「ステップ成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

所定の成長条件で制御された成長部へ、所定の原料を供給して所定の外径の化合物半導体単結晶を成長させる成長ステップと、所定の外径の化合物半導体単結晶を所定の熱処理（アニール）温度まで加熱して内部の歪を除去する歪除去ステップとを含むものとする。例文帳に追加

This production method comprises a growth step for supplying a prescribed raw material to a growth section controlled so as to be maintained under prescribed conditions, to grow a compound semiconductor single crystal having a prescribed outer diameter, and a strain removal step for heating the grown compound semiconductor signal crystal having the prescribed out diameter to a prescribed heat treatment (annealing) temperature, to remove strain inside the single crystal. - 特許庁

アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末６を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。例文帳に追加

The method comprises steps of: forming a crystal raw material mass by supplying crystal powder 6 containing an alkali metal fluoride or alkali earth metal fluoride; melting the crystal raw material mass in a crystal growing unit; and solidifying the molten crystal raw material mass by cooling. - 特許庁

本発明の熱界面材料の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの一つの表面に少なくとも一種の金属を堆積させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイ及び前記少なくとも一種の金属を加熱させて、前記金属を溶かす第三ステップと、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing a thermal interface material includes a first step of growing an array of carbon nanotubes on a substrate, a second step of depositing at least one metal on one surface of the array of carbon nanotubes, and a third step of heating the array of carbon nanotubes and the at least one metal to melt the metal. - 特許庁

斜交格子を用いて斜交スクリーンを作成するに際し、先ず、斜交格子系のパラメータおよびスクリーンパラメータを準備し（ステップＳ１１）、次いで斜交格子系をマトリックス内に作成し（ステップＳ１２）、しかる後マトリックス内に作成された斜交格子系の格子点から網点を成長させ、全階調を割り当てる（ステップＳ１３）。例文帳に追加

At the time of generating an oblique screen using an oblique lattice, parameters and screen parameters of an oblique lattice system are prepared (step S11), an oblique lattice system in then generated within a matrix (step S12), and dots are grown from the lattice points of the oblique lattice system generated in the matrix and assigned for the entire gray scale (step S13). - 特許庁

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。例文帳に追加

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode. - 特許庁

シリコンウェーハ１０上の一部に不純物領域１８、２２を形成するステップと、シリコンウェーハ１０をＤＨＦ／ＨＮＯ_３溶液で洗浄するステップと、シリコンウェーハ１０上にシリコン層２４をエピタキシャル成長により形成するステップを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing an epitaxial wafer is characterized by having a step of forming impurities regions 18, 22 on a part of a silicon wafer 10, a step of cleaning the silicon wafer 10 with a DHF/HNO_3 solution, and a step of forming a silicon layer 24 on the silicon wafer 10 by an epitaxial growth. - 特許庁

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。例文帳に追加

This method for producing an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one crystal surface, a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of voids on the crystal surface of the substrate, and a third step of growing an epitaxial layer on the crystal surface of the substrate. - 特許庁

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。例文帳に追加

A manufacturing method of an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of gaps so as to be suspended on the epitaxial growth surface of the substrate; and a third step of causing a growth of an epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate so as to include the carbon nanotube layer. - 特許庁

本発明のカーボンナノチューブ薄膜の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させるステップと、押し器具を利用して前記カーボンナノチューブアレイを押してカーボンナノチューブ薄膜を形成させるステップと、を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the carbon nanotube thin film comprises the steps of: growing a carbon nanotube array on a substrate; and pressing the grown carbon nanotube array by using a pressing tool to form the carbon nanotube thin film. - 特許庁

炭素含有領域は、ウエハにおける炭素又は炭素含有種を注入するステップ又は上にあるエピタキシャルキャップ層を有する、又は有しない半導体基体上にエピタキシャル炭素含有層を成長するステップを含むがこれに限定されない。例文帳に追加

The carbon-containing region, while not limited, includes a step of injecting carbon or carbon-containing species, or a step of growing an epitaxial carbon-containing layer on a semiconductor substrate, with or without an epitaxial cap layer thereon. - 特許庁

半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。例文帳に追加

The method and apparatus for growing a semiconductor crystal include steps of pulling the semiconductor crystal from melt at a predetermined pull speed and modulating the pull speed by combining a periodic pull speed with an average speed. - 特許庁

本発明の方法は、植物を、少なくとも１つのシクロプロペンを含む少なくとも１つの組成物（ｉ）と接触させるステップ、および植物を、シクロプロペンではない少なくとも１つの植物成長調節剤を含む少なくとも１つの組成物（ｉｉ）と接触させるステップを含む。例文帳に追加

This method for treating the plant includes a step for bringing the plant into contact with at least one composition (i) containing at least one cyclopropene and a step for bringing the plant into contact with at least one composition (ii) containing at least one plant growth regulator which does not comprise the cyclopropene. - 特許庁

シリコン基板に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入（ステップＳ１２ａ）した後、結晶回復熱処理を行うことなく、シリコン基板をエピタキシャル成長装置に搬送する（ステップＳ１３ａ）。例文帳に追加

A silicon substrate is conveyed to an epitaxial growth device (step S13a) without performing a crystal recovery heat treatment after ion implantation ( step S12a) for implanting ions in the silicon substrate by a dosage of 1×10^13 to 5×10^15 atoms/cm^2. - 特許庁

Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。例文帳に追加

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2). - 特許庁

このような雇用情勢に適切に対応するため、政府で策定した｢雇用戦略・基本方針2011｣を踏まえ、新成長戦略の｢ステップ２｣を着実に実施し、加えて｢ステップ３｣として、本格的な｢雇用・人材戦略｣の推進を図っている。例文帳に追加

To address such employment situations appropriately, the government is steadily working on “Step 2” of New Growth Strategy in line with the “2011 Employment Strategy: Basic Policy” drafted by the government, and is also pushing ahead with full-fledged “Employment and Human Resources Strategies” as “Step 3.”  - 経済産業省

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。例文帳に追加

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode. - 特許庁

成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。例文帳に追加

In the growth step, crystal growth from the template 20 side to the substrate 11 side is progressed in the thin film precursor 13 by heating the thin film precursor 13 while holding the contact state. - 特許庁

成長ステップのあいだ触媒として作用する、導電材料のドロップレット６は、成長の最後に、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の先端に残存する。例文帳に追加

Droplets 6 of a conductive material functioning as a catalyst during growing steps remain at the top end of each nanowire 7 of the first array in the finish stage of growth. - 特許庁

または、酸化物成長ステップの間、酸化物が、トレンチ壁よりもトレンチ底部で早く、かつ、薄く成長できるように、トレンチ底部がアモルファス化され、トレンチ壁が単結晶シリコンとして残される。例文帳に追加

In another embodiment, the bottom of the trench is grown amosphous and the walls of the trench are left as singly-crystal silicon so that the oxide may be grown much faster and thicker on the bottom than on the walls during an oxide growth step. - 特許庁

異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。例文帳に追加

On a diamond heteroepitaxial film grown on the substrate of a different kind of single crystal, one or a plurality of convex parts are formed and diamond is grown in step-flow fashion from the convex parts as a starting point. - 特許庁

これにより、炭化珪素単結晶６が結晶成長する際に、種結晶全面において炭化珪素原料ガスの流れの方向に向く成長ステップフローのみとすることができる。例文帳に追加

Thus, on the crystal growth of the silicon carbide single crystal, the reaction gas flow can be made to be the growth step flows only in all of the faces of the seed crystal where all of the surface of the seed crystal can oppose to the reaction gas flow. - 特許庁

広義の実施例において、骨成長を管理する方法、または一定の空間領域への骨成長を防止する方法は、本発明の再吸収性バリア膜を用いて空間的バリアを形成するステップを含んでいる。例文帳に追加

In a broad embodiment, methods for governing bone growth or those for preventing bone growth into a certain spatial area include the step of forming a spatial barrier by using the presently invented resorbable barrier membrane. - 特許庁

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。例文帳に追加

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter. - 特許庁

この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。例文帳に追加

The luminous diode manufacturing method includes the steps of providing a substrate; making a first epitaxial layer grow on the substrate under a first growth condition; making a process changeover layer grow on the first epitaxial layer under a second growth condition; and making a second epitaxial layer grow on the process switchover layer under a third growth condition. - 特許庁

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。例文帳に追加

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process. - 特許庁

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。例文帳に追加

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step. - 特許庁

ガラス基板上にバッファー層を形成するステップと、前記バッファー層上に触媒金属層を形成するステップと、前記触媒金属が形成されたガラス基板を真空チャンバに導入し、真空チャンバ内にＨ_２Ｏプラズマを発生させるステップと、真空チャンバ内にソースガスを供給しガラス基板上にカーボンナノチューブを成長させるステップと、を含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing a single-walled carbon nanotube comprises the steps of: forming a buffer layer on a glass substrate; forming a catalyst metal layer on the buffer layer; introducing the glass substrate having the catalyst metal formed thereon into a vacuum chamber to generate an H_2O plasma in the vacuum chamber; and supplying a source gas into the vacuum chamber to grow a carbon nanotube on the glass substrate. - 特許庁

ウエハ上に（ＨＢＴ及びＦＥＴのような）少なくとも２つの異なるタイプの集積活性デバイスをその後に作製するのに適したエピタキシャル第３〜５族化合物半導体ウエハを作製する方法を、基板を提供するステップ；基板上に第１のエピタキシャル構造体を成長させるステップ；及び第１のエピタキシャル構造体上に第２のエピタキシャル構造体を成長させるステップによって構成した。例文帳に追加

A method of fabricating an epitaxial compound semiconductor III-V wafer suitable for the subsequent fabrication of at least two different types of integrated active devices (such as an HBT and an FET) on such wafer is provided by providing a substrate; growing a first epitaxial structure on the substrate; and growing a second epitaxial structure on the first epitaxial structure. - 特許庁

財政協定の採択及びその継続的な実施は，成長促進政策，構造改革及び金融の安定措置とともに，維持可能な借入コストをもたらす財政及び経済の更なる統合に向けた重要なステップである。例文帳に追加

The adoption of the Fiscal Compact and its ongoing implementation, together with growth-enhancing policies and structural reform and financial stability measures, are important steps towards greater fiscal and economic integration that lead to sustainable borrowing costs.  - 財務省

財政協定の採択及びその継続的な実施は，成長促進策及び構造改革とともに，財政及び経済の更なる統合に向けた重要なステップである。例文帳に追加

The adoption of the Fiscal Compact and its ongoing implementation, together with growth-enhancing policies and structural reform, are important steps towards greater fiscal and economic integration.  - 財務省

三元ＩＩＩ族窒化物材料を形成する方法は、チャンバー内で基板上に三元ＩＩＩ族窒化物材料をエピタキシャル成長させるステップを含む。例文帳に追加

The method of forming a ternary group III nitride material includes a step for epitaxially growing a ternary group III nitride material on a substrate in a chamber. - 特許庁

この熱処理中に、破線２５ａで示されるような原子のマイグレーションにより、リッジ１６及びトレンチ１５の形状が変形する、ＧａＮ膜表面のステップが成長して徐々に大きくなる。例文帳に追加

During the heat processing, shapes of the ridge 16 and trench 15 change through migration of atoms shown by a broken lines 25a, and steps on a GaN film surface are grown to become larger. - 特許庁

成長中の核酸鎖をより少ない量の試薬にしか曝露せず且つ少ないステップ数にてターゲットとなるポリヌクレオチドを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for synthesizing a target polynucleotide through a reduced number of steps and by exposing the growing nucleic acid chain to a reduced amount of a reagent. - 特許庁

詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には２１００から２５００℃の間の温度及び６〜８ＧＰａの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。例文帳に追加

In detail, the method includes a step of heat-treating the diamond grown at a high temperature and high pressure, representatively at a temperature of 2,100-2,500°C and pressure of 6-8 GPa. - 特許庁

一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。例文帳に追加

In one or more embodiments, the selective epitaxy process includes a step of repeating, until an epitaxial layer grows to a desired thickness, a cycle composed of: the deposition, an etching process after the deposition, and a desired purge cycle. - 特許庁

エピタキシャル成長は、チャンバー中の窒素前駆体の分圧と１つ又は複数のＩＩＩ族前駆体の分圧との比較的に高い比を含む前駆体ガス混合物をチャンバー内に準備するステップを含む。例文帳に追加

The epitaxial growth includes a step for preparing, in the chamber, a precursor gas mixture having a comparatively high ratio of the partial pressure of a nitride precursor and the partial pressure of one or a plurality of group III precursors in the chamber. - 特許庁

燃料電池の製造方法は、液水からの氷の結晶の成長を抑制する不凍タンパク質と、光硬化性樹脂とを含有する不凍タンパク質含有ペーストを作製する第１の工程（ステップＳ１１０）を備える。例文帳に追加

This method for manufacturing the fuel cell is provided with the first process (step S110) for preparing an antifreezing protein containing paste containing an antifreezing protein for restraining a growth of a crystal of ice from the aqueous liquid, and a photocuring resin. - 特許庁

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。例文帳に追加

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained. - 特許庁

表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。例文帳に追加

The single crystal diamond [111] substrate has a step terrace structure on a surface or a deposited diamond film on a surface of the substrate by a chemical vapor deposition. - 特許庁

電流ブロック層８、ｎ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層９、ｎ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）１０をエピタキシャル成長させる(ａ)。例文帳に追加

A current block layer 8, an n-GaInP step-punching generation payer 9, and an n-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 10, are epitaxially grown. - 特許庁

ＧａＮ結晶１００はステップフロー成長し、種結晶１８から伝搬する転位はＧａＮ結晶１００中において曲げられ、転位密度が減少する。例文帳に追加

The GaN crystal 100 is grown in a step-flow mode, and a dislocation propagating from the seed crystal 18 is bent in the GaN crystal 100 to reduce the dislocation density. - 特許庁

逆活性マスキングのような費用のかかる後処理ステップが省略される、より一様な膜の生成を促進させる化学気相成長システム及び方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a chemical vapor growth system and a chemical vapor growth method that omit a post-treatment step such as expensive inverse-active masking, and accelerate the generation of a more uniform film. - 特許庁

最初の第１のステップでは、コンタクト孔密集部（高密度配線領域）の埋め込み性を重視して、コンタクト孔底部から成長するような形状で成膜させる。例文帳に追加

In this manufacturing method, at an initial first step, taking a serious view of an embedding property in a contact hole crowded part (high dense wiring region), a film is formed in a shape in which it is grown from a contact hole bottom part. - 特許庁

第１〜第７ステップで、融液１２の対流を考慮して融液から成長する単結晶１４内の温度分布を、単結晶の引上げ時から冷却完了時までのコンピュータを用いて求める。例文帳に追加

At first to seventh steps, temperature distribution in a single crystal 14 growing from melt 12 is determined using a computer from the pulling time of the single crystal to the finish time of cooling while taking account of the convection of the melt. - 特許庁

キャラクタ間の戦闘時に、プレイヤによって選択入力されたキャラクタの行動ごとの属性を特定し、成長バッファに登録していく（ステップＳ６０６）。例文帳に追加

At the time of a battle between characters, attributes each for the action of a character selected and inputted by a player are specified and registered in a growth buffer (step S606). - 特許庁