「インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

発光管１の管内表面には希土類蛍光体１２が塗布され、この希土類蛍光体１２には、金属酸化物２４として、添加量０．３〜３．０ｗｔ％の範囲で変えた酸化マグネシウムＭｇＯ，酸化錫ＳｎＯ，酸化鉛ＰｂＯあるいは酸化インジウムＩｎ_2Ｏ_3が混合されている。例文帳に追加

On the inner surface of the light-emitting tube 1, rare-earth phosphor 12 is coated, with mixed MgO, magnesium oxide, SnO, Tin oxide, PbO, lead oxide or In2O3, as a metal oxide with added volume changeable in the range of 0.3 to 3.0 wt.%. - 特許庁

フィルムの少なくとも片面に、ガラス転位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とする樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電性フィルム。例文帳に追加

In this transparent conductive film for the touch panel, a hard coat layer with a resin composition of the glass transition point of ≥150°C and mainly consisting of (meta)acrylate crosslinked on at least one side of the film, and a transparent conductive film formed of indium - tin oxide is deposited on the hard coat layer. - 特許庁

未処理又は粗化処理後の銅箔の少なくとも一方の表面に、インジウムからなる防錆被膜が形成され、その表面にシランカップリング剤保護層が施された表面処理銅箔が絶縁基板に張り付けられている銅張積層基板である。例文帳に追加

In the copper-clad laminated board, a surface treated copper foil, wherein a rust prevention film consisting of indium is formed on at least one surface of an untreated or roughly treated copper foil and a silane coupling agent protective layer is applied onto the surface of the rust prevention film, is stuck to an insulation board. - 特許庁

０．２μｍ以下のレベルの細かい粒子径と、高い導電性を併せ持つインジウム含有導電性酸化亜鉛微粒子、該酸化亜鉛微粒子を溶媒に分散させた分散液、該分散液を含む塗料、および該導電性酸化亜鉛微粒子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an indium-contained conductive zinc oxide particle having both fine particle diameter at a level of 0.2 μm or less and conductivity, a dispersion solution wherein the zinc oxide particles are dispersed into a solvent, a paint containing the dispersion solution, and a manufacturing method of the conductive zinc oxide particles. - 特許庁

表面平滑性と低抵抗性に優れたＺｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a zinc oxide-indium oxide transparent conductive film which is excellent in surface smoothness and low resistance properties and comprises an amorphous homologous compound represented by Zn_kIn_2O_k+3 (wherein k is an integer of 1-4), and to provide its production method. - 特許庁

反射性の下部電極と機能層と光透過性の上部電極とが順に積層された有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型の有機EL表示装置において、上部電極１５の上に、インジウム系の半田層６により接合された補助配線５を備えた構造を採用する。例文帳に追加

The top emission type organic EL display device comprising an organic EL element with a reflecting lower electrode, a functional layer and a light transmitting upper electrode laminated in this order, adopts a structure comprising the auxiliary wiring 5 joined by an indium-based soldered layer 6, on the upper electrode 15. - 特許庁

第１保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層を有し、相変化記録層の主成分が、下記組成式で示される相変化材料であり、第２保護層の主成分が、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫の何れか又はそれらの混合物である光記録媒体。例文帳に追加

The optical recording medium has a first protective layer, a phase change recording layer, a second protective layer and a reflective layer. - 特許庁

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。例文帳に追加

By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed. - 特許庁

また、第２は、インジウムが５２±５重量％、残部が錫で構成される合金１００重量部に対し、亜鉛が１重量部以上５重量部未満、ビスマスが５重量部以上９重量部未満で添加された合金型感温素子材料およびそれを用いた温度ヒューズである。例文帳に追加

The second of invention is an alloy type temperature-sensitive element material to which zinc of 1 to <5 pts.wt. and bismuth of 5 to <9 pts.wt. are added to 100 pts.wt. of an alloy composed of indium of 52±5 wt.%, and the balance tin, and a temperature fuse using the same. - 特許庁

ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。例文帳に追加

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0). - 特許庁

基板上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるホール注入電極を形成し、このホール注入電極上に、ホール注入層、ホール輸送層４、第１の発光層５ａ、第２の発光層５ｂ、電子輸送層６および電子注入層を順に形成する。例文帳に追加

A hole injection electrode made of a transparent conductive film such as indium-tin oxide (ITO) is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer 4, a first light-emitting layer 5a, a second light-emitting layer 5b, an electron transport layer 6 and an electron injection layer are formed in turn on the hole injection electrode. - 特許庁

その際のビスマス化合物の電解液への添加量はＢｉ_2 Ｏ_3 として亜鉛に対して５ｐｐｍ以上１質量％以下が好ましく、インジウム化合物の電解液への添加量はＩｎ_2 Ｏ_3 として亜鉛に対して５ｐｐｍ以上１質量％以下が好ましい。例文帳に追加

The doped al quantity of the bismuth compound to the electrolyte is preferably set to 5 ppm or more and 1 mass.% or less to zinc with respect to Bi_2O_3, and the addition quantity of the indium compound to the electrolyte is preferably set to 5 ppm or more and 1 mass.% or less to zinc with respect to In_2O_3. - 特許庁

また、Ｐ型半導体層７０上に真性半導体層を成長させ、該真性半導体層に複数のクアンタムホールを形成した後、クアンタムホール内には、インジウムガリウムニトリド（ＩｎＧａＮ）を単結晶成長させて充填し、クアンタムホール層７２を形成する。例文帳に追加

An intrinsic semiconductor layer is grown on a P-type semiconductor layer 70 and, after a plurality of quantum holes are formed in the intrinsic semiconductor layer, an indium-gallium-nitride(InGaN) is single-crystal grown in the quantum holes to fill the quantum holes with the InGaN, and a quantum hole layer 72 is formed in the layer 70. - 特許庁

接合境界部でフィレットが形成するようにレーザ用光学部品１をインジウム合金シールで融着した金属フランジ２と、金属フランジを微動する調整ネジ３ａ、３ｂと、金属フランジ２に溶接したベローズ６と、微動による歪みを吸収するバネ４を設けた構成とする。例文帳に追加

There are provided a metal flange 2, in which a laser optical part 1 is fused with an indium alloy seal, so that a fillet is formed at a joint border, adjustment screws 3a and 3b for finely moving the metal flange, a bellows 6 welded to the metal flange 2, and a spring 4 for absorbing the distortion due to micromotion. - 特許庁

また、本発明は、酸化インジウム(In_2O_3)と酸化タングステン(WO_3)と酸化マグネシウム(MgO)の化合物又は混合物であって、高温酸素雰囲気あるいは高温大気雰囲気中において焼結させた焼結体であることを特徴とする光学薄膜用蒸着材料である。例文帳に追加

Alternatively, the vapor deposition material for the optical thin film consists of a compound or a mixture of indium oxide (In_2O_3), tungsten oxide (WO_3), and magnesium oxide (MgO), and is formed of a sintered body thereof sintered in a high-temperature oxygen atmosphere or in a high-temperature air atmosphere. - 特許庁

少なくとも第１保護層、相変化材料からなる記録層、第２保護層及び反射層が順に積層され、相変化材料の主成分が、下記組成式で示される元素及び原子比からなり、第２保護層の主成分が、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫の何れか又はそれらの混合物からなる光記録媒体。例文帳に追加

The optical recording medium has at least a first protective layer, a recording layer containing a phase-change material, a second protective layer and a reflective layer which are sequentially layered. - 特許庁

また、Ｉｎドープの場合は、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とするようにした。例文帳に追加

In case of the In-dope, among the CdTe type compound semiconductor single crystal obtained by the melt growing method which dopes 0.05-1.0 ppmwt of indium into the CdTe raw material melt, the part whose solidification ratio of the crystal of 0.9 or less is used as a material for electrooptic elements. - 特許庁

ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。例文帳に追加

The n-type semiconductor layer 150 is formed of an amorphous thin film having, as principal components, indium oxide and zinc oxide the same material as the transparent electrode layer 160, wherein a difference in a work function is less than 0.3 eV and a difference in an energy bandgap is less than 0.2 eV. - 特許庁

導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition of etching liquid for conductor film assuring higher stability in processes and excellent economic processes for enabling effective etching of a conductor film without generation of residues after the etching process, suppressing generation of bubbles during the etching processes, and ensuring excellent solubility of indium oxalic acid. - 特許庁

水酸化インジウムを分散させた分散溶液とメタスズ酸を分散させた分散溶液を混合して混合分散溶液とし、この混合分散溶液を乾燥させた後焙焼し、これによって得た酸化物混合粉末の成形体を焼結することを特徴とするＩＴＯターゲットの製造方法。例文帳に追加

The ITO target can be manufactured by mixing a disperse solution in which metastannic acid is dispersed with a disperse solution in which indium hydroxide is dispersed to form a mixed disperse solution, drying and calcining this mixed disperse solution, and subjecting a green compact of the resultant oxide powder mixture to sintering. - 特許庁

基材上にＩＴＯ（酸化インジウム／酸化スズ）薄膜が積層された透明導電性薄膜積層体おいて、該薄膜の結晶形態が無定型であり、且つ該薄膜の比抵抗値が５×１０^−４Ωcm以下であることを特徴とする、スパッタリング法によって形成された透明導電性薄膜積層体。例文帳に追加

This transparent conductive thin film lamination comprises a substrate on which ITO(indium/tin oxide) is formed by sputtering, featuring that the thin films are amorphous in crystal structure and the specific resistance of the films is 5×10-4 Ωcm or less. - 特許庁

特定の性状を有する平板状の無機物質が分散しているラジカル反応性３次元架橋型樹脂組成物、特に好適にはアリルエステル樹脂組成物の硬化物表面に１５０℃以上で酸化インジウムスズなどの透明導電膜を成膜して得られた透明導電性基板。例文帳に追加

The transparent conductive substrate is obtained by performing formation of a transparent conductive film of indium oxide tin at 150°C or above on a cured surface of a three dimensionally bridged radical reactive resin composition wherein a flat plate-like inorganic material with a specific nature is distributed, suitably in particular, on the cured surface of an allyl ester resin composition. - 特許庁

ｎ型半導体基板１０上に例えばインジウム等が添加されたｐ型ウェル層１１が形成され、ｐ型ウェル層１１表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるｎ＋型ディープ拡散層１４が形成されている。例文帳に追加

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11. - 特許庁

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。例文帳に追加

The laminated structure includes: a backing plate; an impurity diffusion-preventive layer which comprises a thin film composed of at least one metal selected from Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S and Si, and is formed of the backing plate; and an indium target formed on the impurity diffusion-preventive layer. - 特許庁

圧電体膜１６は一般式Ａｌ_1-_x Ｇａ_x Ｎ（但し、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ_1-y Ｉｎ_y Ｎ（但し、０＜ｙ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜である。例文帳に追加

The piezoelectric film 16 is an orientated crystal film, composed of solid solution of aluminum nitride and gallium nitride which is represented by general formula Al_1-xGa_xN (where 0<x<1) or a solid solution of aluminum nitride and indium nitride which is represented by general formula Al_1-yIn_yN (where 0<y<1). - 特許庁

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。例文帳に追加

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer of a quantum well structure which has a well layer made of a nitride semiconductor containing indium, the active layer is sandwiched between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer. - 特許庁

５０ｗｔ％以上のビスマス（Ｂｉ）と、３０ｗｔ％以下のインジウム（Ｉｎ）と、３０ｗｔ％以下の錫（Ｓｎ）と、１〜５ｗｔ％の範囲で選択された銅（Ｃｕ）とを含有する導電性組成物によって、貫通電極３及び回路パターン２を形成する。例文帳に追加

By the conductive composition containing bismuth (Bi) of ≥50 wt.%, indium (In) of ≤30 wt.%, Tin (Sn) of ≤30 wt.%, and copper (Cu) selected in the range of 1 to 5 wt.%, the through electrode 3 and the circuit pattern 2 are formed. - 特許庁

酸化インジウムと酸化錫の混合粉末、水、分散剤、バインダーを含むＩＴＯスラリーを鋳込み成形するＩＴＯ成形体の製造方法において、カルボキシル基を有する分散剤を添加して、ＩＴＯスラリーの鋳込み前のスラリー粘度を２５℃で１.０〜５０ｄＰａ・ｓに調整する。例文帳に追加

The method for manufacturing an ITO molded form by slip casting of ITO slurry containing a mixture of indium oxide powder and tin oxide powder, water, a dispersing agent and a binder comprises adding a dispersing agent having a carboxylic group and controlling slurry viscosity prior to ITO slurry casting at 1.0-50 dPa.s at 25°C. - 特許庁

光入出力２１，２２を有する光部品２０を収納する気密パッケージによって構成される光部品モジュールの製造方法において、インジウムを含有する金属２３を用いて、該金属の融点以下の温度で気密シールすることを特徴とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the optical part module constituted of an air-tight package which houses an optical part 20 having optical inputs/outputs 21 and 22, a metal 23 containing indium is used for air-tight sealing at the melting point or below of the metal. - 特許庁

ＧａＡｓからなるクラッド層５に、砒素（Ａｓ）およびインジウム（Ｉｎ）を連続供給して１．９モノレイヤーのＩｎＡｓ膜６００を結晶成長させ、ＩｎＡｓ膜６００の表面にグレイン６１０を形成する（ｃ１，ｃ２）。例文帳に追加

Continuous supply of arsenic (As) and indium (In) is carried out to a cladding layer 5 consisting of GaAs so that the crystal growth of an InAs film 600 of a 1.9 mono-layer may be deposed crystal growth, and a grain 610 may be formed in the surface of the InAs film 600 (c1, c2). - 特許庁

基板上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるホール注入電極を形成し、このホール注入電極上に、ホール注入層、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６および電子注入層を順に形成する。例文帳に追加

A hole-injecting electrode, comprising a transparent conductive film such as an indium-tin oxide (ITO) or the like, is formed on a substrate, and a hole-injecting layer, a hole transport layer 4, a luminescent layer 5, an electron transport layer 6, and an electron-injecting layer are formed sequentially on the hole-injecting electrode. - 特許庁

金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。例文帳に追加

By making hardness of the inner face higher than that of the outer face by forming a diffusion hardening layer on the inner face of the metal sheath, and by applying wire drawing by filling a MgB_2 superconductor, and as needed, improvement materials of the critical current density such as indium, copper, and tin into the sheath in the state, the superconducting wire rod is produced. - 特許庁

液晶表示パネルにおいて、上側基板上で非画像表示部には酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と低反射金属層との２層構造からなる接続配線を形成し、一方、下側基板上で非画像表示部には遮蔽膜を形成する。例文帳に追加

In the liquid crystal display panel, the connection wiring consisting of a two-layered structure composed of indium tin oxide (ITO) layer and the low-reflection metallic layer is formed in a non-image display portion on an upper substrate and, on the other hand, a shielding film is formed in a non-image display portion on a lower substrate. - 特許庁

球状であるために該微粒子が密に充填した透明導電性被膜が得られ、このため導電性、膜の強度、耐久性等に優れた透明導電性被膜付基材等に好適に用いることのできるインジウム系酸化物微粒子、該微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide indium based oxide fine particles which can provide a transparent electrically conductive film densely charged with the fine particle because of the spherical shape thereof, and can suitably be used, e.g. for a base material with a transparent electrically conductive film having electric conductivity, film strength, durability or the like, and to provide a method of producing the fine particles. - 特許庁

ノズル２６−１を有するステンレス製のノズルプレート２７のインク吐出側の面に、密着強化膜２およびインジウム・錫酸化膜３が形成され、更にその上に、水酸基と反応可能な部位を有する撥水物質を反応結合させてなる撥水撥油膜４が形成される。例文帳に追加

An adhesion reinforcing film 2 and an indium/tin oxide film 3 are formed on the surface of the ink-discharge side of a stainless steel nozzle plate 27 having a nozzle 26-1, and thereupon is further formed a water-repellent oil-repellent film 4 obtained by bonding a water-repellent substance having a hydroxyl group and a reactive site by reaction to the indium/tin oxide film 3. - 特許庁

メモリ効果による単一画素の発光時間の長時間化をはかるアクティブマトリックス駆動のための駆動基板（１−９）とＥＬ発光のためのＥＬ素子基板（１１−１４）とを完全に分離して作製した後、両基板をインジウム柱１０などを糊として使用してプレスして貼り合わせる。例文帳に追加

After a driving substrate 1-9 for driving an active matrix to increase the light emission time of a single pixel by a memory effect and an EL element substrate 11-14 for the emission of EL light are produced as completely separated from each other, the substrates are laminated by pressing by using indium columns 10 or the like as a glue. - 特許庁

次いで、銀を被覆させた後、還元雰囲気中で１５０〜５００℃の温度範囲で加熱処理し、0.５〜１５mol ％のアルミニウムで置換され且つ0.５〜１０重量％の銀が付着した平均粒子径１０〜２００ｎｍの銀添加スズ含有酸化インジウム粒子を得る。例文帳に追加

The silver added tin-containing indium oxide particle having 10-200 nm average particle diameter for which 0.5-15 mol% aluminum substitutes and to which 0.5-10 wt.% silver is stuck is obtained by covering the aluminum substituted tin-containing indium oxide particle with silver and heat-treating the resultant substance at 150-500°C under a reducing atmosphere. - 特許庁

式XXXIX（式中、Ｒ^３は水素原子又は脂肪族炭化水素基）で表される、ホウ素を含むアリル化剤によってケトン又はN-アシルヒドラゾンをアリル化するアリル化ケトンの製造方法であって、ケトン又はN-アシルヒドラゾンに対し１〜５０mol%の１価又は０価のインジウムを触媒として用いる。例文帳に追加

This method for producing an allylated ketone, comprising allylating a ketone or an N-acylhydrazone with a boron-containing allylating agent represented by formula XXXIX (wherein, R^3 is H or an aliphatic hydrocarbon group), is characterized by using monvalent or zero-valent indium in an amount of 1 to 50 mol% based on the ketone or the N-acylhydrazone as a catalyst. - 特許庁

基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。例文帳に追加

By using a sintered body essentially comprising a ceramic material, in particular, a light-transmitting sintered compact as a substrate for the substrate for forming a thin film, a single crystal thin film having high crystallinity and essentially comprising at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride can be formed on the substrate. - 特許庁

表示パネル廃棄物について、ガラス基板に付着されているインジウム等の有価金を回収すると共に、該表示パネル廃棄物の粉砕物からガラス粉末と付着物とを分離して再利用に適するガラス粉末を回収する処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method of display panel waste for recovering the valuable metal such as indium or the like adhered to a glass substrate with respect to the display panel waste and also recovering a glass powder suitable for reutilization by separating the glass powder and an adherend from the crushed matter of the display panel waste. - 特許庁

簡易な作製法で実現でき、低しきい値でかつ高出力かつ高速度動作するインジウム・ガリウム・アルミニウム・砒素混晶系リッジ装荷型レーザの素子構造、作製方法及びこれを用いた光送信装置を実現する。例文帳に追加

To realize a structure of a laser element of indium,/potassium/ aluminum/arsenic mixed crystal and a ridge-loaded type which can be realized by a simple manufacturing method and can operate at a low threshold and at a high speed with high output, and also to provide a method for manufacturing the element and a light transmission device using it. - 特許庁

ＴＦＴ−ＬＣＤ用カラーフィルター、ＬＴＰＳ−ＴＦＴ用カラーフィルターなどのカラーフィルターや、液晶ディスプレ−（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレ−などの表示装置に使用される酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜等の透明導電膜のエッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide an etching liquid for a transparent conductive film such as an indium tin oxide (ITO) or the like that is used for color filters such as a color filter for TFT-LCD, a color filter for LTPS-TFT, etc. or indicating devices such as a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence display, etc. - 特許庁

透明導電性薄膜のひとつであるＩＴＯ膜（インジウム・スズ酸化膜）３を遊技盤のセル板２表面上に形成することにより、遊技球９が役物部品，セル板等に擦り当たって発生する電荷を、配線７を介してグランド８に逃がすよう構成してある。例文帳に追加

An ITO film 3 (indium tin oxide film), one of transparent conducting films, is formed on the surface of a cell board 2 of a game board so that the electric charge, formed when the game ball 9 hits and abrade an optional part, a cell board or the like, can be led to the ground 8 through a wire 7. - 特許庁

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。例文帳に追加

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO). - 特許庁

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲットの被スパッタリング面における表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下でかつ単位面積当たりの脆性破壊領域が１０％以下であるＩＴＯスパッタリングターゲット例文帳に追加

In the ITO sputtering target consisting essentially of indium, tin and oxygen, the surface roughness (Ra) at the surface to be sputtered of the target is regulated to ≤0.1 μm and also the brittle fracture region per unit area is regulated to ≤10%. - 特許庁