インジウムを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1826件
保護金属は、望ましくは、銅、錫、インジウム、銀、真鍮、青銅又は金から選択される。例文帳に追加
The protecting metal is preferably selected from copper, tin, indium, silver, brass, bronze, or gold. - 特許庁
酸化インジウムを含有する金属酸化物半導体からなる感応素子１を具備する。例文帳に追加
The sensor is provided with a sensitive element 1 comprising a metal oxide semiconductor containing indium oxide. - 特許庁
インジウムを電解液および／または電極活物質成形体中に含む鉛蓄電池。例文帳に追加
This lead-acid battery contains indium in an electrolyte and/or an electrode active material mold. - 特許庁
これらの反応においては、インジウム塩などの金属触媒を使用することが好ましい。例文帳に追加
In these reactions, a metal catalyst such as an indium salt is preferably used. - 特許庁
ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加
To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁
酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜例文帳に追加
INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE-MAGNESIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM - 特許庁
上記III族原料物質は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、又は酸化インジウムとすることが好ましい。例文帳に追加
Aluminum oxide, gallium oxide or indium oxide is preferably used for the group III raw material substance. - 特許庁
インジウムおよび／または錫を含有する塩化鉄溶液の再生処理方法および再生処理装置例文帳に追加
REGENERATION TREATMENT METHOD AND REGENERATION TREATMENT APPARATUS FOR INDIUM- AND/OR TIN-CONTAINING IRON CHLORIDE SOLUTION - 特許庁
インジウムとスズを含む溶液からスズを簡単にかつ効率よく分離する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for easily and efficiently separating tin from a solution containing indium and tin. - 特許庁
酸化ガリウム‐酸化インジウム混晶の製造方法及び製造された混晶を用いた受光素子例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM OXIDE-INDIUM OXIDE MIXED CRYSTAL, AND LIGHT-SENSITIVE ELEMENT USING MANUFACTURED MIXED CRYSTAL - 特許庁
電気良導性の軟金属線１としては、インジウム線または銀線を用いる。例文帳に追加
As the electrical good conductive soft metal wire 1, indium wire or silver wire is used. - 特許庁
インジウム酸化物を含む透明導電性膜のエッチング液を提供する。例文帳に追加
To provide an etching liquid for etching a transparent conductive film containing indium oxide. - 特許庁
亜鉛系粒子は、比較的小さな平均粒径を有し、インジウムおよび／またはビスマスとの合金である。例文帳に追加
The zinc-based particles have comparatively small average particle size, and are an alloy with indium and bismuth. - 特許庁
インジウムイオンビームを安定した量で発生させることのできる手段を提供する。例文帳に追加
To provide a means that can generate indium ion beam in stable quantity. - 特許庁
カーボンナノコイル生成用のインジウム・スズ・鉄系触媒の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING INDIUM-TIN-IRON CATALYST FOR FORMING CARBON NANOCOIL - 特許庁
この酸化タンタル膜４の上面を覆うように、酸化インジウム膜５ｂが形成されている。例文帳に追加
An indium oxide film 5b is formed so as to cover the upper surface of this tantalum film 4. - 特許庁
前記インジウムスズ酸化物層と画素電極層は、保護絶縁層上の異なる位置に堆積する。例文帳に追加
The indium tin oxide layer and a pixel electrode layer are deposited at different positions on the protective insulating layer. - 特許庁
酸化インジウムスズ膜３０は、非酸化物接着層２０の第二面２２に形成される。例文帳に追加
The indium tin oxide film 30 is formed on the second face 22 of the non-oxide adhesive layer 20. - 特許庁
さらに、セリウム、スズおよびチタンが、インジウムサイトに固溶していることが望ましい。例文帳に追加
Furthermore, it is preferable that tin and titanium are dissolved in the indium site as a solid solution. - 特許庁
より好ましくはアルミニウム、チタン、亜鉛、インジウムやこれらを主成分とする合金である。例文帳に追加
Preferably, it is aluminum, titanium, zinc, indium, or an alloy having them as a principal component. - 特許庁
前記第一金属層と前記インジウムスズ酸化物層は、バイアホールを介して互いに接続される。例文帳に追加
The 1st metal layer and indium tin oxide layer are connected to each other through a via hole. - 特許庁
この透明導電膜としては、ＴｉやＷを含む錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）が好ましい。例文帳に追加
The transparent conductive film is preferably indium tin oxide (ITO) containing Ti or W. - 特許庁
レーザは、導波路層（１３２、１４０）、及び／又はクラッド層（１２８、１３６）において、インジウムを用いる。例文帳に追加
Laser uses indium in optical waveguide layers (132, 140) and/or clad layers (128, 136). - 特許庁
アクリル樹脂板の表面に、酸化インジウム系微粒子を含有する架橋被膜を形成する。例文帳に追加
A crosslinked film containing fine particles of indium oxide is formed on the surface of an acrylic resin sheet. - 特許庁
インジウム層は、その直線部の中央部から角部に向かって厚くなるように形成されている。例文帳に追加
The indium layer is formed so as to become thicker from the center part of the straight line portion toward the corner part. - 特許庁
有利に高い品質を有するインジウム含有窒化物を比較的低温で成長させられる。例文帳に追加
An indium-containing nitride of high quality is effectively grown at a relatively low temperature. - 特許庁
好ましくは、導体材料の薄膜（６）は、インジウム−スズ酸化物からなる。例文帳に追加
Preferably, a thin film 6 as a conductor material is made of indium-tin oxide. - 特許庁
ｐ側電極層７０に、インジウム（Ｉｎ）を含む材料よりなる応力緩和層７１を設ける。例文帳に追加
A stress relaxation layer 71 made of a material containing indium (In) is provided on a p-side electrode layer 70. - 特許庁
スズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法、ならびに導電性塗膜と導電性シート例文帳に追加
TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE PARTICLE AND ITS PRODUCTION METHOD, CONDUCTIVE COATING FILM, AND CONDUCTIVE SHEET - 特許庁
Ｓｉ−Ｇｅ合金にインジウムを注入したトランジスタ及び製造方法例文帳に追加
TRANSISTOR WHERE INDIUM IS INJECTED INTO Si-Ge ALLOY AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁
（２）Ｉｎ原料がトリメチルインジウムであることを特徴とする上記（１）記載の製造方法。例文帳に追加
(2) In the method described in (1), the In material is trimethly indium. - 特許庁
結晶性が高く、小粒径のスズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a tin-doped indium oxide particulate having high crystallinity and a small particle diameter. - 特許庁
封着面１１ａには、下地層３１を介してインジウム層３２が形成される。例文帳に追加
An indium layer 32 is formed on the sealing surface 11a by interlaying a base layer 31. - 特許庁
インジウム層３２の４つの角部には、それぞれ通電のための電極３４が接続されている。例文帳に追加
Electrodes 34 each used for carrying a current are connected to the four corner parts of the indium layer 32. - 特許庁
酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット例文帳に追加
INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME - 特許庁
基板１０と、非酸化物接着層２０と、酸化インジウムスズ膜３０とを備える。例文帳に追加
The bonding structure is provided with a substrate 10, an non-oxide adhesive layer 20, and an indium tin oxide film 30. - 特許庁
平均粒子径が２〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とするインジウム系金属微粒子。例文帳に追加
The indium based metal fine particles have a 2-200 nm average particle size. - 特許庁
酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法例文帳に追加
ETCHING LIQUID COMPOSITION FOR INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD USING THE COMPOSITION - 特許庁
基材樹脂層２の凹凸面には、インジウム金属薄膜層３を蒸着する。例文帳に追加
An indium metal thin film layer 3 is evaporated on the indented surface of the base resin layer 2. - 特許庁
透明樹脂フィルムの表面に透明な酸化インジウム膜が付設されてなる放熱用透明フィルム。例文帳に追加
The transparent film for heat dissipation includes a transparent indium oxide film provided on the surface thereof. - 特許庁
酸化インジウム−酸化タングステン系透明導電膜及びその製造方法例文帳に追加
INDIUM OXIDE-TUNGSTEN OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
第二蓄積コンデンサは、第二金属層、保護絶縁層と、インジウムスズ酸化物層より形成される。例文帳に追加
A 2nd storage capacitor comprises a 2nd metal layer, a protective insulating layer, and an indium tin oxide layer. - 特許庁
日射遮蔽膜形成用インジウム錫酸化物微粒子の処理方法および日射遮蔽膜例文帳に追加
METHOD FOR TREATING FINE INDIUM-TIN OXIDE PARTICLE FOR FORMING INSOLATION-SCREENING FILM AND INSOLATION- SCREENING FILM - 特許庁
該硫化沈殿方法による工程を含むことを特徴とするインジウム回収方法である。例文帳に追加
The method for recovering indium comprises a step of using the above sulfurizing precipitation process. - 特許庁
インジウム層４３は、電気的導通を有する程度にその表面が酸化されている。例文帳に追加
The indium layer 43 has its surface oxidized to such a degree as to have a conductivity. - 特許庁
透明導電膜は、酸化スズを０．５〜８質量％含む酸化インジウムが好ましい。例文帳に追加
It is preferable that the transparent membrane is formed of an indium oxide containing 0.5 to 8 mass% of a tin oxide. - 特許庁
金属スズ含有酸化インジウム焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法例文帳に追加
METALLIC TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
蓄熱材料としてはインジウム、Ｓｎ−５８Ｂｉ及び５０Ｂｉ−２８Ｐｂ−２２Ｓｎなどである。例文帳に追加
Indium, Sn-58Bi, and 50Bi-28Pb-22Sn are preferable as the thermal storage material. - 特許庁
ビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させる。例文帳に追加
Bismuth and indium are made to be present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part thereof. - 特許庁
好ましくは、インジウム（Ｉｎ）を１乃至５重量パーセント含有するのが良い。例文帳に追加
Preferably, the silver solder material contains the indium (In) at 1 to 5 wt.%. - 特許庁
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