「ステップ成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、エピタキシャル成長装置を用いて結晶回復熱処理を行い（ステップＳ１４ａ），次いで、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ１５ａ）。例文帳に追加

Then the crystal recovery heat treatment using the epitaxial growth device is carried out (step S14a) and then an epitaxial film is formed (step S15a). - 特許庁

また、プラズマ酸化（ステップＳ１８）の前に、ＡＢＳにフォトレジストを塗布し（ステップＳ１４）、それを除去する（ステップＳ１６）ようにすると、凸部の成長が促進される。例文帳に追加

If photoresist is applied on the ABS(air bearing surface) (step S14) before the plasma oxidation (step S18) and is removed (step S16), the growth of the protrusions is accelerated. - 特許庁

ステップ１０３とステップ１０４とステップ１０５とを順に複数回繰り返して露出したシリコン層１１にシリコンエピタキシャル膜１２を成長させる。例文帳に追加

By repeating the steps 103, 104, and 105 in order several times, a silicon epitaxial film 12 is grown on the exposed silicon layer 11. - 特許庁

本発明に係る化合物半導体微粒子の製造方法は、核形成反応ステップＳ２１、冷却ステップＳ２２、核成長反応ステップＳ２３を含む。例文帳に追加

The method for producing a compound semiconductor fine particles includes a nucleation reaction step S21, a cooling step S22 and a nuclear growth reaction step S23. - 特許庁

銅めっきの電流ステップを図１に示すように、めっきを成長させる方向とは逆の方向にのみ電流を流すステップを１ステップのみ有するように銅めっきを実施する。例文帳に追加

The copper plating is performed so that a current step has a step where current is made to flow only at the opposite direction to the plating growth direction by only one step as shown in figure. - 特許庁

成長基板を設けるステップと、成長基板上にＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層を成長させるステップを有するバルク音響波デバイスの作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a bulk acoustic wave device comprising providing a growth substrate and growing a Group-III nitride epitaxial layer on the growth substrate. - 特許庁

誘電体上再成長プロセスを使用した高屈折率ステップ格子の製造例文帳に追加

MANUFACTURE OF HIGH REFRACTIVE INDEX-STEP GRATING USING REGROWTH-OVER-DIELECTRIC PROCESS - 特許庁

さらに、各環境要素ごとに前記差に対応する成長ポイントを読み出し（ステップＳ６）、各ペットごとに今回の合計成長ポイントを算出する（ステップＳ７）。例文帳に追加

A growing point corresponding to the difference in each environmental element is read out (step S6) and current total growing points are calculated in each pet (step S7). - 特許庁

空洞形成工程は、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。例文帳に追加

In the cavity forming process, a first step and a second step for growing a semiconductor film at different growing speeds are alternately executed a plurality of times. - 特許庁

核成長反応ステップは、冷却ステップで第２温度に冷却した溶液を、第３温度に保った第２細管に第２流速で流通させることで核を化合物半導体微粒子に成長させる。例文帳に追加

The nuclear growth reaction step grows up the nucleus to a compound semiconductor fine particle by passing the solution which is cooled to the second temperature by the cooling step through a second capillary maintained at a third temperature at a second flow rate. - 特許庁

ＡｌＧａＮの成長ステップにおいてＩｎをドープし、ＧａＮ成長ステップにおいてＩｎ及びＳｉをドープすることにより、発光強度を著しく増大させることができる。例文帳に追加

Indium is doped at the growth step of AlGaN while In and Si are doped at the growth step of GaN, to significantly raise the light-emission intensity. - 特許庁

膜成長の間に形成される境界欠陥の位置を制御するためのリリース層をベース基板に生成且つパターニングし（ステップ１０２０）、リリース層上に低欠陥密度膜を成長させる（ステップ１０６０）。例文帳に追加

A release layer for controlling the position of a boundary defect formed during film growing is formed and patterned on the base substrate (step 1020), and the low defect density film is grown on the release layer (step 1060). - 特許庁

所定の第１温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第１温度より高い所定の第２温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第２温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。例文帳に追加

This method comprises: the low temperature high doped layer growing step of doping the dopant while growing a thin film at a specific first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of the thin film to anneal the thin film at a predetermined second temperature higher than the first temperature; and the high temperature low doped layer growing step of growing the thin film at the second temperature. - 特許庁

活性層上にダミー層を形成し（ステップＳ３）、ダミー層を、活性層を露出させることなく部分的にエッチングして回折格子構造にし（ステップＳ５）、次いで、ダミー層を成長装置で気相エッチングにより除去するとともに（ステップＳ７）、その回折格子構造の形状を活性層に転写して活性層に回折格子を形成し（ステップＳ８）、活性層を大気に曝すことなく回折格子上に分離層を形成する（ステップＳ９）。例文帳に追加

A dummy layer is formed on the active layer (step S3), and the dummy layer is partially etched without exposing the active layer to make grating structure (step S5). - 特許庁

半導体発光装置を製作する方法は、半導体発光スタックを成長基板から分離するステップと、半導体発光スタックを不透光性基板に接合するステップと、半導体発光スタックを覆うように蛍光体構造体を形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor light emitting device includes a step that separates the semiconductor luminescent stack from the grown substrate, a step that bonds the semiconductor luminescent stack to the nontranslucent substrate, and a step that forms the fluorescent structure so as to cover the semiconductor luminescent stack. - 特許庁

サファイア単結晶上にＡｌＮからなる成長下地層をエピタキシャル形成してなる下地基板を製造装置内に載置（ステップＳ１）した後、室温の状態で水素ガスの供給を開始（ステップＳ２）し、さらに昇温を開始する（ステップＳ３）。例文帳に追加

An underlaying substrate obtained by epitaxially forming a growing underlaying layer, consisting of AlN on a sapphire single crystal is placed in a manufacturing apparatus (step S1), then supply of hydrogen gas is started in a state of room temperature (step S2), and further rise in the temperature is started (step S3). - 特許庁

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。例文帳に追加

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer. - 特許庁

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、表面成長速度の計算を行うステップと、前記表面成長速度の計算をスキップするステップと、を繰り返すアルゴリズムを用い、物質界面を前記物質表面が横切ったステップに、前記表面成長速度を計算することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。例文帳に追加

In the simulation method of simulating a processing form of a substance surface, using an algorithm of repeating the steps of calculating the surface growing rate and skipping the calculation of the surface growing rate, the surface growing rate is calculated at the step of passing the substance surface across the substance interface. - 特許庁

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。例文帳に追加

A method for making an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface, a second step of placing a carbon nanotube layer with a plurality of gaps on the epitaxial growth surface of the substrate, a third step of growing an intrinsic semiconductor epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate, and a fourth step of growing a doped semiconductor epitaxial layer on the intrinsic semiconductor epitaxial layer. - 特許庁

さらに、この成長装置内で、熱変形防止層および回折格子の表層部を除去した後（ステップＳ５）、回折格子の埋め込み層を形成する（ステップＳ６）。例文帳に追加

Furthermore, the thermal deformation prevention layer and the surface layer of the diffraction grating are removed (step 5), and then the buried layer of the diffraction grating is formed (step 6). - 特許庁

基板１５上にヒドロキシル基を含有するＺｎＯシード層２５を形成するステップと、ヒドロキシル基を含有するＺｎＯシード層２５上にＺｎＯナノワイヤ４５を成長させるステップと、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step of forming a ZnO seed layer 25 containing a hydroxy group on a substrate 15 and a step of growing ZnO nanowires 45 on the ZnO seed layer 25 containing a hydroxy group. - 特許庁

その後、リリース層をエッチングすることで低欠陥密度膜をベース基板から分離して（ステップ１１００）、低欠陥密度膜上にデバイスを成長させる（ステップ１０８０）。例文帳に追加

After that, the release layer is etched to separate the low defect density film from the base substrate (step 1100), and then a device is grown on the low defect density film (step 1080). - 特許庁

ポリによる封止が、合併型エピタキシャル横方向過成長(MELO)ステップで形成される第2のエピ層の質および純度を改善するために、TBO層の形成後およびMELOステップの前に実行され得る。例文帳に追加

In order to improve the quality and purity of a second epi layer which is formed in a merged epitaxial lateral overgrowth (MELO) step, sealing by poly may be performed after formation of the TBO layer and before the MELO step. - 特許庁

ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。例文帳に追加

First and second portions 17a and 17b of an active layer 17 formed on the arrangement of the steps 25 are respectively grown on the faces 25a and 25b of the step 25 and generate light of different luminous wavelengths. - 特許庁

基板表面上に金属の核種を付着させる第１のステップと、前記基板表面上に付着した核種を成長させる第２のステップとを備える。例文帳に追加

The method for immobilizing the metallic nanoparticles has a first step of sticking metal nuclei onto a substrate surface and a second step of growing the nuclei sticking to the surface of the substrate. - 特許庁

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

To provide a simulation method capable of calculating a shape near an interface more accurately when a large time step is taken, or when the step for calculating a surface growth rate is reduced. - 特許庁

戦闘終了後（ステップＳ６０８）、成長バッファの情報に基づき、キャラクタの行動ごとに設定されたレベルをレベルアップさせるか否かを判定する（ステップＳ６０９）。例文帳に追加

After the completion of the battle (step S608), whether a level set for each action of a character is to be leveled up or not is determined on the basis of the information of the growth buffer (step S609). - 特許庁

そして主エピタキシャル層3の成長温度よりも低温で副エピタキシャル層2を形成し（ステップS8）、900℃以上1200℃以下の温度で副エピタキシャル層2上に主エピタキシャル層3を形成する（ステップS9）。例文帳に追加

Then, a sub-epitaxial layer 2 is formed at a lower temperature than the growth temperature of a main epitaxial layer 3 (step S8), and the main epitaxial layer 3 is formed on the sub-epitaxial layer 2 at ≥900°C and ≤1,200°C (step S9). - 特許庁

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法およびシミュレーションプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a simulation method and a simulation program more accurately calculating a form near an interface when taking a large time-step or reducing the number of surface growing rate calculating steps. - 特許庁

そして、ステップＳ１１又はステップＳ１３で、成長ポイントの合計値Ａ，Ｂ，Ｃに対応する画像データを読み出し、この画像データに基づく画像を表示させることにより、ペットの表示変更を行う。例文帳に追加

Image data corresponding to the total values A to C of growing points are read out in a step S11 or a step 513 and an image based on the image data is displayed to change the display of the pet. - 特許庁

また、第１導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第２導電型の第１のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第１のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。例文帳に追加

A method for manufacturing the image sensor comprises a step for forming the first conductive semiconductor substrate, a step for forming the trench, a step for growing the second conductive type first epitaxial layer in the trench to be embedded, and a step for forming the second epitaxial layer on the first epitaxial layer. - 特許庁

また、要求される大きさのナノ粒子が形成されるように、その大きさに対応する厚さにシリコンソース層を形成するステップと、所定金属とシリコンからなるナノ粒子を形成するステップと、ナノ粒子をシリコンソース層に蒸着させるステップと、ナノ粒子を成長させてシリサイドを形成するステップと、を含むナノ粒子の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing it comprises the steps of forming a silicon source layer having a thickness corresponding to its size so as to form the nanoparticls of a required size, forming the nanoparticles comprising a predetermined metal and silicon, vapor-depositing the nanoprticles on the silicon source layer, and forming the silicide by growing the nanoparticles. - 特許庁

窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を可能にする方法は、ドーパント注入装置及び成長室を有する複合窒化物室中に、窒化物半導体本体に対する成長環境を確立するステップと、成長室内で窒化物半導体本体を成長させる成長ステップと、ドーパント注入装置を用いて成長室内で窒化物半導体本体にインシチュ状態でドーパント注入を行う注入ステップとを具える。例文帳に追加

A method enabling in situ dopant implantation during growth of a nitride semiconductor body has steps of: establishing a growth environment for the nitride semiconductor body in a composite nitride chamber having a dopant implanter and a growth chamber; growing the nitride semiconductor body in the growth chamber; and implanting the nitride semiconductor body in situ in the growth chamber using the dopant implanter. - 特許庁

本日、我々は、「成長のためのアジェンダ」においてとられるべき次なるステップを議論し、生産性をいかに上昇させるかについて意見交換。例文帳に追加

Today, we discussed the next steps to be taken in the Agenda for Growth and exchanged views about how to raise productivity.  - 財務省

分散液調製ステップでは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に気相成長炭素繊維を分散させ、１０分間攪拌した。例文帳に追加

At a preparation step of dispersion liquid, vapor-growth carbon fiber is dispersed in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and stirred for 10 minutes. - 特許庁

基本マトリクス内の画素の成長順および個々の基本マトリクスの配置から、ディザマトリクスを生成する（ステップＳ１０６）。例文帳に追加

From the growing order of the pixels within the basic matrix and the arrangement of the respective basic matrixes, the dither matrix is generated (step S106). - 特許庁

エピタキシャル成長及びその後のウェハ接合処理ステップを回避するＳＳＯＩ構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an SSOI structure which avoids epitaxial growth and subsequent wafer bonding steps. - 特許庁

その次に固相エピタキシャル再成長ステップが、アモルファス化領域の所望の厚さを持つ薄膜上になされる。例文帳に追加

Next, a solid phase epitaxy regrowth step is carried out on a thin film having a desired thickness in the amorphous region. - 特許庁

ＧａＮ結晶１０５はステップフロー成長し、転位１０４はＧａＮ結晶１０５中において曲げられるため、転位密度がさらに減少する。例文帳に追加

The GaN crystal 105 grows in a step flow mode, and the dislocation 104 is bent in the GaN crystal 105, so that the dislocation density is further reduced. - 特許庁

子供の成長に対応して長期間使用可能とした二輪車用子供座席のステップ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a child seat step device for a two-wheeled vehicle made serviceable for a long period in compliance with the growth of a child as user. - 特許庁

蓄積電極を形成するステップの初期の段階の成長条件温度が４５０〜５２０℃の範囲の温度である。例文帳に追加

The growing condition temperature of the initial stage of the accumulated electrode-forming step is in the range of 450 to 520°C. - 特許庁

蓄積電極を形成するステップの後期の段階の成長条件温度は５３０〜５５０℃の範囲の温度であることが好ましい。例文帳に追加

The growing temperature in the latter stage of the accumulated electrode-forming step is preferably 530 to 550°C. - 特許庁

下地層上にＳｉをドープしつつ互いに異なる成長速度でIII族窒化物の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施して内部に複数の空孔を含む空洞含有層を長用基板上に形成する。例文帳に追加

A first and a second step where, while Si is being doped on the ground layer, III-group nitride is grown at mutually different growth rates are alternately carried out multiple times, thereby forming on the growth substrate a cavity containing layer which internally contains a plurality of pores. - 特許庁

基板上の複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、デバイス領域の周囲の基板上に溝を形成する溝形成ステップと、デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップとを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device formed in a plurality of device regions on a substrate, comprising semiconductor layers, comprises a groove forming step for forming a groove on the substrate at the circumference of the device region, and a semiconductor growing step for growing a semiconductor layer in the device region. - 特許庁

続いて、ＥＣＵは、車体速度ＶＳ及び作動速度Ｖｗｐに応じて、ブレーキロータに付着する水分膜の所定周期での成長量ΔＷを推定し（ステップＳ１５）、所定周期毎の成長量ΔＷを積算して水分膜厚Ｗを求める（ステップＳ１６）。例文帳に追加

Subsequently, the ECU estimates a growth amount ΔW at a predetermined period of a water membrane adhering to the brake rotor based on the vehicle body speed VS and the wiper operation speed Vwp (step S15), integrates the growth amount ΔW for each predetermined period and determines a water membrane thickness W (step S16). - 特許庁