「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

ノズルを有する基材のインク吐出側の面に、インジウム・錫・珪素酸化膜１３が形成され、更にその上に、水酸基と反応可能な部位を有する撥水物質を結合させてなる撥水膜１４が形成される。例文帳に追加

On a face of ink discharging side of a substrate having a nozzle, an indium-tin-silicon oxide film 13 is formed and, on which a water repellant film 14 is formed by combining a water repellant material having a region which can react to a hydroxyl. - 特許庁

活性層１７は、六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．１６≦Ｘ≦０．４、Ｘは歪み組成）からなる井戸層を含み、インジウム組成Ｘは歪み組成で表されている。例文帳に追加

The active layer 17 includes a well layer composed of hexagonal In_XGa_1-XN (0.16≤X≤0.4, X is a deformation composition), and an indium composition X is expressed with the distortion composition. - 特許庁

本発明の透明導電膜形成用塗料は、１次粒子の平均粒径が１〜３０ｎｍのルテニウム微粒子と、１次粒子の平均粒径が３５〜７０ｎｍのスズ添加酸化インジウム微粒子とを含有してなることを特徴とする。例文帳に追加

The coating material for forming the transparent conductive film comprises a ruthenium fine particle whose primary particle has an average particle size of 1-30 nm and a tin-doped indium oxide fine particle whose primary particle has an average particle size of 35-70 nm. - 特許庁

正極端子５及び負極用集電体７は、電池セル１の極板部６が異常発熱したときに溶融するインジウム（In）によって構成されている。例文帳に追加

The positive electrode terminal 5 and the negative electrode current collector 7 are constructed of indium (In) which melts when the electrode plate part 6 of the battery cell 1 has an abnormal heat generation. - 特許庁

可視光透過率が高くて日射透過率がより低く、しかもへイズ値が低い日射遮蔽膜形成用インジウム錫酸化物微粒子の高効率的な処理方法と、この微粒子を用いた日射遮蔽膜を提供する。例文帳に追加

To provide a highly efficient method for treating fine indium-tin oxide particles for forming a sunshine-screening film having a high visible ray transmittance, a lower sunshine transmittance, and a low haze value; and to prepare a sunshine-screening film prepared by using the particles. - 特許庁

さらに、クリア塗膜中に粉末を分散した場合、光の散乱反射などにより透明感を損なわないように、使用する錫添加酸化インジウム粉末は、平均粒径が１００ｎｍ以下のものを用いる。例文帳に追加

Further, when the powders are dispersed in the clear coat, for avoiding damage of the transparent feel by the scattering and reflection of light, the tin-added indium oxide powders used has an average particle size of ≤100 nm. - 特許庁

ターゲットの一方の表面から他方の表面にかけてターゲットの厚さ方向に延びる柱状晶組織を有し、柱状晶組織の体積含有率が９０〜１００％であるインジウムターゲット。例文帳に追加

The indium target has a columnar crystalline structure extending in the thickness direction of the target from one surface of the target to the other surface thereof, and the volume content of the columnar crystalline structure is 90-100%. - 特許庁

例えば酸化インジウム・スズからなる透明導電層及び金属反射層は、第２導電型層の上あり、第２導電型層と電気的接触を形成する。例文帳に追加

For example, a transparent conductive layer and a metal reflecting layer composed of indium oxide-tin is located on the second conductivity-type layer, to form an electrical contact with the second conductivity-type layer. - 特許庁

活性層１７は、六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．１６≦Ｘ≦０．３５、Ｘは歪み組成）からなる井戸層を含み、インジウム組成Ｘは歪み組成で表されている。例文帳に追加

The active layer 17 includes a well layer composed of hexagonal In_XGa_1-XN (0.16≤X≤0.35, X is a deformation composition), and an indium composition X is expressed with the distortion composition. - 特許庁

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。例文帳に追加

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area. - 特許庁

可視光透過率が高くて日射透過率がより低く、しかもへイズ値が低い日射遮蔽膜形成用インジウム錫酸化物微粒子の高効率的な処理方法と、この微粒子を用いた日射遮蔽膜の提供。例文帳に追加

To provide a highly efficient method for treating fine indium-tin oxide particles for forming a sunshine-screening film having a high visible ray transmittance, a lower sunshine transmittance, and a low haze value; and to prepare a sunshine-screening film prepared by using the particles. - 特許庁

酸化インジウムを用いた薄膜でなる電子回路素子であって、前記薄膜をガラス基板に形成した後、空気中２００℃以上７００℃以下で加熱処理する。例文帳に追加

In the electronic circuit element comprised of the thin film using indium oxide, the thin film is formed on a glass substrate and is then subjected to heating processing at 200°C or higher and 700°C or lower in the air. - 特許庁

銀系薄膜（１１）をベースとし、その両面に酸化インジウムと銀との固溶域を実質的に持たない金属元素の酸化物との混合酸化物からなる透明酸化物薄膜（１２，１３）を形成する。例文帳に追加

A thin silver film (11) is used as a base, and transparent, thin oxide films (12 and 13) made of a mixed oxide comprising indium oxide and an oxide of a metal element which forms substantially no solid solution with silver are formed on both sides of the film (11). - 特許庁

液晶パネルから少ない労力とエネルギーを用い有機物を分解し、透明導電膜中のインジウムを回収するとともにガラスを再利用することが可能である液晶パネルの処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method of a liquid crystal panel, which enables the decomposition of organic materials from the liquid crystal panel using little work and energy to recover indium in a transparent conductive film, and at the same time, enables a reuse of glass. - 特許庁

酸化ジルコニウム３５〜９０％、酸化セリウム５〜６０％及び酸化インジウム０．００１〜１０％含有することを特徴とするセリウム−ジルコニウム系複合酸化物。例文帳に追加

The cerium-zirconium based compound oxide is characterized by including 35-90% of zirconium oxide, 5-60% of cerium oxide, and 0.001-10% of indium oxide. - 特許庁

導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０^19（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The conductive oxide is a crystalline conductive oxide, and contains indium, gallium, zinc, oxygen and nitrogen while the concentration of nitrogen is ≥7×10^19(atom/cc). - 特許庁

前記ＬＥＤチップは、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられており、少なくともインジウム、ガリウム及びアルミニウムを含有する半導体層を有する。例文帳に追加

The LED chip is provided above the first and second lead frames, and includes a semiconductor layer containing at least indium, gallium and aluminum. - 特許庁

この全固体型リチウム二次電池２０では、固体電解質２６はリン酸リチウム系ガラスで形成されており、負極２８はインジウム及びアンチモンの合金により形成されている。例文帳に追加

In the all-solid lithium secondary battery 20, the solid electrolyte 26 is formed of lithium phosphate system glass, and the negative electrode 28 is formed of an alloy of indium and antimony. - 特許庁

井戸層は、インジウムを含む窒化物半導体からなり、ｎ型クラッド層１０２よりも水素濃度が高く且つｐ型クラッド層１０９よりも水素濃度が低い。例文帳に追加

The well layer includes a nitride semiconductor containing indium and has hydrogen concentration higher than that of the n-type clad layer 102 and lower hydrogen concentration which is lower than that of the p-type clad layer 109. - 特許庁

ＣｄＴｅ半導体とインジウムアノードとの組み合わせにより、Ｘ線検出器はショットキーコンタクトとして機能することが可能であり、漏れ電流をほぼ阻止する。例文帳に追加

The combination of the CdTe semiconductor and an indium anode enables the detector to function as a Schottky contact, which substantially blocks leakage current. - 特許庁

インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。例文帳に追加

To provide a conductive oxide having sufficiently high light permeability and sufficiently low resistivity although reducing the content of indium. - 特許庁

ドープ形態の固有導電性重合体およびインジウムを含む化合物であって、該固有導電性重合体が、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの誘導体からなる群より選択される、化合物。例文帳に追加

This compound contains the intrinsic electroconductive polymer in the form of dope and indium, wherein the intrinsic electroconductive polymer is a compound selected from the group consisting of polyaniline, polythiophene, polypyrrole, and their derivatives. - 特許庁

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜が積層された構造の導電膜パターンを良好に形成する。例文帳に追加

To suitably form a conductive film pattern having a structure in which a transparent conductive film formed of metal oxide containing indium is laminated on a metal film formed of aluminum or aluminum alloy. - 特許庁

本件発明の課題は、インジウム以外の金属を用いて、安価に製造可能な電磁波透過用金属被膜、電磁波透過用金属被膜の形成方法及び車載用レーダー装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a metal film for electromagnetic wave transmission which can be manufactured at low cost by using metals other than indium, a method for forming the same, and an on-vehicle radar device. - 特許庁

エピタキシャル層のインジウムの取り込み効率を向上させることが可能であると共に、反りを抑制することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a group III nitride substrate, capable of improving the efficiency of capturing indium of an epitaxial layer, and, at the same time, can suppress warpage. - 特許庁

多大なエネルギーや煩雑なプロセスが不要であり、製造コストを低減することが可能な高導電性インジウム錫酸化物微粒子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a high conductivity indium tin oxide fine particle which does not need great energy and a complicated process and can reduce the production cost. - 特許庁

光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層とを備える。例文帳に追加

The optical recording medium comprises: an inorganic recording layer; and a protection layer containing a complex oxide as a main component, including indium oxide, formed on at least one surface of the inorganic recording layer. - 特許庁

透明導電性フィルムは、ポリエステルフィルムの表面から順に、高屈折率層、低屈折率層及び錫ドープ酸化インジウム層（ＩＴＯ層）が積層されて構成されている。例文帳に追加

The transparent conductive film is formed by laminating a high refractive index layer, a low refractive index layer and a tin-doped indium oxide layer (ITO layer) in this order from the surface of a polyester film. - 特許庁

合金偏析による構造劣化を受けにくく、光電特性の優れた高インジウム量の活性領域の成長が可能な半導体構造を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor structure where an active region of high-indium-content with superior photoelectric characteristics grows with low possibility of having structural deterioration due to alloy segregation. - 特許庁

チタン−ニオブ系でありながら高温プロセスを用いずに表面の電気抵抗を下げることができ、また、高価なインジウムを用いずに表面の電気抵抗を下げることができる。例文帳に追加

Though it is a titanium-niobium system, electrical resistance of the surface can be reduced without using a high temperature process and further electric resistance of the surface can be reduced without using precious indium. - 特許庁

非真空のプロセスで、且つ、有毒ガスを発生するセレンを含まない系において、ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層として好適な、純度の高い銅−インジウム−硫黄合金皮膜を得ることができるめっき液を提供する。例文帳に追加

To provide a plating solution which provides a high purity copper-indium-sulfur alloy coating film suitable as a light absorption layer of a CIS based solar battery by a non-vacuum process and in a system containing no selenium generating a poisonous gas. - 特許庁

従来の針状粉末より微細であって比表面積が大きく、熱線遮蔽性に優れた棒状ないし針状の酸化錫インジウム粉末とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide cylindrical or acicular indium tin oxide powder which is finer than conventional acicular powder, has a larger specific surface area and shows excellent heat ray shielding property, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

スズ電解液からインジウムを抽出する有機溶媒などについて、抽出力が低下した有機溶媒を再生させる方法であって、処理工程が簡単であって、再生効果の高い方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating an organic solvent whose extraction capacity is deteriorated with a simple processing step and high regeneration effect with regard to organic solvents and the like that extract indium from a tin electrolyte. - 特許庁

中間層１８は、厚みが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、アルカリ金属，アルカリ土類金属，ランタノイド金属，アルミニウム，インジウム，スズ，ニッケル，銅および亜鉛からなる金属元素の群のうちの１種を含む。例文帳に追加

The intermediate layer 18 has a thickness 0.1 nm or more and 5 nm or less and contains at least one out of a group of metal elements composed of an alkaline metal, an alkaline earth metal, a lanthanoid metal, aluminum, indium, tin, nickel, copper, and zinc. - 特許庁

保存信頼性に優れ、かつ酸化インジウムおよび酸化スズを保護層の材料として用いた場合よりもさらに生産性に優れた追記型光記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a write-once type optical recording medium superior in storage reliability and have a better productivity than a similar product in which a protecting layer is made of indium oxide and tin oxide. - 特許庁

これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。例文帳に追加

Thus, the etching step for forming the uneven structure is eliminated, the cost is reduced, and a transparent conductive film 3 including indium oxide is formed, which reduces a film thickness. - 特許庁

低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an indium-oxide-based sputtering target with which a transparent electroconductive oxide film having low resistance and a high refractive index can be industrially produced by a direct-current sputtering technique. - 特許庁

成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。例文帳に追加

The deposition substrate 1 is provided in which a thin film layer 3 having an uneven structure is deposited in a flat part on the surface of a depositing substrate 2, and the uneven structure is formed by depositing the thin film layer 3 including indium oxide. - 特許庁

粒径（一次粒子径）を所定範囲に調製でき、言い換えればＢＥＴ法比表面積を所定範囲に調製でき、それでいて高温でない温度で焼成可能な新たな酸化インジウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide new indium oxide powder which can be prepared with its particle diameter (primary particle diameter) within a predetermined range, in other words, with its BET specific surface area within a predetermined range, nevertheless, can be fired at temperatures not so high. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target of the sintered body is formed of an oxide including indium (In), tin (Sn) and nickel (Ni), in which an atom ratio of each metal element is in a range of 0.04≤In/(In+Sn+Ni)≤0.57, 0.29≤Sn/(In+Sn+Ni)≤0.73 and 0.04≤Ni/(In+Sn+Ni)≤0.33. - 特許庁

６ホウ化物微粒子とインジウム錫酸化物微粒子などを事前に混合した後、溶媒およびバインダー中に分散させているため、従来の２液など多液混合方式と較べ上記塗布液を簡便に調製できる。例文帳に追加

Since the fine particles of a hexaboride and the fine particles of indium tin oxide and the like are previously mixed and subsequently dispersed in the solvent and the binder, the coating fluid can simply be prepared compared to the multi-pack mixing system including the conventional two-pack mixing system. - 特許庁

いずれの雰囲気化で剥離が実施された場合でも、稀少金属特にインジウムの回収目的での液晶パネルの剥離には適用可能である。例文帳に追加

In the case where a peeling off is executed at any of atmospheres, it can be applied to the peeling off of the liquid crystal panel for the purpose of recovering a rare metal, particularly indium. - 特許庁

この場合、ｐ型クラッド層１０７の成長雰囲気中にインジウム原料を供給し、ｐ型クラッド層の成長温度を８００℃〜１０００℃の範囲とする。例文帳に追加

In this case, indium starting material is supplied into an atmosphere for growing the p-type clad layer 107, and a temperature for growing the p-type clad layer is kept in a range between 800°C to 1,000°C. - 特許庁

熱電気測定装置において、インジウム接着層を介して試料を基板に接着することにより、試料組立体の均熱性を良好にし、接触起電力や熱起電力を小さくする。例文帳に追加

To reduce the contact electromotive force and thermoelectromotive force of a sample assembly for thermoelectric measuring instrument by improving the soaking property of the assembly by sticking the assembly to a substrate through an indium adhesive layer in a thermoelectric measuring instrument. - 特許庁

さらに、得られた水酸化インジウムを、濃度０．０８ｍｏｌ／Ｌ以上の塩基性水溶液に分散させ、サスペンションとし、該サスペンションを６０〜１００℃の液温に保持した後、濾過し、水洗することが好ましい。例文帳に追加

Further preferably, the indium hydroxide obtained is suspended in a basic solution with a concentration of not less than 0.08 mol/l to obtain a suspension, and the suspension is filtered and washed with water after the suspension is held at a liquid temperature of 60-100°C. - 特許庁