium, and carbonaceous fine particles are dispersed, to form a plating layer mainly consisting of nickel on the above base material for the electrode. - 特許庁

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。例文帳に追加

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film. - 特許庁

（ａ）インジウム化合物およびスズ化合物の混合水溶液と塩基性水溶液とを反応させゲルを生成する工程、（ｂ）前記生成ゲルから溶媒置換により水分を取り除き有機溶媒中に分散させる工程、および（ｃ）前記生成分散物を加熱処理する工程を含んでなる、結晶性ＩＴＯ分散液の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a crystalline ITO dispersion includes (a) a step of reacting a mixed aqueous solution of an indium compound and a tin compound with a basic aqueous solution to form gel, (b) a step of removing water from the formed gel by solvent substitution and dispersing the gel in an organic solvent, and (c) a step of heat-treating the resulting dispersion. - 特許庁

酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する。例文帳に追加

The display apparatus has a first conductive layer formed by using a transparent conductive film consisting essentially of indium oxide, a conductive base layer formed on the first conductive layer, a second conductive layer formed on the base layer by using a film consisting essentially of Al and a third conductive layer formed on the second conductive layer by using the same material as the second conductive layer. - 特許庁

透明電極基材１００は、厚さ０．７ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス基板１０と、ガラス基板１０の上に形成された透明導電膜としてのインジウム酸化錫（ＩＴＯ）膜２０と、ＩＴＯ膜２０の上に形成された金属酸化物としてのニオブ（Ｎｂ）ドープ酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜３０とを備える。例文帳に追加

A transparent electrode substrate 100 comprises a plate-shaped transparent alkali-free glass substrate 10 with a thickness of 0.7 mm, an indium tin oxide (ITO) film 20 on the glass substrate 10 formed as a transparent conductive film, and a niobium (Nb) dope titanium oxide (TiO_2) film 30 on the ITO film 20 formed as a metal oxide. - 特許庁

リチウム／インジウム合金２から成る負極２と、リチウムがインターカレーションされた金属から成る正極４と、有機電解液と、負極のケース半部１と、正極のケース半部３と、セパレータ５と、前記ケース半部１，３間に設けられたガスケット６とを有する、ボタン電池として構成された、再充電可能な電気的なエレメントを製造するための方法を、より簡単にする。例文帳に追加

To simplify a method for manufacturing a rechargeable electrical element constituted into a button cell which comprises: a negative pole composed of an lithium/indium alloy; a positive pole composed of a metal intercalated by lithium; an organic liquid electrolyte; a case half of the negative pole; a case half of the positive pole; a separator; and a gasket mounted between the case halves. - 特許庁

微量のイオウ成分を含む無電解めっき液に、ガリウム化合物、インジウム化合物、アンチモン化合物、ビスマス化合物から選択された１以上の金属化合物を加え、不溶性の塩を作り、懸濁液の透過度で微量のイオウ成分を定量分析する分析方法と、その方法を用いた無電解めっき方法。例文帳に追加

In this analysis method, one or more metallic compounds selected from gallium, indium, antimony and bismuth compounds are added to an electroless plating solution containing a trace amount of sulfur component to prepare an insoluble salt, and a trace amount of sulfur component is quantitatively analyzed by the transmittance of a suspension, and the electroless plating method uses the above method. - 特許庁

亜鉛精鉱の焙焼によって得られた焼鉱を酸で浸出して得られた亜鉛浸出残渣を湿式処理する亜鉛浸出残渣の湿式処理方法において、亜鉛浸出残渣を酸で浸出して得られた２次浸出残渣から銅、亜鉛およびインジウムなどのレアメタルを効率的に回収することができる、亜鉛浸出残渣の湿式処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wet treatment method for zinc leaching residue by which copper, zinc and rare metal such as indium can efficiently be recovered from secondary leaching residue with acid in the wet treatment for the zinc leaching residue obtained by leaching the calcined ore, which is obtained by calcining zinc-concentrated ore, with acid. - 特許庁

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。例文帳に追加

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide. - 特許庁

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。例文帳に追加

An amplifier circuit and a drive circuit of display elements, which are constituted of the thin-film transistors employing the oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc and have small characteristic variations, are used to convert light intensity distribution received by the photodiodes disposed in a matrix into electrical signals with high reproducibility for extraction, thus the display elements disposed in a matrix being driven in a uniform manner. - 特許庁

(ａ)銀、パラジウム、白金、ビスマス、インジウム、ニッケル、亜鉛、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、クロム、アンチモンよりなる群から選ばれた下地用の金属薄膜のいずれかを被メッキ物上に形成した後、(ｂ)上記下地金属の薄膜上にスズ又はスズ合金のメッキ皮膜を形成する前処理によるスズホイスカーの防止方法である。例文帳に追加

In the subject process, tin whisker generation is inhibited through a pre-treatment step wherein (a) a metal thin film for base coating selected from silver, palladium, platinum, bismuth, indium, nickel, zinc, titanium, zirconium, aluminum, chromium and antimony is formed on the material to be plated, and (b) a tin- or thin alloy-plated film is formed on the metal thin film. - 特許庁