| 意味 | 例文 (214件) |
バラクタを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 214件
一端が接地されたバラクタ２ａ〜２ｃと、固定値を有するメアンダーラインインダクタ４ａ〜４ｃと、固定長を有する伝送線路５ａ〜５ｃと、伝送線路５ａ〜５ｃとほぼ同一の長さを有する伝送線路６ａ、６ｂと、入出力端子８とを備えている。例文帳に追加
The high frequency variable filter is provided with varactors 2a to 2c whose one ends are grounded, meander line inductors 4a to 4c having a fixed value, transmission lines 5a to 5c having a fixed length, transmission lines 6a and 6b having almost the same length as the transmission lines 5a to 5c, and an input-output terminal 8. - 特許庁
また、Ｐウェルを有するＭＯＳバラクタ素子の動作待機時に電極の電位からウェル領域の電位を引いた電位差を０以下にする制御回路を備えることにより、動作待機時から任意の容量安定状態への過渡時間を短くすることが可能となる。例文帳に追加
When the semiconductor integrated circuit is provided with a control circuit for controlling the potential difference obtained by subtracting the potential of the well area from the potential of the electrode to zero and less during the operation stand-by period of a MOS varactor element having a P well, transition time from the operation stand-by state to an optional capacity stable state can be shortened. - 特許庁
Ｎウェルを有するＭＯＳバラクタ素子の動作待機時に電極の電位からウェル領域の電位を引いた電位差を０以上にする制御回路を備えることにより、動作待機時から任意の容量安定状態への過渡時間を短くすることが可能となる。例文帳に追加
When a semiconductor integrated circuit is provided a with control circuit for controlling a potential difference obtained by subtracting the potential of a well region from the potential of an electrode to zero and more during the operation stand-by period of a MOS varactor element having an N-well, the transition time from an operation stand-by state to an optional capacity stable state can be shortened. - 特許庁
このアンテナ素子１２は例えば逆Ｆ型の誘電体アンテナであって、チューナ部１３側から直流バイアス電圧を印加してバラクタダイオード１６の容量値を適宜変化させることにより、アンテナ共振周波数を受信周波数に応じて変化させることができる。例文帳に追加
The antenna element 12 is e.g., an inverted-F type dielectric antenna, and the antenna resonance frequency is changed in response to the reception frequency by applying a DC bias voltage to the tuner section 13 to properly change the capacitance of the varactor diode 16. - 特許庁
このＭＯＳ型バラクタ２１_1 〜２１_3 とコイル２２とで構成されるＬＣ共振回路が所定の周波数で共振し、スイッチ手段であるＮＭＯＳ２３，２４がオン／オフ動作し、制御電圧Ｖｉｎに応じた発振周波数で発振し、この発振信号が出力端子３，４から出力される。例文帳に追加
An LC resonance circuit, composed of the varactors 211-213 and a coil 22 resonates at a prescribed frequency, switching means NMOS 23, 24 which turn on/off to oscillate at an oscillation frequency according to the control voltage Vin, and this oscillation signal is outputted from terminals 3, 4. - 特許庁
バラクタダイオードＸ１，Ｘ２はマイクロストリップラインＭＳＬ１，ＭＳＬ２で構成される結合回路に接続され、ＭＳＬ１，ＭＳＬ２はカップリングコンデンサＣ９，Ｃ１０を介して入出力端子Ｊ１，Ｊ２と接続され、通過中心周波数が制御される電圧制御フィルタが構成されている。例文帳に追加
The voltage-controlled filter whose pass center frequency is controlled is configured by connecting varactor diodes X1, X2 to a coupling circuit comprising microstrip lines MSL1, MSL2 and the MSL1, MSL2 are connected to input output terminals J1, J2 via coupling capacitors C9, C10. - 特許庁
入力同調回路３０は、インダクタＬ１、Ｌ２と、インダクタＬ１、Ｌ２と共に同調回路を構成するバラクタダイオードＶＤ１と、インダクタＬ１，Ｌ２に接続された状態では合成インダクタンス値がインダクタＬ１，Ｌ２のインダクタンス値より小さくするように設定されたインダクタＬ５と、トランジスタＴＲ１とを備える。例文帳に追加
An input tuning circuit 30 includes: inductors L1 and L2; a varactor diode VD1 constituting a tuning circuit with the inductors L1 and L2; an inductor L5 where a synthesized inductance value is set to be smaller than an inductance value of the inductors L1 and L2 in a state where it is connected to the inductors L1 and L2; and a transistor TR1. - 特許庁
固定容量Ｃｋ（但し、ｋ＝１,２,…,ｎ）とＮｃｈのＭＯＳトランジスタＭｋとが直列に接続されたバラクタＶＣｋを、複数並列に接続して構成されるものであり、ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍｎは、しきい値電圧がそれぞれ異なるように、そのサイズが、ゲート幅Ｗが一定であり、ゲート長Ｌ１〜Ｌｎが段々と長くなる（Ｌ１＜Ｌ２＜…＜Ｌｎ）ように構成される。例文帳に追加
Respective MOS transistors M1-Mn are constituted so that their threshold voltage values are respectively different, gate width W is fixed as to their sizes, and gate lengths L1 to Ln are gradually lengthened (L1<L2<...<Ln). - 特許庁
コントローラ１０は、イヤホンケーブル２の長さＬに基づいて、可変インピーダンス整合回路１４の出力端子Ｔ４から見たイヤホンケーブル２のインピーダンスＺｐをチューナ１５の入力インピーダンスＺｉｎに整合させるように、バラクタダイオード６３に印加する逆バイアス電圧を制御する。例文帳に追加
Based on the length L of the earphone cable 2, a controller 10 controls a reverse bias voltage applied to varactor diode 63 so that the impedance Zp of the earphone cable 2 which is viewed from an output terminal T4 of the variable impedance matching circuit 14 is matched to an input impedance Zin of the tuner 15. - 特許庁
インピーダンス変動回路は、電圧制御発振器の出力側に接続され、バラクタダイオードＤ及びコイルＬからなる並列共振回路と、並列共振回路の出力側に接続され、複数の抵抗Ｒ７、Ｒ８からなる直流電圧バイアス回路と、この回路の入出力側に接続された結合コンデンサＣとで構成することができる。例文帳に追加
The impedance variation circuit can be configured with: a parallel resonance circuit connected to the output of the voltage-controlled oscillator and comprising a varactor diode D and a coil L; a DC voltage bias circuit connected to the output of the parallel resonance circuit and comprising a plurality of resistors R7, R8; and a coupling capacitor C connected to input and output sides of the DC voltage bias circuit. - 特許庁
マイクロ波電圧制御発振器を同調回路部１と能動素子回路部２で構成し、同調回路部１の共振回路４を構成するバラクタダイオード５の接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けると共に、能動素子回路部２の共振回路２１を構成するパラクタダイオード２２の接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けた。例文帳に追加
The microwave voltage control oscillator is composed of a tuning circuit 1 and an active device circuit 2, and is provided with an input terminal of the control voltage for controlling the junction capacity of a varactor diode 5, composing a resonance circuit 4 of the tuning circuit 1 and an input terminal of the control voltage for controlling the junction capacity of a varactor diode 22, composing a resonance circuit 21 of the active device circuit 2. - 特許庁
基体２と放射導体３からなるアンテナ素子３０に整合回路を介して給電信号が供給されるテレビジョン放送受信用のアンテナ装置１であって、この整合回路が可変容量素子（バラクタダイオード）４，５とインダクタンス素子６，７とを有して放射導体３の給電部Ｐに直列に接続されている。例文帳に追加
In the antenna device 1 for receiving the television broadcast to the antenna element 30 comprising a base 2 and a radiation conductor 3 to which a power supply signal is supplied via a matching circuit, the matching circuit has variable capacity elements (varactor diodes) 4, 5 and inductance elements 6, 7 and serially connected to a power supply part P of the radiation conductor 3. - 特許庁
放射導体２２ａ〜２２ｆとバラクタダイオード２３ａ〜２３ｆとを内蔵するアンテナ装置１の後段に、所定の帯域幅を持つ受信チャンネルのデジタル信号を受信するデジタルチューナ部２を接続し、デジタルチューナ部２から出力されるデジタル受信信号を復調回路３に入力して復調する。例文帳に追加
A digital tuner part 2 which receives a digital signal of a receiving channel having predetermined bandwidth is connected to the rear stage of the antenna device 1 with built-in radiation conductors 22a-22f and varactor diodes 23a-23f and a digital receiving signal output from the digital tuner part 2 is input in a demodulation circuit 3 to be demodulated. - 特許庁
Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。例文帳に追加
The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous. - 特許庁
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