「ステップ成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳｉＣ基板１０をＳｉＣインゴットから切り出す際に、ＳｉＣ基板１０の主面をｂａｓａｌ面からオフさせて、かつ、転位列ＤＳＬの方向とエピタキシャル成長の際に生じるステップＳＴＰの方向とが実質的に一致しないように、平面視におけるオフ方向を設定して切り出す。例文帳に追加

When an SiC substrate 10 is cut from an SiC ingot, the main face of the SiC substrate 10 is off from a basal face, and the SiC substrate 10 is cut by setting an off-direction in plan view so that a direction of a dislocation column DSL is not substantially coincident with a direction of a step STP caused upon an epitaxial growth. - 特許庁

本発明は下記のステップを含む炭素ナノチューブの製造方法を提供し、金属基板を提供し、炭化水素ガスを提供し、該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成し、該酸化物層に触媒層を形成し、炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長する同時に、該酸化層を還元する。例文帳に追加

In the invention, a method of producing a carbon nanotube including the following steps is provided, a metallic substrate is provided, a carbon source gas is provided: the surface of the metallic substrate is oxidized to form an oxide layer, a catalyst layer is formed on the oxide layer, the carbon source gas is introduced to grow a carbon nanotube, and simultaneously, the oxide layer is reduced. - 特許庁

ヒストンデアセチラーゼ（HDAC）阻害剤、例えばPXD-101の第1の量もしくは用量および他の化学治療薬、例えばデキサメタゾン(DEX)もしくは5-フルオロウラシル、または上皮成長因子レセプター（EGFR）阻害剤、例えばTarceva(登録商標)の第2の量または用量を投与するステップを含んでなり、その場合、第1および第2の量または用量は治療上有効な量を含む上記方法。例文帳に追加

The method includes a step of administering a first amount or dose of a histone deacetylase (HDAC) inhibitor, such as PXD-101, and a second amount or dose of another chemotherapeutic agent, such as dexamethasone (DEX) or 5-fluorouracil, or an epidermal growth factor receptor (EGFR) inhibitor, such as Tarceva (R), wherein the first and second amounts or doses comprise a therapeutically effective amount. - 特許庁

ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ_6およびＳｉ_2Ｈ_2Ｃｌ_2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。例文帳に追加

A method for forming a WSi film includes a step (1) of forming a deposit film 6, containing Si and W as main components and having a hexagonal crystal phase chemical vapor growth using a gaseous start material containing WF6 and Si2H2Cl2 and a step (2) forming a WSi film annealing a substrate 2, on which the deposit film 6 is formed in an ammonia atmosphere. - 特許庁

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei. - 特許庁